公开(公告)号：CN106558558A

公开(公告)日：2017-04-05

申请号：CN201610847618.0

申请日：2016-09-23

Applicant: 赛米控电子股份有限公司

Inventor： F·瓦格纳

IPC: H01L23/00 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L23/49838 ,  H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L23/293 ,  H01L23/3121 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/84 ,  H01L25/18 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/37599 ,  H01L2224/40221 ,  H01L2224/84201 ,  H01L2224/8484 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0685 ,  H01L2924/07025 ,  H01L2924/1203 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2224/37099 ,  H01L24/33 ,  H01L24/38 ,  H01L2924/01013

Abstract: 本发明提出用于制造功率电子开关装置的方法。在所述功率电子开关装置中，功率半导体组件布置在基材的导体轨道的第一区域上。然后提供包括切除部的绝缘膜，其中所述绝缘膜的重叠区域设计成覆盖功率半导体组件的边缘区域，所述重叠区域邻近于所述切除部。这之后将绝缘膜布置在基材上，其中功率半导体组件布置于基材上，以使得功率半导体组件在其边缘区域的所有侧边上由绝缘膜的覆盖区域所覆盖，其中绝缘膜的另一部段覆盖所述导体轨道之一的部分。最后，布置连接装置。

公开(公告)号：CN108695297A

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201810283513.6

申请日：2018-04-02

Applicant: 富士电机株式会社 ,  株式会社宏仁

Inventor： 堀元人 ,  稻叶祐树 ,  池田良成 ,  砂子哲也 ,  稻场道弘

IPC: H01L23/538 ,  H01L25/07 ,  H01L23/492 ,  H01L21/603

CPC classification number: H01L23/5286 ,  H01L23/36 ,  H01L23/492 ,  H01L23/49575 ,  H01L23/50 ,  H01L25/10 ,  H01L25/105 ,  H01L23/5386 ,  H01L24/40 ,  H01L24/84 ,  H01L25/072 ,  H01L2224/40137 ,  H01L2224/84201

Abstract: 一种半导体装置、半导体装置的制造方法以及接口单元，能够减轻将半导体装置与外部设备连接时的连接作业的负担。半导体装置具备：底板；多个半导体单元，分别具备半导体芯片及与半导体芯片连接且向与底板相反侧延伸的棒状的单元侧控制端子，半导体单元以成对个数并排在底板上；接口单元，具有与从多个半导体单元分别延伸的多个单元侧控制端子连接的第一发射极及第一栅极信号用内部布线、第二发射极及第二栅极信号用内部布线以及与这些信号用内部布线连接且向与半导体单元相反的一侧的外部延伸的棒状的第一发射极信号用端子、第一栅极信号用端子、第二发射极信号用端子及第二栅极信号用端子，接口单元具有设置于多个半导体单元之上的箱状的收纳部。

公开(公告)号：CN103227159A

公开(公告)日：2013-07-31

申请号：CN201310031369.4

申请日：2013-01-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 洪志硕 ,  崔光喆 ,  金相源 ,  宋炫静 ,  崔银景

IPC: H01L23/488 ,  H01L25/065

CPC classification number: H01L23/29 ,  H01L21/561 ,  H01L21/563 ,  H01L23/3114 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/94 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/29017 ,  H01L2224/29036 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/33051 ,  H01L2224/33505 ,  H01L2224/73104 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81201 ,  H01L2224/83104 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83986 ,  H01L2224/84201 ,  H01L2224/9211 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/181 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明提供了一种半导体封装以及包括该半导体封装的移动装置。该半导体封装包括通过连接结构而电互连的第一半导体元件和第二半导体元件。第一半导体元件和第二半导体元件通过保护结构而结合，该保护结构包括由保持层围绕的粘合剂层。

公开(公告)号：CN104867863B

公开(公告)日：2018-07-10

申请号：CN201510067672.9

申请日：2015-02-09

Applicant: 西门子公司

Inventor： 米夏埃尔·莱佩纳特 ,  龙尼·维尔纳

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L23/49811 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/49838 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/41 ,  H01L24/75 ,  H01L24/77 ,  H01L24/83 ,  H01L24/84 ,  H01L24/92 ,  H01L25/18 ,  H01L2224/2732 ,  H01L2224/27334 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29294 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/32227 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/3701 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/4005 ,  H01L2224/40227 ,  H01L2224/40499 ,  H01L2224/4103 ,  H01L2224/41051 ,  H01L2224/75315 ,  H01L2224/75983 ,  H01L2224/773 ,  H01L2224/77328 ,  H01L2224/77983 ,  H01L2224/8314 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83201 ,  H01L2224/83447 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/84138 ,  H01L2224/84201 ,  H01L2224/84447 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2224/8484 ,  H01L2224/9221 ,  H01L2224/92246 ,  H01L2224/92255 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0781 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/06 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/84

Abstract: 本发明涉及一种用于制造电子模块(L)、特别是功率电子模块的方法(S1‑S8)，所述方法包括至少一个半导体芯片(3，4)与至少一个引线框架(1)的触点接通，其中，半导体芯片(3，4)在其上侧(7)上并且在其下侧(6)上分别具有至少一个电接口(8，9)，并且至少一个引线框架(1)直接触点接通(S5)所述侧之一的所述接口(8，9)。一种电子模块(L)借助于所述方法(S1‑S8)来制造。本发明特别是能够应用在功率电子模块上。

公开(公告)号：CN103227159B

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201310031369.4

申请日：2013-01-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 洪志硕 ,  崔光喆 ,  金相源 ,  宋炫静 ,  崔银景

IPC: H01L23/488 ,  H01L25/065

CPC classification number: H01L23/29 ,  H01L21/561 ,  H01L21/563 ,  H01L23/3114 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/94 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/29017 ,  H01L2224/29036 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/33051 ,  H01L2224/33505 ,  H01L2224/73104 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81201 ,  H01L2224/83104 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83986 ,  H01L2224/84201 ,  H01L2224/9211 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/181 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明提供了一种半导体封装以及包括该半导体封装的移动装置。该半导体封装包括通过连接结构而电互连的第一半导体元件和第二半导体元件。第一半导体元件和第二半导体元件通过保护结构而结合，该保护结构包括由保持层围绕的粘合剂层。

公开(公告)号：CN104867863A

公开(公告)日：2015-08-26

申请号：CN201510067672.9

申请日：2015-02-09

Applicant: 西门子公司

Inventor： 米夏埃尔·莱佩纳特 ,  龙尼·维尔纳

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L23/49811 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/49838 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/41 ,  H01L24/75 ,  H01L24/77 ,  H01L24/83 ,  H01L24/84 ,  H01L24/92 ,  H01L25/18 ,  H01L2224/2732 ,  H01L2224/27334 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29294 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/32227 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/3701 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/4005 ,  H01L2224/40227 ,  H01L2224/40499 ,  H01L2224/4103 ,  H01L2224/41051 ,  H01L2224/75315 ,  H01L2224/75983 ,  H01L2224/773 ,  H01L2224/77328 ,  H01L2224/77983 ,  H01L2224/8314 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83201 ,  H01L2224/83447 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/84138 ,  H01L2224/84201 ,  H01L2224/84447 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2224/8484 ,  H01L2224/9221 ,  H01L2224/92246 ,  H01L2224/92255 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0781 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/06 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/84

Abstract: 本发明涉及一种用于制造电子模块(L)、特别是功率电子模块的方法(S1-S8)，所述方法包括至少一个半导体芯片(3，4)与至少一个引线框架(1)的触点接通，其中，半导体芯片(3，4)在其上侧(7)上并且在其下侧(6)上分别具有至少一个电接口(8，9)，并且至少一个引线框架(1)直接触点接通(S5)所述侧之一的所述接口(8，9)。一种电子模块(L)借助于所述方法(S1-S8)来制造。本发明特别是能够应用在功率电子模块上。

公开(公告)号：US08816509B2

公开(公告)日：2014-08-26

申请号：US13733481

申请日：2013-01-03

Applicant: Samsung Electronics Co., Ltd.

Inventor： Ji-Seok Hong ,  Kwang-chul Choi ,  Sangwon Kim ,  Hyun-Jung Song ,  Eun-Kyoung Choi

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/52 ,  H01L29/40 ,  H01L23/02 ,  H01L23/00 ,  H01L21/56 ,  H01L23/29 ,  H01L25/065 ,  H01L25/00 ,  H01L23/31

CPC classification number: H01L23/29 ,  H01L21/561 ,  H01L21/563 ,  H01L23/3114 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/94 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/29017 ,  H01L2224/29036 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/33051 ,  H01L2224/33505 ,  H01L2224/73104 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81201 ,  H01L2224/83104 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83986 ,  H01L2224/84201 ,  H01L2224/9211 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/181 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00012

Abstract: A semiconductor package includes first and second semiconductor elements electrically interconnected by a connection structure. The first and second semiconductor elements are joined by a protection structure that includes an adhesive layer surrounded by a retention layer.

Abstract translation: 半导体封装包括通过连接结构电互连的第一和第二半导体元件。 第一和第二半导体元件通过保护结构连接，保护结构包括由保持层包围的粘合剂层。

公开(公告)号：US09406592B2

公开(公告)日：2016-08-02

申请号：US14735300

申请日：2015-06-10

Applicant: Continental Automotive GmbH

Inventor： Nico Kohl ,  Martin Metzler ,  Sven Egelkraut ,  Markus Leicht

IPC: H01L23/495 ,  H01L23/00 ,  H01L23/498

CPC classification number: H01L23/49544 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/495 ,  H01L23/49548 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/49844 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/35 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/84 ,  H01L24/92 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/32227 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/352 ,  H01L2224/37011 ,  H01L2224/37013 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/3756 ,  H01L2224/37639 ,  H01L2224/4001 ,  H01L2224/4007 ,  H01L2224/40095 ,  H01L2224/40106 ,  H01L2224/40221 ,  H01L2224/40225 ,  H01L2224/40227 ,  H01L2224/40475 ,  H01L2224/40499 ,  H01L2224/73263 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83201 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/83205 ,  H01L2224/83385 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/83825 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/84201 ,  H01L2224/84203 ,  H01L2224/84205 ,  H01L2224/84385 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2224/84825 ,  H01L2224/8484 ,  H01L2224/8485 ,  H01L2224/92142 ,  H01L2224/92246 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/48 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/00012

Abstract: A power semiconductor circuit includes at least one semiconductor having at least one contact area, and at least one bonding conductor strip having at least one contact region fastened on at least one of the contact areas. The contact region of the bonding conductor strip includes cutouts.

Abstract translation: 功率半导体电路包括至少一个具有至少一个接触区域的半导体，以及至少一个接合导体条，其具有紧固在至少一个接触区域上的至少一个接触区域。 接合导体条的接触区域包括切口。

公开(公告)号：US20230154889A1

公开(公告)日：2023-05-18

申请号：US17954215

申请日：2022-09-27

Applicant: FUJI ELECTRIC CO., LTD.

Inventor： Manabu ISHIKAWA

IPC: H01L23/00 ,  H01L25/07 ,  H01L21/48 ,  H01L23/373

CPC classification number: H01L24/84 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/77 ,  H01L25/072 ,  H01L21/4882 ,  H01L23/3735 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/37124 ,  H01L2224/84201 ,  H01L2224/77754 ,  H01L2224/7755 ,  H01L2224/40499 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29113 ,  H01L2224/29118 ,  H01L2224/29109 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/0133 ,  H01L2224/40225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73263 ,  H01L2224/92246 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/92 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/48225 ,  H01L2224/73221

Abstract: A semiconductor device manufacturing method, includes: a preparing process for preparing a conductive plate, a semiconductor chip arranged over the conductive plate with a first bonding material therebetween, and a connection terminal including a bonding portion arranged over the semiconductor chip with a second bonding material therebetween; a first jig arrangement process for arranging a first guide jig, through which a first guide hole pierces, over the conductive plate, such that the first guide hole corresponds to the bonding portion in a plan view of the semiconductor device; and a first pressing process for inserting a pillar-shaped pressing jig, which includes a pressing portion at a lower end portion thereof, into the first guide hole, and pressing the bonding portion of the connection terminal to a side of the conductive plate with the pressing portion.

公开(公告)号：US20130193588A1

公开(公告)日：2013-08-01

申请号：US13733481

申请日：2013-01-03

Applicant: Samsung Electronics Co, Ltd.

Inventor： Ji-Seok Hong ,  Kwang-chul Choi ,  Sangwon Kim ,  Hyun-Jung Song ,  Eun-Kyoung Choi

IPC: H01L23/29

CPC classification number: H01L23/29 ,  H01L21/561 ,  H01L21/563 ,  H01L23/3114 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/94 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/29017 ,  H01L2224/29036 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/33051 ,  H01L2224/33505 ,  H01L2224/73104 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81201 ,  H01L2224/83104 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83986 ,  H01L2224/84201 ,  H01L2224/9211 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/181 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00012

Abstract: A semiconductor package includes first and second semiconductor elements electrically interconnected by a connection structure. The first and second semiconductor elements are joined by a protection structure that includes an adhesive layer surrounded by a retention layer.

Abstract translation: 半导体封装包括通过连接结构电互连的第一和第二半导体元件。 第一和第二半导体元件通过保护结构连接，保护结构包括由保持层包围的粘合剂层。