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公开(公告)号：CN117917773A
公开(公告)日：2024-04-23
申请号：CN202311270775.6
申请日：2023-09-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092 , H01L23/48
Abstract: 提供了一种半导体装置，所述半导体装置包括：有源图案，在第一方向上延伸；多个栅极结构，在第一方向上间隔开，并且包括在第二方向上延伸的栅电极；源极/漏极图案，在相邻的栅极结构之间；硅化物掩模图案，在源极/漏极图案上，硅化物掩模图案的上表面低于栅电极的上表面；源极/漏极接触件，在源极/漏极图案上连接到源极/漏极图案；以及接触件硅化物膜，在源极/漏极接触件和源极/漏极图案之间与硅化物掩模图案的底表面接触，其中，从源极/漏极图案的最下面的部分到源极/漏极接触件的最下面的部分的高度小于从源极/漏极图案的最下面的部分到硅化物掩模图案的底表面的高度。
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公开(公告)号：CN117894838A
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202311324255.9
申请日：2023-10-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78
Abstract: 一种半导体器件包括：在衬底上的有源区；彼此间隔开的多个沟道层；在衬底上的栅极结构；在栅极结构的至少一侧的源极/漏极区；以及连接到源极/漏极区的接触插塞。接触插塞包括金属半导体化合物层和在金属半导体化合物层上的阻挡层。接触插塞包括位于金属半导体化合物层和阻挡层彼此直接接触的位置处的第一倾斜表面和第二倾斜表面。阻挡层包括朝向栅极结构突出的第一端和第二端。第一端和第二端位于比最上面的沟道层的上表面高的水平处。金属半导体化合物层的最上部位于比源极/漏极区的上表面高的水平处。
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公开(公告)号：CN113809146A
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：CN202110222725.5
申请日：2021-02-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/06 , H01L23/538 , H01L27/108
Abstract: 提供了一种集成电路器件。该集成电路器件包括：衬底上的位线，该位线包括下导电层和上导电层；位线上的绝缘封盖图案；以及主绝缘间隔物，在位线的侧壁和绝缘封盖图案的侧壁上，该主绝缘间隔物包括向上导电层凸出的延伸部分。
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公开(公告)号：CN111613538A
公开(公告)日：2020-09-01
申请号：CN202010025247.4
申请日：2020-01-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/48
Abstract: 提供了一种制造半导体芯片的连接结构的方法和一种制造半导体封装件的方法。所述制造半导体芯片的连接结构的方法包括：准备半导体芯片，半导体芯片具有其上设置有连接垫的第一表面和与第一表面相对的第二表面，并且半导体芯片包括设置在第一表面上并覆盖连接垫的钝化层；在半导体芯片的第一表面上形成绝缘层，绝缘层覆盖钝化层的至少一部分；形成穿透绝缘层的通路孔以暴露钝化层的至少一部分；通过去除被通路孔暴露的钝化层来暴露连接垫的至少一部分；通过用导电材料填充通路孔来形成重新分布过孔；以及在重新分布过孔和绝缘层上形成重新分布层。
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公开(公告)号：CN110828391A
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201910256753.1
申请日：2019-04-01
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/31 , H01L23/373 , H01L23/488 , H01L23/522
Abstract: 本发明提供一种扇出型半导体封装件，所述扇出型半导体封装件包括：框架，包括布线层，并具有通孔；半导体芯片，设置在所述通孔中并且包括连接焊盘；包封剂，覆盖所述框架和所述半导体芯片的无效表面中的每个的至少一部分，并且具有使所述布线层的至少一部分暴露的第一开口；绝缘层，设置在所述包封剂上，并具有形成在所述第一开口中以使所述布线层的至少一部分暴露的第二开口；导电图案层，设置在所述绝缘层上；导电过孔，设置在所述第二开口中；以及连接结构，设置在所述框架和所述半导体芯片的有效表面上，并包括一个或更多个重新分布层。所述导电图案层和所述重新分布层电连接到所述连接焊盘。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108513335A
公开(公告)日：2018-09-07
申请号：CN201810087845.7
申请日：2018-01-29
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种确定接入点的位置的方法，包括：将包括无线通信电路的电子设备定位在与第一接入点分离的位置处；使用所述电子设备感测来自第一接入点的信号；使用所述电子设备根据所感测的信号确定第一值；使用所述电子设备将第一值转换为第二值；使用所述电子设备将第二值与阈值进行比较；以及由所述电子设备至少部分地基于比较的结果来确定所述位置是否适合于要被无线链接到第一接入点的第二接入点。
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公开(公告)号：CN111834319B
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202010181672.2
申请日：2020-03-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/488 , H01L23/31
Abstract: 本发明提供一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：半导体芯片，包括具有第一表面以及与所述第一表面相对的第二表面的主体、设置在所述主体的所述第一表面上的连接垫和设置在所述连接垫上的扩展垫；以及连接结构，包括设置在所述半导体芯片的所述主体的所述第一表面上的绝缘层、贯穿所述绝缘层并且具有与所述扩展垫接触的一侧的重新分布过孔和设置在所述绝缘层上并且具有与所述重新分布过孔的另一侧接触的过孔垫的重新分布层，其中，所述半导体芯片的所述扩展垫的水平截面面积大于所述半导体芯片的所述连接垫的水平截面面积。
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公开(公告)号：CN115602702A
公开(公告)日：2023-01-13
申请号：CN202210727771.5
申请日：2022-06-22
Applicant: 三星电子株式会社(KR)
IPC: H01L29/06 , H01L23/482 , H01L23/488 , H01L23/528
Abstract: 一种半导体存储器件包括：衬底，在第一方向和垂直于第一方向的第二方向上延伸；位线结构，在衬底上在第一方向上排列，位线结构在第二方向上延伸；间隔物结构，设置在位线结构的侧壁上以在第二方向上延伸，间隔物结构包括由空气或氧化硅形成的间隔物；接触结构，设置在间隔物结构之间并且在第二方向上排列；围栏结构，填充接触结构之间的间隙和间隔物结构之间的间隙；以及焊盘隔离膜，隔离位于位线结构上的接触结构、间隔物结构和围栏结构。围栏结构包括第一围栏衬垫和第二围栏衬垫，第二围栏衬垫位于第一围栏衬垫上并且由空气和氧化硅中的一种形成，并且第二围栏衬垫在第一方向上与间隔物交叠。
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公开(公告)号：CN107105073B
公开(公告)日：2021-09-03
申请号：CN201710090707.X
申请日：2017-02-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04M1/02 , H04M1/72409
Abstract: 提供了一种辅助设备和一种信息显示方法。该辅助设备包括外壳、通过外壳的第一部分暴露的显示器、导电图案、被配置为支持短程无线通信协议的无线通信电路、至少一个处理器以及存储器，其中存储器存储指令，这些指令允许至少一个处理器控制无线通信电路在第一模式中操作，在第二类型的外部电子装置被允许在第一时间段之后的第二时间段中读取第二数据的第二模式中操作，在第一时间段中的一个或多个时间点检测第二类型的外部电子装置的存在，并且当检测到第二类型的外部电子装置的存在时切换到第二模式中。
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公开(公告)号：CN107105073A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201710090707.X
申请日：2017-02-20
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H04M1/7253 , H04B1/3888 , H04B5/00 , H04B5/0031 , H04B5/0037 , H04B5/0056 , H04M1/0245 , H04M1/04 , H04M1/185 , H04M1/72569 , H04M1/72575 , H04M2250/04 , H04W4/80 , H04M1/0274 , H04M1/72527
Abstract: 提供了一种辅助设备和一种信息显示方法。该辅助设备包括外壳、通过外壳的第一部分暴露的显示器、导电图案、被配置为支持短程无线通信协议的无线通信电路、至少一个处理器以及存储器，其中存储器存储指令，这些指令允许至少一个处理器控制无线通信电路在第一模式中操作，在第二类型的外部电子装置被允许在第一时间段之后的第二时间段中读取第二数据的第二模式中操作，在第一时间段中的一个或多个时间点检测第二类型的外部电子装置的存在，并且当检测到第二类型的外部电子装置的存在时切换到第二模式中。
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