公开(公告)号：CN115110050B

公开(公告)日：2023-12-05

申请号：CN202210773483.3

申请日：2022-07-01

Applicant: 复旦大学

Inventor： 田传山 ,  张玮烨

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/18 ,  C23C14/04 ,  G01R33/00 ,  G01R33/032

Abstract: 本发明公开了一种在金刚石表面制备正反面连通的超薄共面波导的方法，属于量子传感技术领域，方法包括：S1将金刚石置于溅射镀膜设备中的支架上，使金刚石的正面呈45°角倾斜并遮挡住其正面不需要进行镀膜的部分；S2启动溅射镀膜设备，在金刚石的正面和侧面上分别生长出电性连通的正面金电极和侧面金电极；S3翻转金刚石180°，遮挡金刚石的反面不需要进行镀膜的部分；S4启动溅射镀膜设备，在金刚石的反面和侧面上分别生长出电性连通的反面金电极和侧面金电极；其中，正面金电极、反面金电极、侧面金电极构成所需的超薄共面波导。经本发明的方法步骤制备的金刚石能够实现其NV色心贴近样品的同时，还能够在NV色心处产生与足够强的微波调控场。

公开(公告)号：CN115110050A

公开(公告)日：2022-09-27

申请号：CN202210773483.3

申请日：2022-07-01

Applicant: 复旦大学

Inventor： 田传山 ,  张玮烨

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/18 ,  C23C14/04 ,  G01R33/00 ,  G01R33/032

Abstract: 本发明公开了一种在金刚石表面制备正反面连通的超薄共面波导的方法，属于量子传感技术领域，方法包括：S1将金刚石置于溅射镀膜设备中的支架上，使金刚石的正面呈45°角倾斜并遮挡住其正面不需要进行镀膜的部分；S2启动溅射镀膜设备，在金刚石的正面和侧面上分别生长出电性连通的正面金电极和侧面金电极；S3翻转金刚石180°，遮挡金刚石的反面不需要进行镀膜的部分；S4启动溅射镀膜设备，在金刚石的反面和侧面上分别生长出电性连通的反面金电极和侧面金电极；其中，正面金电极、反面金电极、侧面金电极构成所需的超薄共面波导。经本发明的方法步骤制备的金刚石能够实现其NV色心贴近样品的同时，还能够在NV色心处产生与足够强的微波调控场。