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公开(公告)号:JP2016218480A
公开(公告)日:2016-12-22
申请号:JP2016178410
申请日:2016-09-13
Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所
Inventor: 宮川 恵介
IPC: G09G3/20 , H01L51/50 , G09G3/3233
CPC classification number: G09G3/32 , G09G3/3233 , G09G3/3258 , H01L27/3262 , H01L27/3265 , H01L27/3276 , H01L29/78669 , H01L29/78678 , G09G2300/0426 , G09G2300/0842 , G09G2300/0866 , G09G2310/0256 , G09G2310/0262 , G09G2310/08 , G09G2320/0233 , G09G2320/043 , G09G3/2022 , G09G3/3291 , H01L2924/0002
Abstract: 【課題】n型の駆動用TFTと発光素子の陽極とが接続されている場合、或いはp型の 駆動用TFTと発光素子の陰極とが接続されている場合において、駆動用TFTを飽和領 域で動作させ、なおかつビデオ信号に従って所望の階調を表示することができる、発光装 置の駆動方法と、該駆動方法を用いた発光装置の提供を課題とする。 【解決手段】本発明では、ビデオ信号に従って駆動用TFTのゲートに画像情報を有する 電位を与える際に、直列に接続されている駆動用TFTと発光素子に逆方向バイアスの電 圧を印加し、ビデオ信号に従って画素が表示を行なう際に、駆動用TFTと発光素子に順 方向バイアスの電圧を印加する。 【選択図】図1
Abstract translation: 其中,n型驱动TFT和发光元件的阳极连接,或者在p型驱动TFT和发光元件的阴极在饱和区连接,驱动TFT的情况下的情况 它被操作,但它可以显示在根据视频信号中的期望的灰度级,并且一个发光元件的驱动方法,它是一个目的是提供使用该驱动方法的发光器件。 接着,对本发明中,根据视频信号施加电势具有图像信息到驱动TFT的栅极时,反向偏置电压被施加到驱动TFT和串联连接的发光元件,视频 当像素按照该信号进行显示,将正向偏压施加到驱动TFT和发光元件。 点域1
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公开(公告)号:JP6433531B2
公开(公告)日:2018-12-05
申请号:JP2017073411
申请日:2017-04-03
Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所
CPC classification number: G09G3/2092 , G09G3/2029 , G09G3/3233 , G09G2300/0465 , G09G2300/0842 , G09G2300/0861 , G09G2320/0233 , G09G2320/043 , G09G2320/0673 , G09G2330/02 , H01L27/1222 , H01L27/124 , H01L27/1255
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公开(公告)号:JP2018146976A
公开(公告)日:2018-09-20
申请号:JP2018103520
申请日:2018-05-30
Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所
CPC classification number: G09G3/2092 , G09G3/2029 , G09G3/3233 , G09G2300/0465 , G09G2300/0842 , G09G2300/0861 , G09G2320/0233 , G09G2320/043 , G09G2320/0673 , G09G2330/02 , H01L27/1222 , H01L27/124 , H01L27/1255
Abstract: 【課題】発光素子へ微少な電流を供給する低階調表示を行う場合、駆動用トランジスタの ゲート・ソース間電圧が小さいため、そのしきい値電圧のバラツキが顕著となってしまう 。 【解決手段】低階調表示であっても、駆動用トランジスタのしきい値電圧のバラツキの影 響が低減された半導体装置であって、低階調表示で高階調表示よりも駆動用トランジスタ のゲート・ソース間電圧を高くする。 【選択図】図2
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公开(公告)号:JP2017152391A
公开(公告)日:2017-08-31
申请号:JP2017073411
申请日:2017-04-03
Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所
CPC classification number: G09G3/2092 , G09G3/3233 , H01L27/1222 , H01L27/124 , H01L27/1255 , G09G2300/0465 , G09G2300/0842 , G09G2300/0861 , G09G2320/0233 , G09G2320/043 , G09G2320/0673 , G09G2330/02 , G09G3/2029
Abstract: 【課題】発光素子へ微少な電流を供給する低階調表示を行う場合、駆動用トランジスタの ゲート・ソース間電圧が小さいため、そのしきい値電圧のバラツキが顕著となってしまう 。 【解決手段】低階調表示であっても、駆動用トランジスタのしきい値電圧のバラツキの影 響が低減された半導体装置であって、低階調表示で高階調表示よりも駆動用トランジスタ のゲート・ソース間電圧を高くする。 【選択図】図2
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公开(公告)号:JP2020122981A
公开(公告)日:2020-08-13
申请号:JP2020073896
申请日:2020-04-17
Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所
Inventor: 宮川 恵介
Abstract: 【課題】n型の駆動用TFTと発光素子の陽極とが接続されている場合、或いはp型の 駆動用TFTと発光素子の陰極とが接続されている場合において、駆動用TFTを飽和領 域で動作させ、なおかつビデオ信号に従って所望の階調を表示することができる、発光装 置の駆動方法と、該駆動方法を用いた発光装置の提供を課題とする。 【解決手段】本発明では、ビデオ信号に従って駆動用TFTのゲートに画像情報を有する 電位を与える際に、直列に接続されている駆動用TFTと発光素子に逆方向バイアスの電 圧を印加し、ビデオ信号に従って画素が表示を行なう際に、駆動用TFTと発光素子に順 方向バイアスの電圧を印加する。 【選択図】図1
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公开(公告)号:JP2020021097A
公开(公告)日:2020-02-06
申请号:JP2019193962
申请日:2019-10-25
Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所
Inventor: 宮川 恵介
IPC: G09G3/20 , H01L51/50 , G09G3/3233
Abstract: 【課題】n型の駆動用TFTと発光素子の陽極とが接続されている場合、或いはp型の 駆動用TFTと発光素子の陰極とが接続されている場合において、駆動用TFTを飽和領 域で動作させ、なおかつビデオ信号に従って所望の階調を表示することができる、発光装 置の駆動方法と、該駆動方法を用いた発光装置の提供を課題とする。 【解決手段】本発明では、ビデオ信号に従って駆動用TFTのゲートに画像情報を有する 電位を与える際に、直列に接続されている駆動用TFTと発光素子に逆方向バイアスの電 圧を印加し、ビデオ信号に従って画素が表示を行なう際に、駆動用TFTと発光素子に順 方向バイアスの電圧を印加する。 【選択図】図1
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公开(公告)号:JP2018013804A
公开(公告)日:2018-01-25
申请号:JP2017193268
申请日:2017-10-03
Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所
Inventor: 宮川 恵介
CPC classification number: G09G3/32 , G09G3/2022 , G09G3/3233 , G09G3/3258 , G09G3/3291 , G09G2300/0426 , G09G2300/0842 , G09G2300/0866 , G09G2310/0256 , G09G2310/0262 , G09G2310/08 , G09G2320/0233 , G09G2320/043 , H01L27/3262 , H01L27/3265 , H01L27/3276 , H01L29/78669 , H01L29/78678 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 【課題】n型の駆動用TFTと発光素子の陽極とが接続されている場合、或いはp型の 駆動用TFTと発光素子の陰極とが接続されている場合において、駆動用TFTを飽和領 域で動作させ、なおかつビデオ信号に従って所望の階調を表示することができる、発光装 置の駆動方法と、該駆動方法を用いた発光装置の提供を課題とする。 【解決手段】本発明では、ビデオ信号に従って駆動用TFTのゲートに画像情報を有する 電位を与える際に、直列に接続されている駆動用TFTと発光素子に逆方向バイアスの電 圧を印加し、ビデオ信号に従って画素が表示を行なう際に、駆動用TFTと発光素子に順 方向バイアスの電圧を印加する。 【選択図】図1
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公开(公告)号:JP6167125B2
公开(公告)日:2017-07-19
申请号:JP2015055724
申请日:2015-03-19
Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所
Inventor: 宮川 恵介
IPC: G09G3/20 , H01L51/50 , G09G3/3258
CPC classification number: G09G3/32 , G09G3/3233 , G09G3/3258 , H01L27/3262 , H01L27/3265 , H01L27/3276 , H01L29/78669 , H01L29/78678 , G09G2300/0426 , G09G2300/0842 , G09G2300/0866 , G09G2310/0256 , G09G2310/0262 , G09G2310/08 , G09G2320/0233 , G09G2320/043 , G09G3/2022 , G09G3/3291 , H01L2924/0002
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公开(公告)号:JP6167194B2
公开(公告)日:2017-07-19
申请号:JP2016016856
申请日:2016-02-01
Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所
IPC: H01L51/50 , H05B33/04 , H01L29/786 , G09G3/20 , G09G3/3233 , G09F9/30
CPC classification number: G09G3/2092 , G09G3/3233 , H01L27/1222 , H01L27/124 , H01L27/1255 , G09G2300/0465 , G09G2300/0842 , G09G2300/0861 , G09G2320/0233 , G09G2320/043 , G09G2320/0673 , G09G2330/02 , G09G3/2029
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