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公开(公告)号：CN112202318A
公开(公告)日：2021-01-08
申请号：CN202010654208.0
申请日：2020-07-07
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 抑制在开关时功率PGND的电位变动所致的杂讯输送到控制电路的控制输出电路。功率模块(100)包括功率电路(1)、以及控制电路(2)，PGND与CGND被分离，控制电路(2)的控制输出电路(22)的至少一部分、与CGND隔着绝缘层(24)，配置在互相在不同的层中对向的位置。
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公开(公告)号：CN110556356A
公开(公告)日：2019-12-10
申请号：CN201910462477.4
申请日：2019-05-30
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L23/498
Abstract: 提供一种抑制功率器件正下方电流密度以及配线温度的上升，且增大功率模块的电流容量的功率模块。第一导电层的多个分离的一次配线以及二次配线之间，以横跨的方式配置有功率器件的初级电极以及次级电极，第二导电层包括多个分离所述一次配线以及所述二次配线，在第一绝缘层上，在所述一次配线以及所述二次配线之间，且在功率器件的正下方区域配置有绝缘部，第二导电层的所述一次配线以及所述二次配线之间，且在功率器件的正下方区域配置有层内绝缘部，功率器件的所述初级电极以及所述次级电极的每一个电极正下方的所述第一绝缘层上配置有通孔，所述通孔使第一导电层和第二导电层的所述一次配线连接和所述二次配线分别连接。
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公开(公告)号：CN110034100A
公开(公告)日：2019-07-19
申请号：CN201811347983.0
申请日：2018-11-13
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 本发明提供一种开关噪声的降低效果较高的功率半导体组件及电子设备。在功率半导体组件(10)中，在绝缘层(121)的一侧的主面形成有由第一至第四电极部(111～114)构成的第一导电层，在另一侧的主面形成有作为第二导电层的导电性基板(101)，通过配置于第一导电层的表面的第一晶体管(131)及第二晶体管(132)的开关控制来切换电流路径从而实施电力转换。在第一电极部(111)及第二电极部(112)之间(区域A3)连接有电容器(141)，在区域A3第二导电层中流通有电流的情况下，能够利用电容器(141)中产生的充放电电流获得磁场抵消效果。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109962616A
公开(公告)日：2019-07-02
申请号：CN201811368989.6
申请日：2018-11-16
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H02M3/158
Abstract: 本发明提供一种电源装置，其即使在将GaN系半导体材料作为开关使用的情况下，也能够防止发生开关错误地导通的误导通。电源电路包括由GaN系半导体材料构成的FET即第一开关(UH1)和由GaN系半导体材料构成的FET即第二开关(UL1)，第一开关(UH1)的源极与输入电位侧连接，第一开关(UH1)的漏极与第二开关(UL1)的源极连接的同时与输出电位侧连接，该电源电路将防止一个开关导通时另一开关随之打开的误导通防止电路与第一开关(UH1)的栅极和/或第二开关(UL1)的栅极连接。
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公开(公告)号：CN101553924B
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：CN200780045357.X
申请日：2007-11-05
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01L27/101 , G11C13/0007 , G11C13/003 , G11C2213/15 , G11C2213/32 , G11C2213/34 , G11C2213/71 , G11C2213/72 , G11C2213/76 , G11C2213/77 , G11C2213/79 , H01L27/2409 , H01L27/2463 , H01L27/2481 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/145 , H01L45/146 , H01L45/1633
Abstract: 提供一种非易失性半导体存储器件，该非易失性半导体存储器件通过使施加时间无差异地施加正负极性任意的电压，能够对可变电阻元件进行稳定的高速转换动作。该非易失性半导体存储器件包括：2端子结构的可变电阻元件，其通过在两端施加满足规定条件的电压，由该两端的电流电压特性限定的电阻特性可在稳定地取得的低电阻状态和高电阻状态这2个电阻特性之间转移，该可变电阻元件具有当施加绝对值为第一阈值电压以上的第一极性电压时、从低电阻状态转移到高电阻状态，当施加绝对值为第二阈值电压以上的第二极性的电压时、从高电阻状态转移到低电阻状态的特性；串联连接到可变电阻元件的可调整负载电阻的负载电路；和可在串联电路的两端施加电压的电压产生电路；其中，在该非易失性半导体存储器件中，通过调整负载电路的电阻就能在可变电阻元件的状态之间转移。
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公开(公告)号：CN1263141C
公开(公告)日：2006-07-05
申请号：CN200410003978.X
申请日：2004-02-12
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L27/105 , G11C11/34
CPC classification number: H01L21/28273 , G11C16/0408 , H01L21/28282 , H01L29/7923
Abstract: 一种包括存储单元和放大器的半导体存储器件，此存储单元具有经由栅绝缘膜形成在半导体层上的栅电极、排列在栅电极下方的沟道区、排列在沟道区二侧上且导电类型与沟道区相反的扩散区、以及形成在栅电极二侧上且具有保持电荷的功能的存储功能单元，存储单元和放大器被彼此连接成使存储单元的输出被输入到放大器。
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公开(公告)号：CN101553924A
公开(公告)日：2009-10-07
申请号：CN200780045357.X
申请日：2007-11-05
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01L27/101 , G11C13/0007 , G11C13/003 , G11C2213/15 , G11C2213/32 , G11C2213/34 , G11C2213/71 , G11C2213/72 , G11C2213/76 , G11C2213/77 , G11C2213/79 , H01L27/2409 , H01L27/2463 , H01L27/2481 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/145 , H01L45/146 , H01L45/1633
Abstract: 提供一种非易失性半导体存储器件，该非易失性半导体存储器件通过使施加时间无差异地施加正负极性任意的电压，能够对可变电阻元件进行稳定的高速转换动作。该非易失性半导体存储器件包括：2端子结构的可变电阻元件，其通过在两端施加满足规定条件的电压，由该两端的电流电压特性限定的电阻特性可在稳定地取得的低电阻状态和高电阻状态这2个电阻特性之间转移，该可变电阻元件具有当施加绝对值为第一阈值电压以上的第一极性电压时、从低电阻状态转移到高电阻状态，当施加绝对值为第二阈值电压以上的第二极性的电压时、从高电阻状态转移到低电阻状态的特性；串联连接到可变电阻元件的可调整负载电阻的负载电路；和可在串联电路的两端施加电压的电压产生电路；其中，在该非易失性半导体存储器件中，通过调整负载电路的电阻就能在可变电阻元件的状态之间转移。
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公开(公告)号：CN1521852A
公开(公告)日：2004-08-18
申请号：CN200410003978.X
申请日：2004-02-12
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L27/105 , G11C11/34
CPC classification number: H01L21/28273 , G11C16/0408 , H01L21/28282 , H01L29/7923
Abstract: 一种包括存储单元和放大器的半导体存储器件，此存储单元具有经由栅绝缘膜形成在半导体层上的栅电极、排列在栅电极下方的沟道区、排列在沟道区二侧上且导电类型与沟道区相反的扩散区、以及形成在栅电极二侧上且具有保持电荷的功能的存储功能单元，存储单元和放大器被彼此连接成使存储单元的输出被输入到放大器。
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