公开(公告)号：CN103700633A

公开(公告)日：2014-04-02

申请号：CN201310452241.5

申请日：2013-09-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜明成 ,  高廷旼 ,  朴商植 ,  金沅槿 ,  洪志硕

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/29 ,  H01L25/065 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L23/28 ,  H01L21/486 ,  H01L21/563 ,  H01L23/147 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49827 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/105 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/03009 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81005 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2225/06582 ,  H01L2225/1017 ,  H01L2225/1041 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

Abstract: 提供了一种半导体封装件。所述半导体封装件包括：第一半导体芯片；第二半导体芯片，位于第一半导体芯片上；第三半导体芯片，位于第二半导体芯片上；第四半导体芯片，位于第三半导体芯片上。第一底填充层位于第二半导体芯片和第一半导体芯片之间；第二底填充层位于第三半导体芯片和第二半导体芯片之间；第三底填充层位于第四半导体芯片和第三半导体芯片之间。在一些实施例中，第二底填充层包括与第一底填充层和第三底填充层不同的材料。

公开(公告)号：CN103227159B

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201310031369.4

申请日：2013-01-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 洪志硕 ,  崔光喆 ,  金相源 ,  宋炫静 ,  崔银景

IPC: H01L23/488 ,  H01L25/065

CPC classification number: H01L23/29 ,  H01L21/561 ,  H01L21/563 ,  H01L23/3114 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/94 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/29017 ,  H01L2224/29036 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/33051 ,  H01L2224/33505 ,  H01L2224/73104 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81201 ,  H01L2224/83104 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83986 ,  H01L2224/84201 ,  H01L2224/9211 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/181 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明提供了一种半导体封装以及包括该半导体封装的移动装置。该半导体封装包括通过连接结构而电互连的第一半导体元件和第二半导体元件。第一半导体元件和第二半导体元件通过保护结构而结合，该保护结构包括由保持层围绕的粘合剂层。

公开(公告)号：CN111106092A

公开(公告)日：2020-05-05

申请号：CN201911012964.7

申请日：2019-10-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李赫宰 ,  金泰勳 ,  黄智焕 ,  金志勳 ,  洪志硕

IPC: H01L23/544 ,  H01L23/367 ,  H01L25/18 ,  H01L21/66 ,  H01L21/50

Abstract: 提供一种包括测试焊盘的半导体封装及其形成方法。所述半导体封装包括：基底，包括第一接合结构；以及第一半导体芯片，包括第二接合结构，第二接合结构耦合到基底的第一接合结构，其中所述第一接合结构包括：测试焊盘；第一焊盘，电连接到测试焊盘；以及第一绝缘层，其中所述第二接合结构包括：第二焊盘，电连接到第一焊盘；以及第二绝缘层，接触第一绝缘层，且其中所述测试焊盘的至少一部分接触第二绝缘层。

公开(公告)号：CN103700633B

公开(公告)日：2017-10-24

申请号：CN201310452241.5

申请日：2013-09-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜明成 ,  高廷旼 ,  朴商植 ,  金沅槿 ,  洪志硕

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/29 ,  H01L25/065 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L23/28 ,  H01L21/486 ,  H01L21/563 ,  H01L23/147 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49827 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/105 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/03009 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81005 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2225/06582 ,  H01L2225/1017 ,  H01L2225/1041 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

Abstract: 提供了一种半导体封装件。所述半导体封装件包括：第一半导体芯片；第二半导体芯片，位于第一半导体芯片上；第三半导体芯片，位于第二半导体芯片上；第四半导体芯片，位于第三半导体芯片上。第一底填充层位于第二半导体芯片和第一半导体芯片之间；第二底填充层位于第三半导体芯片和第二半导体芯片之间；第三底填充层位于第四半导体芯片和第三半导体芯片之间。在一些实施例中，第二底填充层包括与第一底填充层和第三底填充层不同的材料。

公开(公告)号：CN103227159A

公开(公告)日：2013-07-31

申请号：CN201310031369.4

申请日：2013-01-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 洪志硕 ,  崔光喆 ,  金相源 ,  宋炫静 ,  崔银景

IPC: H01L23/488 ,  H01L25/065

CPC classification number: H01L23/29 ,  H01L21/561 ,  H01L21/563 ,  H01L23/3114 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/94 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/29017 ,  H01L2224/29036 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/33051 ,  H01L2224/33505 ,  H01L2224/73104 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81201 ,  H01L2224/83104 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83986 ,  H01L2224/84201 ,  H01L2224/9211 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/181 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明提供了一种半导体封装以及包括该半导体封装的移动装置。该半导体封装包括通过连接结构而电互连的第一半导体元件和第二半导体元件。第一半导体元件和第二半导体元件通过保护结构而结合，该保护结构包括由保持层围绕的粘合剂层。

公开(公告)号：CN111092060B

公开(公告)日：2025-04-04

申请号：CN201911012951.X

申请日：2019-10-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李赫宰 ,  金志勳 ,  金泰勳 ,  洪志硕 ,  黄智焕

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/488 ,  H01L23/367

Abstract: 提供一种半导体封装。半导体封装包括：下结构，包括上绝缘层及上焊盘；以及半导体芯片，设置在下结构上且包括下绝缘层及下焊盘。下绝缘层接触上绝缘层并耦合到上绝缘层，并且下焊盘接触上焊盘并耦合到上焊盘，且半导体芯片的旁侧在半导体芯片的上侧与下侧之间延伸且包括凹缩部分。

公开(公告)号：CN111092061B

公开(公告)日：2024-06-28

申请号：CN201911016628.X

申请日：2019-10-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄智焕 ,  金志勋 ,  洪志硕 ,  金泰勋 ,  李赫宰

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/498 ,  H01L25/07

Abstract: 一种半导体封装件包括：基底结构，所述基底结构具有基底焊盘；第一半导体芯片，所述第一半导体芯片位于所述基底结构上，并且具有结合到所述基底焊盘的第一连接焊盘；第一结合结构，所述第一结合结构包括基底结构的基底绝缘层以及所述第一半导体芯片的结合到所述基底绝缘层的第一下绝缘层；第二半导体芯片，所述第二半导体芯片位于所述第一半导体芯片上，具有连接到所述第一贯穿电极的第二连接焊盘；以及第二结合结构，所述第二结合结构包括所述第一半导体芯片的第一上绝缘层以及所述第二半导体芯片的结合到所述第一上绝缘层的第二下绝缘层，所述第一上绝缘层具有虚设绝缘部分，所述虚设绝缘部分延伸到所述第一半导体芯片周围的所述基底结构上。

公开(公告)号：CN112701100A

公开(公告)日：2021-04-23

申请号：CN202010640793.9

申请日：2020-07-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 洪志硕 ,  姜芸炳 ,  姜明成 ,  金泰勋 ,  朴相天 ,  李赫宰 ,  黄智焕

IPC: H01L23/488 ,  H01L23/544 ,  H01L25/18 ,  H01L21/60

Abstract: 根据本发明构思的一方面，提供了一种晶片至晶圆结合结构，其包括晶片，该晶片具有第一测试焊盘、形成在第一测试焊盘上的第一结合焊盘以及第一绝缘层，第一结合焊盘穿透第一绝缘层。该结构还可包括晶圆，该晶圆具有第二测试焊盘、形成在第二测试焊盘上的第二结合焊盘以及第二绝缘层，第二结合焊盘穿透第二绝缘层。该结构还可包括围绕第一结合焊盘的所有侧表面和第二结合焊盘的所有侧表面的聚合物层，该聚合物层布置在晶片和晶圆之间。此外，晶圆和晶片可被结合在一起。

公开(公告)号：CN111092061A

公开(公告)日：2020-05-01

申请号：CN201911016628.X

申请日：2019-10-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄智焕 ,  金志勋 ,  洪志硕 ,  金泰勋 ,  李赫宰

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/498 ,  H01L25/07

Abstract: 一种半导体封装件包括：基底结构，所述基底结构具有基底焊盘；第一半导体芯片，所述第一半导体芯片位于所述基底结构上，并且具有结合到所述基底焊盘的第一连接焊盘；第一结合结构，所述第一结合结构包括基底结构的基底绝缘层以及所述第一半导体芯片的结合到所述基底绝缘层的第一下绝缘层；第二半导体芯片，所述第二半导体芯片位于所述第一半导体芯片上，具有连接到所述第一贯穿电极的第二连接焊盘；以及第二结合结构，所述第二结合结构包括所述第一半导体芯片的第一上绝缘层以及所述第二半导体芯片的结合到所述第一上绝缘层的第二下绝缘层，所述第一上绝缘层具有虚设绝缘部分，所述虚设绝缘部分延伸到所述第一半导体芯片周围的所述基底结构上。

公开(公告)号：CN111092060A

公开(公告)日：2020-05-01

申请号：CN201911012951.X

申请日：2019-10-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李赫宰 ,  金志勳 ,  金泰勳 ,  洪志硕 ,  黄智焕

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/488 ,  H01L23/367

Abstract: 提供一种半导体封装。半导体封装包括：下结构，包括上绝缘层及上焊盘；以及半导体芯片，设置在下结构上且包括下绝缘层及下焊盘。下绝缘层接触上绝缘层并耦合到上绝缘层，并且下焊盘接触上焊盘并耦合到上焊盘，且半导体芯片的旁侧在半导体芯片的上侧与下侧之间延伸且包括凹缩部分。