公开(公告)号：CN1169589A

公开(公告)日：1998-01-07

申请号：CN97109515.9

申请日：1997-01-19

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山舜平 ,  寺本聡 ,  小山润 ,  尾形靖 ,  早川昌彦 ,  纳光明 ,  大谷久 ,  滨谷敏次

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L21/02686 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/2022 ,  H01L21/28158 ,  H01L21/3221 ,  H01L21/3226 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1203 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78675

Abstract: 通过除去或者减少利用金属元素得到结晶硅膜中的该金属元素,得到具有优良特性的结晶硅膜,并且利用该结晶硅膜得到具有优良特性的半导体器件。通过第1加热处理,在非晶硅膜中,掺入促进硅结晶的金属元素,得到使该非晶硅膜结晶的结晶硅膜以后,在氧化气氛中进行第2加热处理、除去或者减少在该结晶硅膜中存在的金属元素,除掉形成的热氧化膜,在除掉该热氧化膜区域的表面上,再次进行热氧化,通过形成热氧化膜等得到半导体器件及其制造方法。该氧化气氛,采用含氧的氧化气氛,和含有卤素的氧化气氛等。

公开(公告)号：CN1160758C

公开(公告)日：2004-08-04

申请号：CN97109515.9

申请日：1997-01-19

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山舜平 ,  寺本聡 ,  小山润 ,  尾形靖 ,  早川昌彦 ,  纳光明 ,  大谷久 ,  滨谷敏次

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L21/02686 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/2022 ,  H01L21/28158 ,  H01L21/3221 ,  H01L21/3226 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1203 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78675

Abstract: 通过除去或者减少利用金属元素得到结晶硅膜中的该金属元素，得到具有优良特性的结晶硅膜，并且利用该结晶硅膜得到具有优良特性的半导体器件。通过第1加热处理，在非晶硅膜中，掺入促进硅结晶的金属元素，得到使该非晶硅膜结晶的结晶硅膜以后，在氧化气氛中进行第2加热处理、除去或者减少在该结晶硅膜中存在的金属元素，除掉形成的热氧化膜，在除掉该热氧化膜区域的表面上，再次进行热氧化，通过形成热氧化膜等得到半导体器件及其制造方法。该氧化气氛，采用含氧的氧化气氛，和含有卤素的氧化气氛等。

公开(公告)号：CN1206737C

公开(公告)日：2005-06-15

申请号：CN97102280.1

申请日：1997-01-20

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山﨑舜平 ,  寺本聡 ,  小山润 ,  尾形靖 ,  早川昌彦 ,  纳光明 ,  大谷久 ,  滨谷敏次

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L21/02672 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/2022 ,  H01L21/2026 ,  H01L21/3226 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/04 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78675

Abstract: 本发明的目的是要得到具有良好的特性的薄膜晶体管。使非晶硅膜203的特定的区域205保持有选择地与镍元素相接。然后通过加热处理，进行用207示出的那种朝向与基板平行的方向的结晶生长。再通过在含有卤族元素的氧化性气氛中的加热处理，形成热氧化膜209。此时，进行结晶性的改善、镍元素的吸杂。然后使上述结晶生长方向与源/漏区的联结方向一致来制造薄膜晶体管。通过这样做，可得到迁移率为200(cm2/Vs)以上，S值为100(mV/dec)以下的那种具有良好特性的TFT。

公开(公告)号：CN1160936A

公开(公告)日：1997-10-01

申请号：CN97102280.1

申请日：1997-01-20

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山舜平 ,  寺本聡 ,  小山润 ,  尾形靖 ,  早川昌彦 ,  纳光明 ,  大谷久 ,  滨谷敏次

IPC: H01L29/02 ,  H01L29/786 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/02672 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/2022 ,  H01L21/2026 ,  H01L21/3226 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/04 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78675

Abstract: 本发明的目的是要得到具有良好的特性的薄膜晶体管。使非晶硅膜203的特定的区域205保持有选择地与镍元素相接。然后通过加热处理，进行用207示出的那种朝向与基板平行的方向的结晶生长。再通过在含有卤族元素的氧化性气氛中的加热处理，形成热氧化膜209。此时，进行结晶性的改善、镍元素的吸杂。然后使上述结晶生长方向与源/漏区的联结方向一致来制造薄膜晶体管。通过这样做，可得到迁移率为200(cm2/Vs)以上，S值为100(mV/dec)以下的那种具有良好特性的TFT。