公开(公告)号：CN105377757A

公开(公告)日：2016-03-02

申请号：CN201480038835.4

申请日：2014-07-10

Applicant: 宾夕法尼亚州研究基金会

Inventor： 王东海 ,  戴放 ,  衣冉 ,  宰建陶

IPC: C01B33/033 ,  C25B11/04 ,  C25B1/02 ,  H01J19/32 ,  H01M4/134 ,  C01B3/00

CPC classification number: B01J21/06 ,  B01J35/004 ,  B01J35/1019 ,  B01J35/1023 ,  B01J35/1042 ,  B01J35/1047 ,  B01J35/1061 ,  C01B33/033 ,  H01M4/386 ,  H01M4/622 ,  H01M4/623 ,  H01M8/0606 ,  H01M10/0525 ,  Y02E60/324 ,  Y02P70/56

Abstract: 我们提供了通过无模板和无HF的方法制备的中孔硅材料(PSi)。生产工艺是容易的和可扩展的，且它可以在温和反应条件下进行。可以直接通过用碱合金(例如NaK合金)还原硅卤化物前体(例如SiCl4)的产生硅。随后，退火所产生的Si盐基体用于孔隙形成和微晶生长。通过用水去除盐副产物获得最终产物。