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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115910988A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202211064748.9
申请日：2022-09-01
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L23/522 , H10N97/00 , H01L21/768
Abstract: 公开了一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括绝缘层、第一导电膜、第二导电膜和薄膜电阻器。绝缘层具有贯穿部分。第一导电膜形成在贯穿部分中，使得凹部形成在贯穿部分的上部处。第二导电膜形成在第一导电膜的上表面和贯穿部分的内表面上。薄膜电阻器包括硅和金属。薄膜电阻器形成在第二导电膜和绝缘层上。
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公开(公告)号：CN116936563A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202310151804.0
申请日：2023-02-22
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L27/01 , H01L23/522 , H10N97/00 , H01C7/00
Abstract: 一种半导体器件包括被布置在层间介电膜上的多个电阻膜。多个电阻膜中的每一个在平面图中在第一方向上延伸。多个电阻膜在平面图中被布置成在与第一方向正交的第二方向上间隔开。多个电阻膜被划分成第一组、第二组和第三组。第一组在第二方向上位于第二组与第三组之间。属于第二组的多个第二电阻膜的每一个的第二宽度变化量和属于第三组的多个第三电阻膜的每一个的第三宽度变化量大于属于第一组的多个第一电阻膜中的每一个的第一宽度变化量。
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公开(公告)号：CN116936523A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202310428122.X
申请日：2023-04-20
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L23/522 , H01L23/528 , H01L23/532
Abstract: 本公开涉及一种半导体器件。该半导体器件包括第一层间绝缘膜和第二层间绝缘膜、第一布线和第二布线、以及电阻器膜。第一布线设置在第一层间绝缘膜上。第二层间绝缘膜包括第一层和第二层。第一层设置在第一层间绝缘膜上以覆盖第一布线。电阻器膜设置在第一层上。电阻器膜包括硅铬、引入有碳的硅铬、镍铬、氮化钛和氮化钽中的至少一种。第二层设置在第一层上以覆盖电阻器膜。第二布线设置在第二层上。在第二层间绝缘膜的厚度方向上，与第二布线相比，电阻器膜更靠近第一布线。
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公开(公告)号：CN115985883A
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202211225691.6
申请日：2022-10-09
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Inventor： 白石信仁
IPC: H01L23/522 , H01L23/528 , H10N97/00 , H01L21/768
Abstract: 本公开涉及半导体器件及其制造方法。一种半导体器件包括电阻器层和布线层，布线层被设置为至少在电阻器层上方或下方。电阻器层包括第一电阻器层和第二电阻器层，第二电阻器层在第一方向上各自所具有的宽度小于第一电阻器层在第一方向上的宽度。布线层包括第一重叠区域和第二重叠区域，在第一重叠区域中布线层在平面图中与第一电阻器层重叠，在第二重叠区域中布线层在平面图中与第二电阻器层重叠。通过将第二重叠区域的面积的总值除以第二电阻器层的宽度而获得的值小于通过将第一重叠区域的面积的总值除以第一电阻器层的宽度而获得的值。
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公开(公告)号：CN115954170A
公开(公告)日：2023-04-11
申请号：CN202211191902.9
申请日：2022-09-28
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Abstract: 本公开涉及电阻器材料、电阻器元件以及电阻器元件的制造方法。电阻器材料包括多个具有正电阻温度系数的晶相和具有负电阻温度系数并且电阻率高于晶相的非晶相，其中晶相和非晶相处于混合状态。另外，提供了一种具有由上述电阻器材料构成的电阻器膜的电阻器元件，并且提供了一种通过形成具有负电阻温度系数的非晶材料的膜并且对该膜进行退火处理以获取电阻器元件来制造电阻器元件的方法。
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