公开(公告)号：CN102934211A

公开(公告)日：2013-02-13

申请号：CN201180026558.1

申请日：2011-06-03

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 井上刚一 ,  菅生悠树 ,  三隅贞仁 ,  松村健 ,  高本尚英

IPC: H01L21/52

CPC classification number: H01L23/295 ,  H01L21/6836 ,  H01L23/3121 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/85 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/27436 ,  H01L2224/29 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/29298 ,  H01L2224/32014 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83855 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/20103 ,  H01L2924/20104 ,  H01L2924/20105 ,  H01L2924/20106 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2224/78 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29199 ,  H01L2224/29299 ,  H01L2224/2929

Abstract: 本发明提供在通过热固型芯片接合薄膜将半导体芯片芯片接合到被粘物上时，可以防止通过填充材料对该半导体芯片施加局部的应力并由此减少半导体芯片的破损的热固型芯片接合薄膜以及具备该热固型芯片接合薄膜的切割/芯片接合薄膜。本发明的热固型芯片接合薄膜，含有胶粘剂组合物以及包含微粒的填充材料，其中，设所述热固型芯片接合薄膜的厚度为Y（μm）、设所述填充材料的最大粒径为X（μm）时，比率X/Y（-）为1以下。

公开(公告)号：CN102468185A

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN201110366976.7

申请日：2011-11-18

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 宇圆田大介 ,  松村健 ,  井上刚一 ,  盛田美希

IPC: H01L21/48 ,  H01L23/552 ,  H01L21/77

CPC classification number: H01L24/27 ,  C09J7/28 ,  C09J2203/326 ,  H01L21/6836 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/552 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/85 ,  H01L25/0657 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2221/68386 ,  H01L2224/27003 ,  H01L2224/271 ,  H01L2224/29 ,  H01L2224/29083 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29324 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29344 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/29355 ,  H01L2224/29386 ,  H01L2224/29393 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48225 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48245 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83091 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2224/85097 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06537 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01037 ,  H01L2924/01038 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01041 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01044 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01055 ,  H01L2924/01056 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01059 ,  H01L2924/01063 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01076 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01088 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/3025 ,  Y10T156/10 ,  Y10T428/2804 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0532 ,  H01L2924/05432 ,  H01L2924/05032 ,  H01L2924/0503 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29199 ,  H01L2224/29299

Abstract: 本发明涉及芯片接合薄膜、切割/芯片接合薄膜、芯片接合薄膜的制造方法以及具有芯片接合薄膜的半导体装置。本发明的课题在于提供可以在不降低生产率的情况下制造具有电磁波屏蔽层的半导体装置。一种芯片接合薄膜，其具有胶粘剂层和由金属箔构成的电磁波屏蔽层，或者一种芯片接合薄膜，其具有胶粘剂层和通过蒸镀形成的电磁波屏蔽层。

公开(公告)号：CN103081068B

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN201180042794.2

申请日：2011-08-29

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 天野康弘 ,  井上刚一

IPC: H01L21/301 ,  B32B7/06 ,  H01L21/52 ,  H01L21/683

CPC classification number: H01L21/6836 ,  C09J7/20 ,  C09J2201/622 ,  C09J2203/326 ,  H01L21/67132

Abstract: 本发明提供一种带有切割片的胶粘薄膜，将在切割薄膜上层叠有胶粘薄膜的带有切割片的胶粘薄膜以预定的间隔层叠在覆盖薄膜上而得到半导体装置用薄膜，将该半导体装置用薄膜卷绕为卷筒状时可以抑制在胶粘薄膜上产生转印痕迹。本发明的半导体装置用薄膜，在切割薄膜上层叠有胶粘薄膜的带有切割片的胶粘薄膜以预定的间隔层叠在覆盖薄膜上而得到，其特征在于，设覆盖薄膜的厚度为Ta、设切割薄膜的厚度为Tb时，Ta/Tb在0.07～2.5的范围内。

公开(公告)号：CN103996672A

公开(公告)日：2014-08-20

申请号：CN201410168418.3

申请日：2011-11-18

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 宇圆田大介 ,  松村健 ,  井上刚一 ,  盛田美希

IPC: H01L23/552

CPC classification number: H01L25/0657 ,  C09J7/28 ,  C09J2203/326 ,  H01L21/6836 ,  H01L23/552 ,  H01L24/16 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/27436 ,  H01L2224/29 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29324 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29344 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/29355 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06537 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01037 ,  H01L2924/01038 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01041 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01044 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01055 ,  H01L2924/01056 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01059 ,  H01L2924/01063 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01076 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01088 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/0133 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/3025 ,  Y10T428/28 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01026 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29199 ,  H01L2224/29299

Abstract: 本发明涉及半导体装置用胶粘薄膜以及半导体装置。本发明的课题在于减少从一个半导体芯片释放的电磁波对同一封装内的另一个半导体芯片、安装的衬底、相邻的器件、封装等产生的影响。一种半导体装置用胶粘薄膜，具有胶粘剂层和电磁波屏蔽层，其特征在于，透过所述半导体装置用胶粘薄膜的电磁波的衰减量，对于50MHz～20GHz范围的频域的至少一部分而言，为3dB以上。

公开(公告)号：CN103794530A

公开(公告)日：2014-05-14

申请号：CN201310499530.0

申请日：2013-10-22

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 菅生悠树 ,  村田修平 ,  大西谦司 ,  木村雄大 ,  柳雄一朗 ,  井上刚一

IPC: H01L21/67

CPC classification number: H01L2224/32225 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L21/6836 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及带隔片的切割/芯片接合薄膜。本发明提供容易从隔片上剥离切割/芯片接合薄膜的带隔片的切割/芯片接合薄膜。一种带隔片的切割/芯片接合薄膜，其通过将隔片、在俯视时的外周部具有向外侧凸出的伸出片的芯片接合薄膜以及切割薄膜以该顺序层叠而得到。

公开(公告)号：CN102683244A

公开(公告)日：2012-09-19

申请号：CN201210061805.8

申请日：2012-03-09

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 井上刚一 ,  盛田美希 ,  宍户雄一郎

IPC: H01L21/67

CPC classification number: H01L21/56 ,  C09J2203/326 ,  H01L21/67132 ,  H01L21/6836 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/85 ,  H01L24/92 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2224/83906 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/9205 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13599 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05099 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29599 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明提供芯片接合薄膜位于切割薄膜的中心的半导体装置用薄膜的制造方法。一种半导体装置用薄膜的制造方法，所述半导体装置用薄膜通过切割薄膜、芯片接合薄膜和保护薄膜以该顺序层叠而得到，其包括：照射波长400～800nm的光线，基于所得到的光线透射率检测芯片接合薄膜的位置的工序，和基于检测到的芯片接合薄膜的位置，对所述切割薄膜进行冲裁的工序；设切割薄膜和保护薄膜的层叠部分的光线透射率为T1、设切割薄膜与芯片接合薄膜和保护薄膜的层叠部分的光线透射率为T2时，T2/T1为0.04以上。

公开(公告)号：CN102029655A

公开(公告)日：2011-04-27

申请号：CN201010297302.1

申请日：2010-09-28

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 天野康弘 ,  宍户雄一郎 ,  井上刚一

IPC: B28D5/00 ,  H01L21/00 ,  H01L21/68

CPC classification number: H01L21/67132 ,  Y10T428/14

Abstract: 本发明提供一种半导体装置用薄膜及使用该半导体装置用薄膜而得到的半导体装置，所述半导体装置用薄膜即使在低温状态下输送或长时间保存后，也可以防止各薄膜间的界面剥离或薄膜翘起现象、以及胶粘薄膜向覆盖薄膜的转印。一种半导体装置用薄膜，在切割薄膜上依次层叠有胶粘薄膜和覆盖薄膜，其中，在温度23±2℃、剥离速度300mm/分钟的条件下的T形剥离试验中，所述胶粘薄膜与所述覆盖薄膜之间的剥离力F1在0.025～0.075N/100mm的范围内，所述胶粘薄膜与所述切割薄膜之间的剥离力F2在0.08～10N/100mm的范围内，并且所述F1与所述F2满足F1＜F2的关系。

公开(公告)号：CN102569263B

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201110370054.3

申请日：2011-11-18

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 宇圆田大介 ,  松村健 ,  井上刚一 ,  盛田美希

IPC: H01L23/552

CPC classification number: H01L25/0657 ,  C09J7/28 ,  C09J2203/326 ,  H01L21/6836 ,  H01L23/552 ,  H01L24/16 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/27436 ,  H01L2224/29 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29324 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29344 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/29355 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06537 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01037 ,  H01L2924/01038 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01041 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01044 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01055 ,  H01L2924/01056 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01059 ,  H01L2924/01063 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01076 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01088 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/0133 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/3025 ,  Y10T428/28 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01026 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29199 ,  H01L2224/29299

Abstract: 本发明涉及半导体装置用胶粘薄膜以及半导体装置。本发明的课题在于减少从一个半导体芯片释放的电磁波对同一封装内的另一个半导体芯片、安装的衬底、相邻的器件、封装等产生的影响。一种半导体装置用胶粘薄膜，具有胶粘剂层和电磁波屏蔽层，其特征在于，透过所述半导体装置用胶粘薄膜的电磁波的衰减量，对于50MHz～20GHz范围的频域的至少一部分而言，为3dB以上。

公开(公告)号：CN102222633B

公开(公告)日：2014-07-09

申请号：CN201110096944.X

申请日：2011-04-15

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 菅生悠树 ,  田中俊平 ,  井上刚一

IPC: H01L21/68 ,  H01L21/78 ,  C09J7/02

CPC classification number: H01L24/83 ,  B23K26/364 ,  B23K26/40 ,  B23K2103/50 ,  B28D5/0011 ,  H01L21/6836 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L2221/68336 ,  H01L2221/68359 ,  H01L2224/27436 ,  H01L2224/29 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29386 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83855 ,  H01L2224/85207 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01011 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01016 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01052 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/0106 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/20103 ,  H01L2924/20104 ,  H01L2924/20105 ,  H01L2924/20106 ,  H01L2924/3025 ,  Y10T428/28 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/0532 ,  H01L2924/05432 ,  H01L2924/05032 ,  H01L2924/0503 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29199 ,  H01L2224/29299

Abstract: 本发明提供通过拉伸张力芯片接合薄膜恰当地断裂的热固型芯片接合薄膜。一种热固型芯片接合薄膜，用于以下方法：对半导体晶片照射激光形成改性区域后，通过用改性区域将半导体晶片断裂而由半导体晶片得到半导体元件的方法；或者在半导体晶片的表面形成未到达背面的沟后，进行半导体晶片的背面磨削，通过从背面露出沟而由半导体晶片得到半导体元件的方法，所述热固型芯片接合薄膜的特征在于，热固化前25℃下的断裂伸长率大于40％且不超过500％。本发明还提供切割/芯片接合薄膜及半导体装置的制造方法。

公开(公告)号：CN103081068A

公开(公告)日：2013-05-01

申请号：CN201180042794.2

申请日：2011-08-29

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 天野康弘 ,  井上刚一

IPC: H01L21/301 ,  B32B7/06 ,  H01L21/52 ,  H01L21/683

CPC classification number: H01L21/6836 ,  C09J7/20 ,  C09J2201/622 ,  C09J2203/326 ,  H01L21/67132

Abstract: 本发明提供一种带有切割片的胶粘薄膜，将在切割薄膜上层叠有胶粘薄膜的带有切割片的胶粘薄膜以预定的间隔层叠在覆盖薄膜上而得到半导体装置用薄膜，将该半导体装置用薄膜卷绕为卷筒状时可以抑制在胶粘薄膜上产生转印痕迹。本发明的半导体装置用薄膜，在切割薄膜上层叠有胶粘薄膜的带有切割片的胶粘薄膜以预定的间隔层叠在覆盖薄膜上而得到，其特征在于，设覆盖薄膜的厚度为Ta、设切割薄膜的厚度为Tb时，Ta/Tb在0.07～2.5的范围内。