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公开(公告)号：CN119451564A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202410735275.3
申请日：2024-06-07
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Inventor： 白石信仁 , 国宗依信 , 加藤好美 , 伊藤望 , 杨梦楠 , 园田贤一郎
IPC: H10N97/00
Abstract: 本公开涉及半导体器件及其制造方法。半导体器件包括第一介电膜、在第一介电膜上设置的电阻器元件以及在电阻器元件上设置的第二介电膜。电阻器元件包括硅、铬和碳。电阻器元件中的硅浓度从电阻器元件的中心部分朝向电阻器元件的上表面增加，并且从电阻器元件的中心部分朝向电阻器元件的下表面也增加。
