公开(公告)号：CN108409328A

公开(公告)日：2018-08-17

申请号：CN201810246408.5

申请日：2018-03-23

Applicant: 东北大学

Inventor： 张翠萍 ,  茹红强 ,  宗辉 ,  徐海彬 ,  夏乾 ,  秦肇伯 ,  尤田 ,  朱景辉

IPC: C04B35/563 ,  C04B35/622 ,  C04B35/65

Abstract: 本发明涉及一种碳化硼陶瓷复合材料的制备方法，包括如下步骤：S1、将碳化硼粉末、碳源和混料介质进行湿法混合形成混合物料，经烘干、研磨、过筛后形成待模压物料；S2、将待模压物料压制成型，经烘干后得到陶瓷坯体；S3、将硅块置于陶瓷坯体上进行真空熔渗反应烧结，得到碳化硼陶瓷复合材料前驱体；S4、除去碳化硼陶瓷复合材料前驱体表面的残留硅后将其置于加热设备中进行热处理，再冷却至室温后得到碳化硼陶瓷复合材料。本发明的碳化硼陶瓷复合材料的制备方法能够降低烧结温度，提高碳化硼陶瓷复合材料的致密性，同时能够提高碳化硼陶瓷复合材料的力学性能。

公开(公告)号：CN108409328B

公开(公告)日：2020-09-29

申请号：CN201810246408.5

申请日：2018-03-23

Applicant: 东北大学

Inventor： 张翠萍 ,  茹红强 ,  宗辉 ,  徐海彬 ,  夏乾 ,  秦肇伯 ,  尤田 ,  朱景辉

IPC: C04B35/563 ,  C04B35/622 ,  C04B35/65

Abstract: 本发明涉及一种碳化硼陶瓷复合材料的制备方法，包括如下步骤：S1、将碳化硼粉末、碳源和混料介质进行湿法混合形成混合物料，经烘干、研磨、过筛后形成待模压物料；S2、将待模压物料压制成型，经烘干后得到陶瓷坯体；S3、将硅块置于陶瓷坯体上进行真空熔渗反应烧结，得到碳化硼陶瓷复合材料前驱体；S4、除去碳化硼陶瓷复合材料前驱体表面的残留硅后将其置于加热设备中进行热处理，再冷却至室温后得到碳化硼陶瓷复合材料。本发明的碳化硼陶瓷复合材料的制备方法能够降低烧结温度，提高碳化硼陶瓷复合材料的致密性，同时能够提高碳化硼陶瓷复合材料的力学性能。

公开(公告)号：CN107337454A

公开(公告)日：2017-11-10

申请号：CN201710537447.6

申请日：2017-07-04

Applicant: 东北大学

Inventor： 茹红强 ,  叶超超 ,  宗辉 ,  李鸿钧 ,  岳新艳 ,  王伟 ,  张翠萍

IPC: C04B35/584 ,  C04B35/628

Abstract: 本发明涉及陶瓷材料技术领域，尤其涉及一种氮化硅复合粉体的制备方法。该氮化硅复合粉体的制备方法包括如下步骤：S1、将硝酸铝和硝酸钇按摩尔比5：2.5-3加入水中，形成原料溶液；S2、将尿素加入原料溶液中，形成混合溶液；S3、将氮化硅粉体加入混合溶液中，形成混合物；S4：对混合物进行热处理，热处理温度为25-99℃，热处理后进行固液分离，得到的固体干燥物为氮化硅复合粉体。本发明的氮化硅复合粉体的制备方法，不仅工艺简单而且PH值容易控制，便于推广，此外，在氮化硅表面包覆形成的纳米级烧结助剂均匀。

公开(公告)号：CN107337454B

公开(公告)日：2019-10-25

申请号：CN201710537447.6

申请日：2017-07-04

Applicant: 东北大学

Inventor： 茹红强 ,  叶超超 ,  宗辉 ,  李鸿钧 ,  岳新艳 ,  王伟 ,  张翠萍

IPC: C04B35/584 ,  C04B35/628

Abstract: 本发明涉及陶瓷材料技术领域，尤其涉及一种氮化硅复合粉体的制备方法。该氮化硅复合粉体的制备方法包括如下步骤：S1、将硝酸铝和硝酸钇按摩尔比5：2.5‑3加入水中，形成原料溶液；S2、将尿素加入原料溶液中，形成混合溶液；S3、将氮化硅粉体加入混合溶液中，形成混合物；S4：对混合物进行热处理，热处理温度为25‑99℃，热处理后进行固液分离，得到的固体干燥物为氮化硅复合粉体。本发明的氮化硅复合粉体的制备方法，不仅工艺简单而且PH值容易控制，便于推广，此外，在氮化硅表面包覆形成的纳米级烧结助剂均匀。