中科微点-全球专利检索

  1. Login
  2. Sign Up

Search Results

994 records (took 0.095 seconds)

    半導体装置
    1.
    发明专利
    半導体装置 审中-公开

    公开(公告)号：JP2022000923A

    公开(公告)日：2022-01-04

    申请号：JP2021163899

    申请日：2021-10-05

    Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

    Inventor： 山崎 舜平 ,  木村 肇

    IPC: H01L27/108 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/088 ,  H01L27/06 ,  H01L29/786 ,  H01L21/8242

    Abstract: 【課題】記憶容量の大きい半導体装置を提供する。 【解決手段】第1乃至第5絶縁体と、第1乃至第3導電体と、第1半導体と、第2半導体 と、を有する半導体装置である。第1絶縁体、第1導電体、第2絶縁体、第2導電体、第 3絶縁体、の順に積層された構造体に対して、一括に開口部を設ける。更に、開口部にお いてエッチング処理によって選択的に第2導電体を除去する。その後に、開口部の側面に 第4絶縁体、第1半導体を順に形成し、第2導電体を除去した領域に第3導電体を形成す る。残りの開口部に、第5絶縁体、第2半導体を順に形成して、3次元構造の半導体装置 を作製する。なお、第1半導体としては、金属酸化物を含む材料を適用でき、第2半導体 としては、金属酸化物又はシリコンを含む材料を適用できすることができる。 【選択図】図16

    表示装置
    2.
    发明专利
    表示装置 审中-公开

    公开(公告)号：JP2021193453A

    公开(公告)日：2021-12-23

    申请号：JP2021142247

    申请日：2021-09-01

    Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

    Inventor： 木村 肇

    IPC: G09G3/20 ,  G09F9/30 ,  H01L51/50 ,  H01L27/32 ,  G09G3/3233

    Abstract: 【課題】電流入力型電流源回路において、信号電流の書き込み動作を素早く行う半導体装 置を提供する。 【解決手段】プリチャージ動作を行った後、信号電流を書き込む。そのため、すばやく書 き込むことが出来る。プリチャージ動作としては、複数の回路に電流を供給する。このと き、電流を供給する回路数に応じて、電流の大きさを大きくする。その結果、すばやく定 常状態にすることが出来る。なお、プリチャージ動作を行うとき、信号を入力する対象の 回路以外の回路に電流を供給してもよい。 【選択図】図1

    入出力パネル
    4.
    发明专利
    入出力パネル 审中-公开

    公开(公告)号：JP2021192246A

    公开(公告)日：2021-12-16

    申请号：JP2021131583

    申请日：2021-08-12

    Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

    Inventor： 木村 肇 ,  山崎 舜平

    IPC: G06F3/044 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/00 ,  G09F9/30 ,  G06F3/041

    Abstract: 【課題】利便性または信頼性に優れた新規な入出力パネルを提供する。 【解決手段】ゲート配線と、第1の電極と、第2の電極と、電流検出回路と、画素と、を 有する入出力パネルである。第1の電極は、ゲート配線と電気的に接続される。第2の電 極は、ゲート配線と交差し、第1の電極との間に容量を形成するように配置される。電流 検出回路は、第2の電極と電気的に接続され、容量の変化を検知する機能を備える。画素 は、トランジスタと、表示素子と、を備える。トランジスタは、ゲート電極と、ソース電 極およびドレイン電極を備える。ゲート電極は、ゲート配線と電気的に接続される。表示 素子は第3の電極および液晶材料を備える。第3の電極はソース電極またはドレイン電極 と電気的に接続される。 【選択図】図1

    液晶表示装置、携帯情報端末、携帯電話
    5.
    发明专利
    液晶表示装置、携帯情報端末、携帯電話 审中-公开

    公开(公告)号：JP2021185425A

    公开(公告)日：2021-12-09

    申请号：JP2021131747

    申请日：2021-08-12

    Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

    Inventor： 木村 肇

    IPC: G09F9/35 ,  G09F9/30 ,  G02F1/1335 ,  G02F1/1368

    Abstract: 【課題】画素電極上に金属膜を形成して積層構造とする際に、1つのレジストマスクを用 いて、画素電極及び金属膜を形成することを課題とする。 【解決手段】画素電極となる導電膜と金属膜を積層させる。金属膜上に半透部を有する露 光マスクを用いて、膜厚の厚い領域と該領域よりも膜厚が薄い領域とを有するレジストパ ターンを形成する。レジストパターンを用いて画素電極と、画素電極上の一部に接する金 属膜を形成する。以上により、1つのレジストマスクを用いて、画素電極及び金属膜を形 成することが可能となる。 【選択図】図2

    表示装置
    8.
    发明专利
    表示装置 有权

    公开(公告)号：JP2021165839A

    公开(公告)日：2021-10-14

    申请号：JP2021092972

    申请日：2021-06-02

    Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

    Inventor： 木村 肇

    IPC: G09F9/35 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/088 ,  H01L27/06 ,  G09F9/30

    Abstract: 【課題】大型の半導体装置で、高速に動作する半導体装置を提供することを目的する。 【解決手段】単結晶の半導体層を有するトップゲート型のトランジスタと、アモルファス シリコン(またはマイクロクリスタルシリコン)の半導体層を有するボトムゲート型のト ランジスタとを同一基板に形成する。そして、各々のトランジスタが有するゲート電極を 同じレイヤーで形成し、ソース及びドレイン電極も同じレイヤーで形成する。このように して、製造工程を削減する。つまり、ボトムゲート型のトランジスタの製造工程に、少し だけ工程を追加するだけで、2つのタイプのトランジスタを製造することが出来る。 【選択図】図6

Patent Agency Ranking