公开(公告)号：CN100477247C

公开(公告)日：2009-04-08

申请号：CN200410101997.6

申请日：1995-06-01

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 竹村保彦 ,  滨谷敏次 ,  小沼利光 ,  小山润 ,  河崎祐司 ,  张宏勇 ,  山崎舜平

IPC: H01L27/15 ,  H01L29/786 ,  G02F1/136 ,  G09G3/36 ,  G09F9/30

CPC classification number: H01L27/12 ,  G02F1/13624 ,  G02F2001/13685 ,  G09G3/3648 ,  G09G2300/0809 ,  G09G2300/0819 ,  G09G2300/0842 ,  G09G2300/0852 ,  G09G2320/0214 ,  H01L27/124 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78645 ,  H01L29/78696

Abstract: 根据本发明，提供了一种有源矩阵显示器，包括：一个表面绝缘的衬底；在所述绝缘表面上形成的一个半导体层，所述半导体层包括至少第一和第二沟道、在所述第一和第二沟道之间的第一掺杂区、和一对第二掺杂区，其中所述沟道位于所述第二掺杂区之间；形成在所述半导体层上的第一绝缘层；形成在所述绝缘层上的一个栅线，其中所述栅线在所述沟道之上延伸；形成在所述栅线之上的第二绝缘层；形成在所述第二绝缘层之上的一个源线，其中所述源线电连接到所述第二掺杂区中的一个上；形成在所述源线之上的第三绝缘层；和形成在所述第三绝缘层之上的一个像素电极，它电连接到所述第二掺杂区的另一个上；其中所述第一和第二沟道中的一个被所述源线覆盖，而另一个不被所述源线覆盖。

公开(公告)号：CN100444407C

公开(公告)日：2008-12-17

申请号：CN200510067218.X

申请日：1997-01-20

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  寺本聪 ,  小山润 ,  尾形靖 ,  早川昌彦 ,  纳光明 ,  大谷久 ,  滨谷敏次

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/136

CPC classification number: H01L21/02672 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/2022 ,  H01L21/3226 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1203 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78675

Abstract: 本发明目的是获得具有良好的特性的薄膜晶体管。使镍元素与非晶质膜203的特定的区域205保持选择性地接连。采用施行加热处理的办法使之结晶化，再在含卤族元素的氧化性气氛中施行加热处理的办法形成热氧化膜。这时进行结晶性的改善和镍元素的吸杂。这种结晶性硅膜将变成具有从多点放射状地进行了结晶生长的那样的构造。于是可得到具有良好的特性的TFT。

公开(公告)号：CN1933099A

公开(公告)日：2007-03-21

申请号：CN200610101850.6

申请日：1995-07-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 寺本聪 ,  大谷久 ,  宫永昭治 ,  滨谷敏次 ,  山崎舜平

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/20 ,  H01L21/67

Abstract: 一种激光处理设备提供一加热腔，一用于激光照射的腔以及一机器人臂，其中在其上形成用激光照射的硅膜的基片的温度在加热腔中被加热到450－750℃，接着用激光照射该硅膜，结果能得到具有单晶或能够被认为是单晶的硅膜。

公开(公告)号：CN1901205A

公开(公告)日：2007-01-24

申请号：CN200610101628.6

申请日：1997-01-20

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  寺本聪 ,  小山润 ,  尾形靖 ,  早川昌彦 ,  纳光明 ,  大谷久 ,  滨谷敏次

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/02672 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/2022 ,  H01L21/3226 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1203 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78675

Abstract: 本发明的目的是要得到具有良好的特性的薄膜晶体管。使非晶硅膜203的特定的区域205保持有选择地与镍元素相接。然后通过加热处理，进行用207示出的那种朝向与基板平行的方向的结晶生长。再通过在含有卤族元素的氧化性气氛中的加热处理，形成热氧化膜209。此时，进行结晶性的改善、镍元素的吸杂。然后使上述结晶生长方向与源/漏区的联结方向一致来制造薄膜晶体管。通过这样做，可得到迁移率为200(cm2/Vs)以上，S值为100(mV/dec)以下的那种具有良好特性的TFT。

公开(公告)号：CN1485892A

公开(公告)日：2004-03-31

申请号：CN01103022.4

申请日：1995-07-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 寺本聪 ,  大谷久 ,  宫永昭治 ,  滨谷敏次 ,  山崎舜平

IPC: H01L21/324

CPC classification number: H01L21/02675 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02672 ,  H01L21/2026 ,  H01L21/67167 ,  H01L21/67207 ,  H01L21/67213 ,  H01L21/67225 ,  H01L21/67236

Abstract: 一种激光处理设备提供一加热腔，一用于激光照射的腔以及一机器人臂，其中在其上形成用激光照射的硅膜的基片的温度在加热腔中被加热到450－750℃，接着用激光照射该硅膜，结果能得到具有单晶或能够被认为是单晶的硅膜。

公开(公告)号：CN1115713C

公开(公告)日：2003-07-23

申请号：CN95115832.5

申请日：1995-07-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 寺本聪 ,  大谷久 ,  宫永昭治 ,  滨谷敏次 ,  山崎舜平

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L21/02675 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02672 ,  H01L21/2026 ,  H01L21/67167 ,  H01L21/67207 ,  H01L21/67213 ,  H01L21/67225 ,  H01L21/67236

Abstract: 一种激光处理设备提供一加热腔，一用于激光照射的腔以及一机器人臂，其中在其上形成用激光照射的硅膜的基片的温度在加热腔中被加热到450-750℃，接着用激光照射该硅膜，结果能得到具有单晶或能够被认为是单晶的硅膜。

公开(公告)号：CN1287387A

公开(公告)日：2001-03-14

申请号：CN00103638.6

申请日：1995-06-01

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 竹村保彦 ,  滨谷敏次 ,  小沼利光 ,  小山润 ,  河崎祐司 ,  张宏勇 ,  山崎舜平

IPC: H01L31/12 ,  H01L27/15 ,  G09F9/30 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L27/12 ,  G02F1/13624 ,  G02F2001/13685 ,  G09G3/3648 ,  G09G2300/0809 ,  G09G2300/0819 ,  G09G2300/0842 ,  G09G2300/0852 ,  G09G2320/0214 ,  H01L27/124 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78645 ,  H01L29/78696

Abstract: 一种减小有源矩阵显示器的截止电流的结构。在有源矩阵显示器中,多个TFT与每一个象素电极串联连接。在这些串联的TFT中,除了位于相对两端的TFT以外,至少要将一个TFT保持在导通状态。另外,至少要将一个电容器连接在串联连接的每个TFT的源极和漏极的结合部与交流接地点之间。于是,减小了在TFT截止期间从附加电容器释放的电荷量。

公开(公告)号：CN1169589A

公开(公告)日：1998-01-07

申请号：CN97109515.9

申请日：1997-01-19

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山舜平 ,  寺本聡 ,  小山润 ,  尾形靖 ,  早川昌彦 ,  纳光明 ,  大谷久 ,  滨谷敏次

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L21/02686 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/2022 ,  H01L21/28158 ,  H01L21/3221 ,  H01L21/3226 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1203 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78675

Abstract: 通过除去或者减少利用金属元素得到结晶硅膜中的该金属元素,得到具有优良特性的结晶硅膜,并且利用该结晶硅膜得到具有优良特性的半导体器件。通过第1加热处理,在非晶硅膜中,掺入促进硅结晶的金属元素,得到使该非晶硅膜结晶的结晶硅膜以后,在氧化气氛中进行第2加热处理、除去或者减少在该结晶硅膜中存在的金属元素,除掉形成的热氧化膜,在除掉该热氧化膜区域的表面上,再次进行热氧化,通过形成热氧化膜等得到半导体器件及其制造方法。该氧化气氛,采用含氧的氧化气氛,和含有卤素的氧化气氛等。

公开(公告)号：CN1881595B

公开(公告)日：2012-02-08

申请号：CN200610099677.0

申请日：1997-01-20

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  寺本聪 ,  小山润 ,  尾形靖 ,  早川昌彦 ,  纳光明 ,  大谷久 ,  滨谷敏次

IPC: H01L27/12 ,  H01L27/15 ,  H01L27/32

CPC classification number: H01L21/02672 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/2022 ,  H01L21/3226 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1203 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78675

Abstract: 本发明目的是获得具有良好的特性的薄膜晶体管。使镍元素与非晶质膜203的特定的区域205保持选择性地接连。采用施行加热处理的办法使之结晶化，再在含卤族元素的氧化性气氛中施行加热处理的办法形成热氧化膜。这时进行结晶性的改善和镍元素的吸杂。这种结晶性硅膜将变成具有从多点放射状地进行了结晶生长的那样的构造。于是可得到具有良好的特性的TFT。

公开(公告)号：CN100444406C

公开(公告)日：2008-12-17

申请号：CN200510065795.5

申请日：1997-01-20

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  寺本聪 ,  小山润 ,  尾形靖 ,  早川昌彦 ,  纳光明 ,  大谷久 ,  滨谷敏次

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/00 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L21/02672 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/2022 ,  H01L21/3226 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1203 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78675

Abstract: 本发明的目的是要得到具有良好的特性的薄膜晶体管。使非晶硅膜203的特定的区域205保持有选择地与镍元素相接。然后通过加热处理，进行用207示出的那种朝向与基板平行的方向的结晶生长。再通过在含有卤族元素的氧化性气氛中的加热处理，形成热氧化膜209。此时，进行结晶性的改善、镍元素的吸杂。然后使上述结晶生长方向与源/漏区的联结方向一致来制造薄膜晶体管。通过这样做，可得到迁移率为200(cm2/Vs)以上，S值为100(mV/dec)以下的那种具有良好特性的TFT。