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公开(公告)号：CN111316401B
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN201880069448.5
申请日：2018-10-30
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: H01L21/304 , B32B7/023 , B32B7/06 , B32B27/00 , H01L21/02 , H01L21/683
Abstract: 本发明是在支持体与被加工物之间具有以能够剥离的方式粘接的中间层、用于通过切断等分离被加工物、或是用于进行晶片的背面研磨等加工的层叠体，该中间层至少含有与支持体侧接触的剥离层，剥离层含有能够吸收隔着支持体照射的190nm～600nm的光而改性的酚醛清漆树脂，本发明提供可以不进行机械加工就可以进行分离的材料和方法。本发明是支持体与晶片的电路面之间具有以能够剥离的方式粘接的中间层的用于晶片背面研磨的层叠体，该中间层含有与晶片一侧接触的粘接层和与支持体侧接触的剥离层，剥离层能够吸收隔着支持体照射的190nm～600nm的光而改性的酚醛清漆树脂。剥离层的透光率在190nm～600nm的范围为1～90％。光吸收改性是酚醛清漆树脂的光分解。
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公开(公告)号：CN110573588A
公开(公告)日：2019-12-13
申请号：CN201880027934.0
申请日：2018-05-23
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: C09J183/06 , C09J183/05 , C09J183/07 , H01L21/02
Abstract: 本发明的课题是提供对晶片的电路面、支持体的旋转涂布性优异，在与粘接层的接合时、晶片背面的加工时的耐热性优异，在晶片背面的研磨后能够容易地剥离，剥离后附着于晶片、支持体的粘接剂能够简单除去的临时粘接剂及其叠层体、使用了其的加工方法。解决手段是一种粘接剂，是用于在将支持体与晶片的电路面之间以能够剥离地的方式粘接并对晶片的背面进行加工的粘接剂，上述粘接剂包含成分(A)和成分(B)，上述成分(A)通过氢化硅烷化反应而固化，上述成分(B)包含环氧改性聚有机硅氧烷，成分(A)与成分(B)的比例以质量％计为99.995：0.005～30：70。成分(B)是环氧值为0.1～5的范围的环氧改性聚有机硅氧烷。一种叠层体的形成方法，其包含下述工序：在第一基体的表面涂布粘接剂而形成粘接层的第1工序；将第二基体与该粘接层接合的第2工序；从第一基体侧加热而使该粘接层固化的第3工序。
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公开(公告)号：CN118922464A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202380028626.0
申请日：2023-03-09
Applicant: 日产化学株式会社
Inventor： 上林哲
IPC: C08G59/20 , G03F7/11 , G03F7/26 , G03F7/40 , H01L21/027 , H01L21/306 , H01L21/312
Abstract: 具有下述式(1)所示的部分结构、下述式(2)所示的部分结构和下述式(3)所示的部分结构的聚合物。(在式(2)中，Q1表示具有芳香族烃环或脂肪族烃环的2价有机基。在式(3)中，R11表示碳原子数1～10的亚烷基。)#imgabs0#
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公开(公告)号：CN118830065A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202380025248.0
申请日：2023-02-21
Applicant: 日产化学株式会社
Inventor： 上林哲
IPC: H01L21/312 , G03F7/09 , G03F7/11 , G03F7/40 , H01L21/308
Abstract: 一种前处理用组合物，是在使用保护膜形成用组合物在半导体基板上形成保护膜前，涂布在上述半导体基板上的前处理用组合物，其含有选自具有芳香族环和芳香族性羟基的化合物、有机还原剂、和螯合剂中的至少1种化合物(A)、以及溶剂(B)。
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公开(公告)号：CN115398343A
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN202180026798.5
申请日：2021-03-30
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: G03F7/11 , G03F7/26 , H01L21/027
Abstract: 提供保存稳定性高、膜的固化开始温度低、升华物的产生量少、可以形成不溶出于光致抗蚀剂溶剂的膜的抗蚀剂下层膜形成用组合物、使用了该抗蚀剂下层膜形成用组合物的抗蚀剂图案形成法、和半导体装置的制造方法。包含能够交联的树脂、交联剂、下述式(I)所示的交联催化剂、和溶剂的抗蚀剂下层膜形成用组合物。(A‑SO3)‑(BH)+[式中，A为可以被取代的直链、支链、或环状的饱和或不饱和的脂肪族烃基、可以被除羟基以外的基团取代的芳基、或可以被取代的杂芳基，B为具有6.5～9.5的pKa的碱。](A‑SO3)‑(BH)+ (I)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114746468A
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202080084090.0
申请日：2020-11-26
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: C08G59/18 , C08G73/06 , G03F7/11 , C08G63/685 , C08G63/688
Abstract: 本发明提供聚合物的制造方法，其包括：第一工序，其中，使包含嘧啶三酮结构、咪唑烷二酮结构或三嗪三酮结构的单体在有机溶剂中、季鏻盐或季铵盐的存在下反应而合成粗聚合物；和第二工序，其中，将上述第一工序中得到的含有粗聚合物的溶液与不良溶剂混合，使精制聚合物沉淀，滤离。
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公开(公告)号：CN118633059A
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202380019167.X
申请日：2023-01-26
Applicant: 日产化学株式会社
Inventor： 上林哲
IPC: G03F7/11 , H01L21/027 , H01L21/308
Abstract: 一种保护膜形成用组合物，其用于形成保护在表面形成有无机膜的半导体基板的上述无机膜不受湿蚀刻影响的保护膜，所述保护膜形成用组合物包含具有下述式(A)所示的部分结构的聚合物、和溶剂。(在式(A)中，R1表示(n+2)价有机基。R2表示氢原子，或表示可以被取代基取代的碳原子数1～13的烷基。n表示1或2。＊表示结合键。)#imgabs0#
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公开(公告)号：CN118507421A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202410586917.8
申请日：2018-10-30
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: H01L21/683 , C09J161/06 , C09J183/04 , C09J183/07
Abstract: 本发明是在支持体与被加工物之间具有以能够剥离的方式粘接的中间层、用于通过切断等分离被加工物、或是用于进行晶片的背面研磨等加工的层叠体，该中间层至少含有与支持体侧接触的剥离层，剥离层含有能够吸收隔着支持体照射的190nm～600nm的光而改性的酚醛清漆树脂，本发明提供可以不进行机械加工就可以进行分离的材料和方法。本发明是支持体与晶片的电路面之间具有以能够剥离的方式粘接的中间层的用于晶片背面研磨的层叠体，该中间层含有与晶片一侧接触的粘接层和与支持体侧接触的剥离层，剥离层能够吸收隔着支持体照射的190nm～600nm的光而改性的酚醛清漆树脂。剥离层的透光率在190nm～600nm的范围为1～90％。光吸收改性是酚醛清漆树脂的光分解。
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公开(公告)号：CN114424121A
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202080065831.0
申请日：2020-10-09
Applicant: 日产化学株式会社
Abstract: 本发明提供具有特别高的干蚀刻速度的抗蚀剂下层膜、该抗蚀剂下层膜形成用组合物、抗蚀剂图案形成方法和半导体装置的制造方法。一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含：含有环氧基的化合物、与包含1个与环氧基具有反应性的部位的杂环化合物的反应生成物；以及溶剂。优选上述杂环化合物所包含的杂环选自呋喃、吡咯、吡喃、咪唑、吡唑、唑、噻吩、噻唑、噻二唑、咪唑烷、噻唑烷、咪唑啉、二烷、吗啉、二嗪、噻嗪、三唑、四唑、二氧戊环、哒嗪、嘧啶、吡嗪、哌啶、哌嗪、吲哚、嘌呤、喹啉、异喹啉、奎宁环、色烯、噻蒽、吩噻嗪、吩嗪、呫吨、吖啶、吩嗪和咔唑。
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