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公开(公告)号：CN105006413B
公开(公告)日：2017-10-03
申请号：CN201510199715.9
申请日：2015-04-23
Applicant: 安世有限公司
Inventor： 克劳斯·莱曼 , 奥拉夫·温尼克 , 迈克尔·安托万·阿曼德·因赞德
IPC: H01J9/12
CPC classification number: H01J9/025 , H01J1/304 , H01J1/308 , H01J9/24 , H01J19/24 , H01J19/54 , H01J21/04 , H01L27/0248
Abstract: 用于形成静电放电装置的场致发射二极管的方法的实施例包括形成第一电极、牺牲层和第二电极。所述牺牲层隔开所述第一电极和第二电极。所述方法还包括通过去除所述牺牲层，在所述第一电极和第二电极之间形成腔体。所述腔体隔开所述第一电极和第二电极。所述方法还包括：在形成所述第一电极和第二电极之后，通过至少一个进入孔在至少所述第一电极和第二电极之一上沉积电子发射材料。所述进入孔远离所述第一电极和第二电极上的电子发射位置。
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公开(公告)号：CN106847646A
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201710000929.8
申请日：2017-01-03
Applicant: 金陵科技学院
Inventor： 李玉魁
CPC classification number: H01J1/304 , H01J9/025 , H01J9/185 , H01J31/123
Abstract: 本发明涉及一种小弯弧混杂银门控斜置长扇外凸边错落面阴极结构的发光显示器，包括由上抗压平严闭板、下抗压平严闭板和透明玻璃框所构成的真空室；在上抗压平严闭板上有阳极低阻高透光膜层、与阳极低阻高透光膜层相连的阳极扩张银条层以及制备在阳极低阻高透光膜层上面的荧光粉层；在下抗压平严闭板上有小弯弧混杂银门控斜置长扇外凸边错落面阴极结构；位于真空室内的消气剂和矩形黑壁附属元件。具有制作工艺可靠、发光灰度可调节性能优异、阳极电流大、发光亮度高的优点。
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公开(公告)号：CN106683956A
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201710000887.8
申请日：2017-01-03
Applicant: 金陵科技学院
Inventor： 李玉魁
CPC classification number: H01J31/127 , H01J1/304 , H01J9/02 , H01J9/025 , H01J9/20 , H01J29/04 , H01J29/467
Abstract: 本发明涉及一种高低平弧聚合独门控斜置闭合曲面环边缘阴极结构的发光显示器，包括由上透明硬抗压板、下透明硬抗压板和四周玻璃框所构成的真空室；在上透明硬抗压板上有阳极低阻膜电极层、与阳极低阻膜电极层相连的阳极银传递线层以及制备在阳极低阻膜电极层上面的荧光粉层；在下透明硬抗压板上有高低平弧聚合独门控斜置闭合曲面环边缘阴极结构；位于真空室内的消气剂和分立绝缘柱附属元件。具有制作结构简单、制作工艺稳定可靠、制作过程易于实现、发光亮度高的优点。
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公开(公告)号：CN104795298B
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201410024559.8
申请日：2014-01-20
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC classification number: H01J29/04 , H01B1/04 , H01J1/304 , H01J1/308 , H01J1/312 , H01J29/18 , H01J31/12 , H01J31/127 , H01J2201/30469 , H01J2201/3125 , H01J2329/0455 , H01J2329/0478 , H01J2329/0484
Abstract: 本发明涉及一种电子发射装置，其包括多个电子发射单元间隔设置，所述电子发射单元包括依次层叠设置的一第一电极，一半导体层，一绝缘层以及一第二电极，其中，所述电子发射单元还包括设置于所述半导体层与所述绝缘层之间的一电子收集层，所述电子收集层为一导电层，任意相邻的电子发射单元中的第一电极相互间隔，任意相邻的电子发射单元中的第二电极相互间隔。本发明还提供一种电子发射显示器。
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公开(公告)号：CN106158551A
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201610542509.8
申请日：2016-07-08
Applicant: 中山大学
Abstract: 本发明公开了自对准聚焦结构的纳米线冷阴极电子源阵列及其制作方法。该电子源阵列结构包括衬底，制作在衬底上平行排列的底部阴极电极条和底部栅极电极条，覆盖在上述电极条上的绝缘层，制作在绝缘层上方通过绝缘层上刻蚀通孔与底部相应电极条连接的环状顶部栅极电极和顶部阴极电极以及聚焦极电极，制作在顶部阴极电极上的圆形纳米线冷阴极阵列。本发明还进一步公开了所述纳米线冷阴极电子源阵列的制作方法。本发明提供的自对准聚焦极结构可逐行寻址的纳米线冷阴极电子源阵列结构，其制作工艺简单，具有较好的调控电子发射和聚焦电子束的能力，在平板X射线源方面有重要应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106128906A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201610749482.X
申请日：2016-08-29
Applicant: 重庆启越涌阳微电子科技发展有限公司
Inventor： 李葵阳
Abstract: 本发明提供一种直立式石墨烯薄膜场发射阴极及其制作方法、电极，该阴极包括衬底，在衬底的预设区域上设置有多个相互独立的突起，每个突起顶端都设置有第一石墨烯薄膜且该第一石墨烯薄膜在突起顶端周边的厚度大于在突起顶端内部的厚度，各个突起之间设置有第二石墨烯薄膜，且针对至少一个突起，其顶端设置的第一石墨烯薄膜，相比于该突起与相邻突起之间设置的第二石墨烯薄膜存在高差。本发明可以提高石墨烯薄膜场发射阴极的电流发射能力。
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公开(公告)号：CN106098503A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201610564355.2
申请日：2016-07-18
Applicant: 电子科技大学
CPC classification number: H01J1/304 , H01J9/025 , H01J19/24 , H01J35/065 , H01J2201/30461 , H01J2209/0223 , H01J2235/062
Abstract: 该发明属于石墨烯带状电子注场发射冷阴极及其生产方法。冷阴极包括基片及其上的金属膜电极，各石墨烯场发射体及设于其间及顶层的绝缘介质加强层；生产方法为：基片的处理、石墨烯薄膜的制备、金属膜电极的设置、石墨烯的转移、单层及多层石墨烯带状电子注场发射冷阴极的制作。该发明设置金属膜电极、采用石墨烯作冷阴极的发射体，发射端通过切割而成，在外加电场下会产生极强的尖端效应，既有利于提高发射电流、又可有效地降低场发射阴极的工作电压；因而具有可有效降低带状电子注冷阴极的开启场和阈值场，发射电流大、功率高，电子注发射稳定性好、体积小，以及生产工艺简单、生产效率高并可确保器件性能的一致性，易于工业化生产等特点。
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公开(公告)号：CN106057606A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201610566819.3
申请日：2016-07-15
Applicant: 宁波工程学院
CPC classification number: H01J1/304 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , H01J9/025 , H01J2209/0223
Abstract: 本发明涉及一种应用于场发射材料中的纳米线材料，尤其涉及B掺杂SiC纳米线在场发射阴极材料中的应用，属于纳米材料技术领域。所述的B掺杂SiC纳米线为场发射阴极，所述场发射阴极与场发射阳极之间在施加电压时形成有发射电场，所述场发射阴极在真空条件下的在发射电流密度为10μA/cm2时的开启场强为0.6‑1.05V/μA。本发明B掺杂SiC纳米线场发射阴极材料加工方便，成本可控性好，性能稳定，具有很高的柔韧性；在不同弯曲次数后均具有较低的开启电场，且基本保持不变，均保持较高的电子发射稳定性；在不同弯曲状态下均具有较低的开启电场，且基本保持不变，均保持较高的电子发射稳定性；在不同温度下均具有较低的开启电场，均保持较高的电子发射稳定性。
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公开(公告)号：CN103367073B
公开(公告)日：2016-09-14
申请号：CN201210087160.5
申请日：2012-03-29
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
IPC: H01J1/304
CPC classification number: H01J1/304 , H01J9/025 , H01J2201/30469
Abstract: 一种碳纳米管场发射体，包括多个碳纳米管束，每个碳纳米管束具有相对的第一端和第二端，且每个碳纳米管束包括多个碳纳米管，该多个碳纳米管通过范德华力首尾相连，且沿着该每个碳纳米管束的延伸方向定向排列，该多个碳纳米管束的第一端汇聚成一碳纳米管线，作为支撑部；该多个碳纳米管束沿着第一端与第二端之间的部分由所述支撑部向周围呈扇形发散，形成电子发射部；所述多个碳纳米管束中相邻的碳纳米管束之间具有间隙，该间隙从碳纳米管束的第一端至碳纳米管束的第二端逐渐增大。
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公开(公告)号：CN103854935B
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201210518136.2
申请日：2012-12-06
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
IPC: H01J1/304
CPC classification number: H01J1/304 , H01J3/021 , H01J31/127 , H01J2203/0236
Abstract: 一种场发射阴极装置，包括：一阴极电极；一电子发射体，该电子发射体与所述阴极电极电连接；一电子引出极，该电子引出极通过一绝缘隔离层与所述阴极电极电绝缘且间隔设置，该电子引出极具有一通孔对应所述电子发射体；所述电子发射体包括多个子电子发射体，每个子电子发射体远离阴极电极的一端至电子引出极所述通孔的侧壁的最短距离基本一致。本发明还涉及利用所述场发射阴极装置的场发射器件。
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