场发射装置及使用其的场发射显示器

    公开(公告)号:CN1737984A

    公开(公告)日:2006-02-22

    申请号:CN200510087859.1

    申请日:2005-08-01

    Inventor: 朴永俊 郑太远

    CPC classification number: H01J3/021 H01J29/467 H01J29/481 H01J31/127

    Abstract: 本发明提供了一种具有优秀的电子束聚焦的场发射装置以及使用该场发射装置的场发射显示器。该场发射装置包括:基板;第一阴极电极,形成在基板上;绝缘层,形成在基板和第一阴极电极上,并具有暴露第一阴极电极部分的凹进部分;第二阴极电极,形成在绝缘层上,并电连接到第一阴极电极;电子发射器,形成在第一阴极电极由绝缘层暴露的部分上;栅极绝缘层,形成在第二阴极电极上,并具有暴露凹进部分的空腔;以及栅极电极,形成在栅极绝缘层上,并具有与空腔对齐的栅极孔。

    形成衬底的浮置结构、浮置栅电极和场致发射器件的方法

    公开(公告)号:CN1427437A

    公开(公告)日:2003-07-02

    申请号:CN02144500.1

    申请日:2002-09-30

    Inventor: 朴永俊 韩仁泽

    CPC classification number: B82Y10/00 H01J3/021 H01J9/025 H01J2201/30469

    Abstract: 本发明公开了一种形成衬底的浮置结构、浮置栅电极和场致发射器件的方法。形成自衬底抬高的浮置结构的方法包括:在衬底上形成膨胀引发层,该层可以由与预定反应气体的反应而产生导致体积膨胀的副产物;在合成叠层上形成用于浮置结构的目标材料层;在合成叠层上形成孔,反应气体通过该孔供给;通过该孔供应反应气体,使得该目标材料层因膨胀引发层与反应气体的反应所产生的副产物而自衬底部分地抬高;以及通过该孔去除副产物,使得目标材料层自衬底抬升的部分可以完全与衬底分离,形成浮置结构。

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