-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114761876A
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN202080083998.X
申请日：2020-11-26
Applicant: 日产化学株式会社
Abstract: 作为能够减少来源于低聚物等低分子量成分的升华物的生成量的用于形成抗蚀剂下层膜的组合物，例如，提供一种用于形成抗蚀剂下层膜的组合物，其包含具有由下述式(1‑1)所表示的重复单元的聚合物和有机溶剂，且上述聚合物中的重均分子量为1000以下的低分子量成分的含量为10质量％以下。
-
公开(公告)号：CN113646352B
公开(公告)日：2025-01-17
申请号：CN202080027542.1
申请日：2020-04-09
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: C08G59/14 , C08G59/26 , G03F7/11 , H01L21/027
Abstract: 本发明提供下述保护膜形成用组合物和使用该组合物而制造的保护膜、带有抗蚀剂图案的基板和半导体装置的制造方法，上述保护膜形成用组合物具有在半导体基板加工时对湿蚀刻液的良好的掩模(保护)功能、高干蚀刻速度，进一步对高低差基板也被覆性良好，埋入后的膜厚差小，能够形成平坦的膜。一种针对半导体用湿蚀刻液的保护膜形成用组合物，其中，二环氧化合物(B)与2官能以上的产质子化合物(C)的反应生成物(P)包含下述式(1)：(在式(1)中，Ar表示碳原子数6～40的芳基，n表示2～10的整数，‑Y‑表示‑OCO‑、‑O‑或‑S‑，＊表示与上述反应生成物(P)分子末端的结合部分)所示的结构，上述保护膜形成用组合物还包含有机溶剂(S)。＊‑Y‑Ar‑(OH)n (1)
-
公开(公告)号：CN114746468B
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202080084090.0
申请日：2020-11-26
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: C08G59/18 , C08G73/06 , G03F7/11 , C08G63/685 , C08G63/688
Abstract: 本发明提供聚合物的制造方法，其包括：第一工序，其中，使包含嘧啶三酮结构、咪唑烷二酮结构或三嗪三酮结构的单体在有机溶剂中、季鏻盐或季铵盐的存在下反应而合成粗聚合物；和第二工序，其中，将上述第一工序中得到的含有粗聚合物的溶液与不良溶剂混合，使精制聚合物沉淀，滤离。
-
公开(公告)号：CN114746468A
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202080084090.0
申请日：2020-11-26
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: C08G59/18 , C08G73/06 , G03F7/11 , C08G63/685 , C08G63/688
Abstract: 本发明提供聚合物的制造方法，其包括：第一工序，其中，使包含嘧啶三酮结构、咪唑烷二酮结构或三嗪三酮结构的单体在有机溶剂中、季鏻盐或季铵盐的存在下反应而合成粗聚合物；和第二工序，其中，将上述第一工序中得到的含有粗聚合物的溶液与不良溶剂混合，使精制聚合物沉淀，滤离。
-
公开(公告)号：CN113646352A
公开(公告)日：2021-11-12
申请号：CN202080027542.1
申请日：2020-04-09
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: C08G59/14 , C08G59/26 , G03F7/11 , H01L21/027
Abstract: 本发明提供下述保护膜形成用组合物和使用该组合物而制造的保护膜、带有抗蚀剂图案的基板和半导体装置的制造方法，上述保护膜形成用组合物具有在半导体基板加工时对湿蚀刻液的良好的掩模(保护)功能、高干蚀刻速度，进一步对高低差基板也被覆性良好，埋入后的膜厚差小，能够形成平坦的膜。一种针对半导体用湿蚀刻液的保护膜形成用组合物，其中，二环氧化合物(B)与2官能以上的产质子化合物(C)的反应生成物(P)包含下述式(1)：(在式(1)中，Ar表示碳原子数6～40的芳基，n表示2～10的整数，‑Y‑表示‑OCO‑、‑O‑或‑S‑，＊表示与上述反应生成物(P)分子末端的结合部分)所示的结构，上述保护膜形成用组合物还包含有机溶剂(S)。＊‑Y‑Ar‑(OH)n(1)。
-
-
-
-
Search Results
5
records
(took 0.044 seconds)
