公开(公告)号：CN1334437A

公开(公告)日：2002-02-06

申请号：CN01124326.0

申请日：2001-06-29

Applicant: 株式会社三丰

Inventor： 宫田俊治 ,  冈本雅美

IPC: G01B7/00

CPC classification number: G01D5/2086

Abstract: 本发明提供了一种感应电流位置传感器,其相对于距离变量有提高的信号强度和寿命。这能通过防止磁通量有害扩散以减少磁通泄露引起的损失、以及在磁场发生器和磁通量传感器之间形成有效的闭合磁路来实现。一种高渗透物质(33)设置在读头(220)上的第一元件以及标尺(210)的目标磁路上。这种设置能抑制传统线圈结构因磁通量扩散而导致的磁通泄露引起的损失,提高了磁通量的信号强度,减少了来自外部磁场的影响。

公开(公告)号：CN1173150C

公开(公告)日：2004-10-27

申请号：CN01124326.0

申请日：2001-06-29

Applicant: 株式会社三丰

Inventor： 宫田俊治 ,  冈本雅美

IPC: G01B7/00

CPC classification number: G01D5/2086

Abstract: 本发明提供了一种感应电流位置传感器，其相对于距离变量有提高的信号强度和寿命。这能通过防止磁通量有害扩散以减少磁通泄露引起的损失、以及在磁场发生器和磁通量传感器之间形成有效的闭合磁路来实现。一种高渗透物质(33)设置在读头(220)上的第一元件以及标尺(210)的目标磁路上。这种设置能抑制传统线圈结构因磁通量扩散而导致的磁通泄露引起的损失，提高了磁通量的信号强度，减少了来自外部磁场的影响。