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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104837768A
公开(公告)日：2015-08-12
申请号：CN201380064190.7
申请日：2013-10-15
Applicant: 宾夕法尼亚州研究基金会
CPC classification number: H01M4/134 , H01M4/0471 , H01M4/1395 , H01M4/386 , H01M4/625 , Y02E60/122
Abstract: 实施方案提供了通过煅烧将可商购的SiOx(0＜x＜2)转化为硅框架、接着蚀刻并且随后通过含有具有碳原子的有机分子的气体的热分解的碳填充来制备具有互连的纳米级Si和C构造单元的微米尺寸的Si-C复合材料或掺杂的Si-C和Si合金-C的方法。
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公开(公告)号：CN107093700B
公开(公告)日：2020-07-07
申请号：CN201710327932.0
申请日：2013-10-15
Applicant: 宾夕法尼亚州研究基金会
IPC: H01M4/04 , H01M4/134 , H01M4/38 , H01M4/62 , H01M4/1395
Abstract: 实施方案提供了通过煅烧将可商购的SiOx(0＜x＜2)转化为硅框架、接着蚀刻并且随后通过含有具有碳原子的有机分子的气体的热分解的碳填充来制备具有互连的纳米级Si和C构造单元的微米尺寸的Si‑C复合材料或掺杂的Si‑C和Si合金‑C的方法。
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公开(公告)号：CN104837768B
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201380064190.7
申请日：2013-10-15
Applicant: 宾夕法尼亚州研究基金会
CPC classification number: H01M4/134 , H01M4/0471 , H01M4/1395 , H01M4/386 , H01M4/625 , Y02E60/122
Abstract: 实施方案提供了通过煅烧将可商购的SiOx(0＜x＜2)转化为硅框架、接着蚀刻并且随后通过含有具有碳原子的有机分子的气体的热分解的碳填充来制备具有互连的纳米级Si和C构造单元的微米尺寸的Si‑C复合材料或掺杂的Si‑C和Si合金‑C的方法。
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公开(公告)号：CN107093700A
公开(公告)日：2017-08-25
申请号：CN201710327932.0
申请日：2013-10-15
Applicant: 宾夕法尼亚州研究基金会
IPC: H01M4/04 , H01M4/134 , H01M4/38 , H01M4/62 , H01M4/1395
Abstract: 实施方案提供了通过煅烧将可商购的SiOx(0＜x＜2)转化为硅框架、接着蚀刻并且随后通过含有具有碳原子的有机分子的气体的热分解的碳填充来制备具有互连的纳米级Si和C构造单元的微米尺寸的Si‑C复合材料或掺杂的Si‑C和Si合金‑C的方法。
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公开(公告)号：CN105377757A
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201480038835.4
申请日：2014-07-10
Applicant: 宾夕法尼亚州研究基金会
CPC classification number: B01J21/06 , B01J35/004 , B01J35/1019 , B01J35/1023 , B01J35/1042 , B01J35/1047 , B01J35/1061 , C01B33/033 , H01M4/386 , H01M4/622 , H01M4/623 , H01M8/0606 , H01M10/0525 , Y02E60/324 , Y02P70/56
Abstract: 我们提供了通过无模板和无HF的方法制备的中孔硅材料(PSi)。生产工艺是容易的和可扩展的，且它可以在温和反应条件下进行。可以直接通过用碱合金(例如NaK合金)还原硅卤化物前体(例如SiCl4)的产生硅。随后，退火所产生的Si盐基体用于孔隙形成和微晶生长。通过用水去除盐副产物获得最终产物。
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