公开(公告)号：CN1334437A

公开(公告)日：2002-02-06

申请号：CN01124326.0

申请日：2001-06-29

Applicant: 株式会社三丰

Inventor： 宫田俊治 ,  冈本雅美

IPC: G01B7/00

CPC classification number: G01D5/2086

Abstract: 本发明提供了一种感应电流位置传感器,其相对于距离变量有提高的信号强度和寿命。这能通过防止磁通量有害扩散以减少磁通泄露引起的损失、以及在磁场发生器和磁通量传感器之间形成有效的闭合磁路来实现。一种高渗透物质(33)设置在读头(220)上的第一元件以及标尺(210)的目标磁路上。这种设置能抑制传统线圈结构因磁通量扩散而导致的磁通泄露引起的损失,提高了磁通量的信号强度,减少了来自外部磁场的影响。

公开(公告)号：CN1196911C

公开(公告)日：2005-04-13

申请号：CN01111659.5

申请日：2001-03-13

Applicant: 株式会社三丰

Inventor： 宫田俊治 ,  林伸行 ,  佐佐木康二 ,  桐山哲郎

IPC: G01B7/04 ,  G01B7/02 ,  G01B3/24

CPC classification number: G01D5/2053

Abstract: 本发明提供了一种感应式转换器，形成为具有多层结构的基底(162)。基底(162)具有包括六层的多层结构，第一层(162a)到第六层(162f)。激励线圈形成在第一层(162a)。检测线圈形成在第二层(162b)和第三层(162c)。布线层形成在第五层(162e)，由芯层(161)与标尺处于相对侧。信号处理集成电路(166)形成在第六层(162f)。将来自激励线圈的磁通量隔离的磁屏蔽层形成在激励线圈和信号处理集成电路(166)之间的第四层(162d)。

公开(公告)号：CN1173150C

公开(公告)日：2004-10-27

申请号：CN01124326.0

申请日：2001-06-29

Applicant: 株式会社三丰

Inventor： 宫田俊治 ,  冈本雅美

IPC: G01B7/00

CPC classification number: G01D5/2086

Abstract: 本发明提供了一种感应电流位置传感器，其相对于距离变量有提高的信号强度和寿命。这能通过防止磁通量有害扩散以减少磁通泄露引起的损失、以及在磁场发生器和磁通量传感器之间形成有效的闭合磁路来实现。一种高渗透物质(33)设置在读头(220)上的第一元件以及标尺(210)的目标磁路上。这种设置能抑制传统线圈结构因磁通量扩散而导致的磁通泄露引起的损失，提高了磁通量的信号强度，减少了来自外部磁场的影响。

公开(公告)号：CN1313501A

公开(公告)日：2001-09-19

申请号：CN01111659.5

申请日：2001-03-13

Applicant: 株式会社三丰

Inventor： 宫田俊治 ,  林伸行 ,  佐佐木康二 ,  桐山哲郎

IPC: G01B7/04 ,  G01B3/24

CPC classification number: G01D5/2053

Abstract: 本发明提供了一种感应式转换器,形成为具有多层结构的基底162。基底162具有包括六层的多层结构,第一层162a到第六层162f。激励线圈形成在第一层162a。检测线圈形成在第二层162b和第三层162c。布线层形成在第五层162e,由芯层161与标尺处于相对侧。信号处理集成电路166形成在第六层162f。将来自激励线圈的磁通量隔离的磁屏蔽层形成在激励线圈和信号处理集成电路166之间的第四层162d。