公开(公告)号：CN106278281B

公开(公告)日：2019-05-21

申请号：CN201610674207.6

申请日：2016-08-16

Applicant: 东北大学

Inventor： 张翠萍 ,  茹红强

IPC: C04B35/58 ,  C04B35/622 ,  C04B35/65 ,  C04B35/634 ,  C22C1/10 ,  C22C1/05 ,  C22C29/14

Abstract: 一种硼化钛基复合阴极材料及其制备方法，属于陶瓷材料技术领域。硼化钛基复合阴极材料，由TiB2粉末、金属Mo粉末和Si复合而成；其相组成为TiB2、MoSi2、Si、Mo2B、Ti3B4和TiB55。其制备方法，包括：(1)制备TiB2‑Mo混合粉体；(2)将TiB2‑Mo混合粉体与粘结剂混合均匀，制备模压物料；(3)将模压物料模压成型，获得TiB2‑Mo素坯；(4)将TiB2‑Mo素坯作为骨架，Si作为熔渗剂，进行真空熔渗，获得硼化钛基复合阴极材料。该方法通过先将原料模压成型，再进行无压真空渗硅，制得致密度高的硼化钛基复合阴极材料，可以用于铝电解槽中；该方法步骤简单、烧结温度低，烧结过程无形变、制备成本较低，并且能生产各种形状复杂、大尺寸的产品。

公开(公告)号：CN102464490A

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN201010547748.5

申请日：2010-11-17

Applicant: 东北大学

Inventor： 茹红强 ,  张翠萍 ,  岳新艳 ,  王伟 ,  常青

IPC: C04B35/563 ,  C04B35/622

Abstract: 一种碳化硼基陶瓷复合材料的制备方法，属于材料技术领域，按以下步骤进行：（1）将B4C粉末与粘结剂混合均匀，或将B4C混合粉体与粘结剂混合均匀，再进行过筛，选取粒度在24~60目间的颗粒作为模压物料；（2）将模压物料模压成形，干燥后获得B4C-C素坯；（3）将B4C-C素坯作为骨架，采用Si作为熔渗剂，进行真空熔渗。本发明的方法步骤简单、温度要求低，在较低制备成本的条件下能够获得致密度高的碳化硼陶瓷复合材料，在制备过程中样品尺寸变化

公开(公告)号：CN119638472A

公开(公告)日：2025-03-18

申请号：CN202411958548.7

申请日：2024-12-30

Applicant: 东北大学

Inventor： 张翠萍 ,  马忠滨 ,  程世强 ,  张力 ,  邹妮 ,  张瑞杰 ,  夏乾 ,  姚苏婷 ,  茹红强

IPC: C04B37/00 ,  C04B35/563 ,  C04B35/622 ,  C04B35/64

Abstract: 本发明涉及陶瓷焊接技术领域，尤其涉及一种新型的反应烧结碳化硼陶瓷自渗连接方法。本发明在常温下将反应烧结碳化硼陶瓷待连接的表面抛光至粗糙度一致后压合，在高温下通过自身残余硅的扩散以及界面反应，能够成功将两块反应烧结碳化硼陶瓷连接，形成的连接层成分主要为Si、SiC、B12(C,Si,B)3三相，连接层与母材碳化硼之间适配性良好，几乎大部分保留了母材碳化硼的力学性能，此外，在界面处还形成许多细小的碳化硅相，界面结合较好，因此，本发明实现了在不添加任何中间层的条件下，较为简单地实现了反应烧结碳化硼陶瓷的连接，而且连接界面完整，气孔等缺陷较少，抗弯强度大部分保留下来。

公开(公告)号：CN118459227A

公开(公告)日：2024-08-09

申请号：CN202410575736.5

申请日：2024-05-10

Applicant: 东北大学

Inventor： 张翠萍 ,  姚苏婷 ,  杜展辉 ,  张瑞杰 ,  马忠滨 ,  夏乾 ,  邹妮 ,  张力 ,  程世强 ,  茹红强

IPC: C04B35/58 ,  C04B35/622 ,  C04B35/645

Abstract: 本公开提供一种硼化钛复合陶瓷材料及其制备方法。其中制备方法，其包括：S1、制备酚醛树脂‑无水乙醇溶液；S2、向酚醛树脂‑无水乙醇溶液中依次加入TiB2粉末和Ni粉并进行搅拌S3、将第一混料倒入球磨罐进行混合，得到第二混料；S4、第二混料收集并进行水浴加热和搅拌，干燥后得到第三混料；S5、第三混料研磨过筛造粒，得到混合粉体；S6、混合粉体模压成型，得到若干第一坯体；S7、第一坯体进行碳化处理得到若干第二坯体；S8、将第一混合液体均匀涂抹至石墨坩埚的内壁和外壁后晾干；S9、第二坯体等距放入石墨坩埚中，将纯硅均匀覆盖在若干第二坯体上，将石墨坩埚放入炉中进行真空熔渗，最后冷却得到硼化钛陶瓷复合材料。

公开(公告)号：CN112142473A

公开(公告)日：2020-12-29

申请号：CN202011048826.7

申请日：2020-09-29

Applicant: 东北大学

Inventor： 岳新艳 ,  茹红强 ,  王建军 ,  王伟 ,  张翠萍 ,  黄云涛

IPC: C04B35/563 ,  C04B35/622 ,  C04B35/64 ,  C04B35/645 ,  C04B35/71

Abstract: 本发明的一种B4C基双层陶瓷复合材料及其制备方法，属于材料技术领域，该复合材料的制备方法包括配料、混料、干燥、热压烧结或无压烧结等步骤，配料：按比例分别称取双层复合材料的碳化硼陶瓷层和增韧层的配料，其中碳化硼陶瓷层分别按比例称取B4C粉1、Ti粉和C粉；增韧层分别按比例称取B4C粉2，Ti3SiC2粉，Si粉和用于原位反应生成W2B5所需要的B4C粉3和WC粉；混料：分别将每层称好的原料，混料后干燥过筛；控制相应工艺过程，采用热压或无压烧结后，冷却至室温，制得B4C基双层陶瓷复合材料。本发明采用热压或无压层状复合的方法，通过宏观双层结构以及反应自生多相复合增韧机制，大幅改善B4C陶瓷材料的力学性能。

公开(公告)号：CN108439990B

公开(公告)日：2020-09-29

申请号：CN201810449180.X

申请日：2018-05-11

Applicant: 东北大学

Inventor： 张翠萍 ,  张禹 ,  陈铭延 ,  陈宇凡

IPC: C04B35/58

Abstract: 本发明涉及一种二硼化钛基陶瓷复合材料及其制备方法。其相组成至少包括TiB2、TiC、Ti和(TiO1.20)3.12，其制备方法为将碳源、TiB2粉末和无水乙醇混合均匀，烘干去除无水乙醇，制成TiB2混合粉体；将所述TiB2混合粉体模压成形、干燥、或干燥后碳化，获得TiB2‑C素坯；用Ti、Al2O3和NH4Cl的混合粉末埋住TiB2‑C素坯及Ti块，进行真空熔渗，获得二硼化钛基陶瓷复合材料。本发明的方法步骤简单、温度要求低，在较低制备成本的条件下能够获得致密度高的二硼化钛基陶瓷复合材料，在制备过程中样品尺寸变化

公开(公告)号：CN108409328B

公开(公告)日：2020-09-29

申请号：CN201810246408.5

申请日：2018-03-23

Applicant: 东北大学

Inventor： 张翠萍 ,  茹红强 ,  宗辉 ,  徐海彬 ,  夏乾 ,  秦肇伯 ,  尤田 ,  朱景辉

IPC: C04B35/563 ,  C04B35/622 ,  C04B35/65

Abstract: 本发明涉及一种碳化硼陶瓷复合材料的制备方法，包括如下步骤：S1、将碳化硼粉末、碳源和混料介质进行湿法混合形成混合物料，经烘干、研磨、过筛后形成待模压物料；S2、将待模压物料压制成型，经烘干后得到陶瓷坯体；S3、将硅块置于陶瓷坯体上进行真空熔渗反应烧结，得到碳化硼陶瓷复合材料前驱体；S4、除去碳化硼陶瓷复合材料前驱体表面的残留硅后将其置于加热设备中进行热处理，再冷却至室温后得到碳化硼陶瓷复合材料。本发明的碳化硼陶瓷复合材料的制备方法能够降低烧结温度，提高碳化硼陶瓷复合材料的致密性，同时能够提高碳化硼陶瓷复合材料的力学性能。

公开(公告)号：CN107337454A

公开(公告)日：2017-11-10

申请号：CN201710537447.6

申请日：2017-07-04

Applicant: 东北大学

Inventor： 茹红强 ,  叶超超 ,  宗辉 ,  李鸿钧 ,  岳新艳 ,  王伟 ,  张翠萍

IPC: C04B35/584 ,  C04B35/628

Abstract: 本发明涉及陶瓷材料技术领域，尤其涉及一种氮化硅复合粉体的制备方法。该氮化硅复合粉体的制备方法包括如下步骤：S1、将硝酸铝和硝酸钇按摩尔比5：2.5-3加入水中，形成原料溶液；S2、将尿素加入原料溶液中，形成混合溶液；S3、将氮化硅粉体加入混合溶液中，形成混合物；S4：对混合物进行热处理，热处理温度为25-99℃，热处理后进行固液分离，得到的固体干燥物为氮化硅复合粉体。本发明的氮化硅复合粉体的制备方法，不仅工艺简单而且PH值容易控制，便于推广，此外，在氮化硅表面包覆形成的纳米级烧结助剂均匀。

公开(公告)号：CN105601282A

公开(公告)日：2016-05-25

申请号：CN201511008356.0

申请日：2015-12-28

Applicant: 东北大学

Inventor： 张翠萍 ,  茹红强

IPC: C04B35/584 ,  C04B35/626 ,  C04B35/65

CPC classification number: C04B35/591 ,  C04B35/62605 ,  C04B35/6266 ,  C04B35/65 ,  C04B2235/3826 ,  C04B2235/428 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/96

Abstract: 一种氮化硅基陶瓷复合材料的制备方法，属于材料技术领域。该方法按以下步骤进行：(1)制备碳源和Si3N4混合模压物料：碳源、Si3N4粉末和无水乙醇按比例混合均匀后，去除无水乙醇；(2)制备Si3N4基素坯：在模具中，将碳源和Si3N4混合模压物料模压成形；(3)制备氮化硅基陶瓷复合材料：将硅颗粒放置于Si3N4基素坯的上表面，在真空加热炉内升温并保温制得氮化硅基陶瓷复合材料。本发明的方法步骤简单、温度要求低，在较低制备成本的条件下能够获得致密度高的氮化硅陶瓷复合材料，在制备过程中样品尺寸变化

公开(公告)号：CN116835987A

公开(公告)日：2023-10-03

申请号：CN202310885252.6

申请日：2023-07-19

Applicant: 东北大学

Inventor： 张翠萍 ,  马忠滨 ,  夏乾 ,  姚苏婷 ,  茹红强

IPC: C04B35/563 ,  C04B35/622 ,  C04B35/65

Abstract: 本发明涉及一种低成本的碳化硼‑纳米SiC陶瓷复合材料的制备方法，包括如下步骤：将炭黑粉体通过PEI超声分散均匀，然后加入碳化硼，球磨得到湿料，然后在湿料中加入PVA水溶液，继续球磨后获得复合湿料；将复合湿料烘干、研磨得到复合粉体；将获得的粉体模压成型得到B4C‑炭黑素坯；将B4C‑炭黑素坯作为基体，单质硅作为熔渗剂，进行真空熔渗获得碳化硼陶瓷复合材料。本发明克服了炭黑在碳化硼浆料和坯体中容易团聚的问题，实现了在碳化硼陶瓷浆料和坯体中引入了均匀分布的炭黑，渗硅反应烧结后在碳化硼陶瓷基体中形成了纳米SiC陶瓷骨架，复合材料的力学性能得到明显提高，并且本发明工艺流程低成本、易操作、无污染，适用于大批量工业生产。