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公开(公告)号:CN202502768U
公开(公告)日:2012-10-24
申请号:CN201120411581.X
申请日:2011-10-25
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: G06F3/044 , G06F3/045 , G06F2203/04103 , Y10T428/24802 , Y10T428/24868 , Y10T428/2495
Abstract: 本实用新型提供透明导电性薄膜及触摸面板,所述透明导电性薄膜在将透明导电层图案化了的情况下也可以将图案部P和图案开口部O的可视性差异抑制在较小的程度。所述透明导电性薄膜在透明薄膜基材1上依次具备第1电介质层21、第2电介质层22、及透明导电层3,第1电介质层的厚度d21比第2电介质层的厚度d22大,第1电介质层的厚度d21为8~40nm,第2电介质层的厚度d22为3~25nm,第1电介质层的厚度d21与第2电介质层的厚度d22之差d21-d22为3~30nm。
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公开(公告)号:CN111103637B
公开(公告)日:2023-08-25
申请号:CN201911019135.1
申请日:2019-10-24
Applicant: 日东电工株式会社
Abstract: 本发明提供一种在宽频带中具有优异的反射特性(低反射性)且着色被抑制的防反射薄膜。本发明的防反射薄膜依次具有:透明基材、从该透明基材起的依次的密合层、第一Nb2O5层、第一SiO2层、第二Nb2O5层、第二SiO2层和防污层,第一Nb2O5层的光学膜厚为28nm~33nm,第一SiO2层的光学膜厚为43nm~57nm,第二Nb2O5层的光学膜厚为264nm~288nm,第二SiO2层的光学膜厚为113nm~129nm。
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公开(公告)号:CN116097130A
公开(公告)日:2023-05-09
申请号:CN202180052098.3
申请日:2021-11-10
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: G02B1/115
Abstract: 本发明涉及图像显示面板,其依次设置有具有防反射层的第1透明保护膜、偏振膜、及图像显示单元,上述图像显示面板任选具有与构成上述偏振膜的偏光膜相邻的层,上述偏光膜的厚度为20μm以下,上述具有防反射层的第1透明保护膜的透湿度为50g/(m2·24h)以下,上述偏光膜和/或上述与偏光膜相邻的层包含水溶性的自由基捕获剂。该图像显示面板在高温环境中及湿热环境中的耐久性优异。
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公开(公告)号:CN110954975B
公开(公告)日:2023-04-07
申请号:CN201910912523.6
申请日:2019-09-25
Applicant: 日东电工株式会社
Abstract: 本发明提供带保护薄膜的光学薄膜。带保护薄膜的光学薄膜(100)包含:光学薄膜(10),其在最表面具有防污层(4);以及表面保护薄膜(70),其临时附着于光学薄膜的防污层。防污层的水接触角为100°以上。保护薄膜在薄膜基材(7)上具备粘合剂层(8)。光学薄膜的防污层与表面保护薄膜的粘合剂层的粘接力不足0.07N/50mm。粘合剂层的厚度优选为16μm以上。
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公开(公告)号:CN109313963B
公开(公告)日:2022-10-25
申请号:CN201780035711.4
申请日:2017-06-02
Applicant: 日东电工株式会社
Abstract: 提供具有优异的耐湿热性的透明导电性薄膜及具备该透明导电性薄膜的触摸面板。一种透明导电性薄膜,其在透明树脂薄膜上依次具有固化树脂层、透明导电膜,前述固化树脂层的厚度为100nm以下,前述透明导电膜进行了图案化,在温度85℃、湿度85%的气氛下放置240小时前后的前述透明导电膜的表面电阻值的变化率为1.5以下。
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公开(公告)号:CN110637343B
公开(公告)日:2021-04-27
申请号:CN201880030426.8
申请日:2018-04-25
Applicant: 日东电工株式会社
Abstract: 带透光性导电层的薄膜具备薄膜基材和透光性导电层。透光性导电层、及将透光性导电层在80℃下加热500小时后的被加热透光性导电层均为非晶质。将透光性导电层的载流子密度设定为Xa×1019(/cm3)、霍尔迁移率设定为Ya(cm2/V·s),将被加热透光性导电层的载流子密度设定为Xc×1019(/cm3)、霍尔迁移率设定为Yc(cm2/V·s)时,满足下述式(1)和式(2)这两者。0.5≤(Xc/Xa)×(Yc/Ya)≤1.5(1)Yc>Ya(2)。
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