公开(公告)号：CN102985585A

公开(公告)日：2013-03-20

申请号：CN201180033556.5

申请日：2011-07-06

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 山崎由佳 ,  梨木智刚 ,  菅原英男 ,  待永广宣 ,  佐佐木惠梨

IPC: C23C14/08 ,  B32B9/00 ,  C23C14/58 ,  H01B13/00

CPC classification number: H01B5/14 ,  C08J7/045 ,  C08J7/08 ,  C08J2323/06 ,  C08J2483/04 ,  C23C14/086 ,  C23C14/562 ,  C23C14/5806

Abstract: 本发明的目的在于，制造在透明薄膜基材上形成有结晶的铟系复合氧化物膜的长条状的透明导电性薄膜。本发明的制造方法具有：非晶层叠体形成工序，其中，通过溅射法在所述长条状透明薄膜基材上形成含有铟和四价金属的铟系复合氧化物的非晶膜；以及结晶化工序，其中，形成有所述非晶膜的长条状透明薄膜基材被连续地输送至170℃～220℃的加热炉内，所述非晶膜被结晶化。前述结晶化工序中的加热炉内的温度优选为170℃～220℃。另外，前述结晶化工序中的薄膜长度的变化率优选为+2.5%以下。

公开(公告)号：CN102985585B

公开(公告)日：2015-09-30

申请号：CN201180033556.5

申请日：2011-07-06

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 山崎由佳 ,  梨木智刚 ,  菅原英男 ,  待永广宣 ,  佐佐木惠梨

IPC: C23C14/08 ,  B32B9/00 ,  C23C14/58 ,  H01B13/00

CPC classification number: H01B5/14 ,  C08J7/045 ,  C08J7/08 ,  C08J2323/06 ,  C08J2483/04 ,  C23C14/086 ,  C23C14/562 ,  C23C14/5806

Abstract: 本发明的目的在于，制造在透明薄膜基材上形成有结晶的铟系复合氧化物膜的长条状的透明导电性薄膜。本发明的制造方法具有：非晶层叠体形成工序，其中，通过溅射法在所述长条状透明薄膜基材上形成含有铟和四价金属的铟系复合氧化物的非晶膜；以及结晶化工序，其中，形成有所述非晶膜的长条状透明薄膜基材被连续地输送至170℃~220℃的加热炉内，所述非晶膜被结晶化。前述结晶化工序中的加热炉内的温度优选为170℃~220℃。另外，前述结晶化工序中的薄膜长度的变化率优选为+2.5%以下。