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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104218017B
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201410200904.9
申请日：2014-05-13
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L23/498 , H01L23/31 , H01L21/60
Abstract: 一种半导体装置(PKG)，能够提高半导体装置的可靠性。包括具有贯通孔(SH)的绝缘性的基材(BS)、形成在基材(BS)的下表面(BSb)上的端子(TE)、以及以面朝上方式搭载在基材的上表面(BSa)上的半导体芯片(CP)。此外，具有将从基材(BS)的贯通孔(SH)露出的端子(TE)的露出面(EX)与半导体芯片(CP)的焊垫(PD)电连接的导线(BW)等导电性部件、以及将该导电性部件、基材(BS)的贯通孔(SH)的内部以及半导体芯片(CP)密封的密封体(MR)。从基材(BS)的贯通孔(SH)露出的端子(TE)的露出面(EX)在除了接合导线(BW)等导电性部件的接合部以外的区域设置有固定单元。
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公开(公告)号：CN103681388B
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201310430539.6
申请日：2013-09-18
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L21/60 , H01L23/498
CPC classification number: H01L21/565 , G06K19/07747 , H01L23/15 , H01L23/49838 , H01L23/4985 , H01L23/49855 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L24/743 , H01L24/83 , H01L24/97 , H01L25/0655 , H01L2224/05553 , H01L2224/05554 , H01L2224/27013 , H01L2224/29034 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48228 , H01L2224/48465 , H01L2224/49171 , H01L2224/73265 , H01L2224/743 , H01L2224/83192 , H01L2224/83194 , H01L2224/83862 , H01L2224/92247 , H01L2224/97 , H01L2924/10253 , H01L2924/12042 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2924/0665
Abstract: 本发明涉及制造半导体器件的方法。提供一种具有改善质量的半导体器件。本发明的半导体器件包括具有：其上具有半导体芯片的带式衬底、围绕半导体芯片放置的多个焊接区焊盘、用于将半导体芯片的电极焊盘电耦合至焊接区焊盘的多个导线，以及提供在带式衬底的下表面上的多个端子部。带式衬底的焊接区焊盘和半导体芯片之间的第一区的表面粗糙度的局部尖峰之间的平均距离小于带式衬底的焊接区焊盘和第一区之间的第二区的表面粗糙度的局部尖峰的平均距离。
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公开(公告)号：CN104218017A
公开(公告)日：2014-12-17
申请号：CN201410200904.9
申请日：2014-05-13
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L23/498 , H01L23/31 , H01L21/60
CPC classification number: H01L24/48 , G06K19/07718 , G06K19/0772 , G06K19/07722 , G06K19/07743 , G06K19/07745 , H01L23/053 , H01L23/3107 , H01L23/3114 , H01L23/3142 , H01L23/49811 , H01L23/49838 , H01L23/49855 , H01L24/05 , H01L24/14 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/49 , H01L24/78 , H01L24/83 , H01L24/85 , H01L24/97 , H01L2224/02166 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05124 , H01L2224/05155 , H01L2224/05554 , H01L2224/05624 , H01L2224/05644 , H01L2224/1401 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48228 , H01L2224/48465 , H01L2224/4847 , H01L2224/48471 , H01L2224/48479 , H01L2224/48499 , H01L2224/48624 , H01L2224/48644 , H01L2224/48824 , H01L2224/48844 , H01L2224/49171 , H01L2224/73265 , H01L2224/78301 , H01L2224/83101 , H01L2224/83862 , H01L2224/85045 , H01L2224/85048 , H01L2224/85051 , H01L2224/85181 , H01L2224/85186 , H01L2224/85205 , H01L2224/85444 , H01L2224/92247 , H01L2224/97 , H01L2924/00014 , H01L2924/10161 , H01L2924/10253 , H01L2924/181 , H01L2924/18301 , H01L2924/0665 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/01079 , H01L2224/4554
Abstract: 一种半导体装置(PKG)，能够提高半导体装置的可靠性。包括具有贯通孔(SH)的绝缘性的基材(BS)、形成在基材(BS)的下表面(BSb)上的端子(TE)、以及以面朝上方式搭载在基材的上表面(BSa)上的半导体芯片(CP)。此外，具有将从基材(BS)的贯通孔(SH)露出的端子(TE)的露出面(EX)与半导体芯片(CP)的焊垫(PD)电连接的导线(BW)等导电性部件、以及将该导电性部件、基材(BS)的贯通孔(SH)的内部以及半导体芯片(CP)密封的密封体(MR)。从基材(BS)的贯通孔(SH)露出的端子(TE)的露出面(EX)在除了接合导线(BW)等导电性部件的接合部以外的区域设置有固定单元。
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公开(公告)号：CN103681388A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310430539.6
申请日：2013-09-18
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L21/60 , H01L23/498
CPC classification number: H01L21/565 , G06K19/07747 , H01L23/15 , H01L23/49838 , H01L23/4985 , H01L23/49855 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L24/743 , H01L24/83 , H01L24/97 , H01L25/0655 , H01L2224/05553 , H01L2224/05554 , H01L2224/27013 , H01L2224/29034 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48228 , H01L2224/48465 , H01L2224/49171 , H01L2224/73265 , H01L2224/743 , H01L2224/83192 , H01L2224/83194 , H01L2224/83862 , H01L2224/92247 , H01L2224/97 , H01L2924/10253 , H01L2924/12042 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2924/0665
Abstract: 本发明涉及制造半导体器件的方法。提供一种具有改善质量的半导体器件。本发明的半导体器件包括具有：其上具有半导体芯片的带式衬底、围绕半导体芯片放置的多个焊接区焊盘、用于将半导体芯片的电极焊盘电耦合至焊接区焊盘的多个导线，以及提供在带式衬底的下表面上的多个端子部。带式衬底的焊接区焊盘和半导体芯片之间的第一区的表面粗糙度的局部尖峰之间的平均距离小于带式衬底的焊接区焊盘和第一区之间的第二区的表面粗糙度的局部尖峰的平均距离。
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公开(公告)号：CN203983265U
公开(公告)日：2014-12-03
申请号：CN201420243438.8
申请日：2014-05-13
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L23/498 , H01L23/31 , H01L21/60
CPC classification number: H01L24/48 , G06K19/07718 , G06K19/0772 , G06K19/07722 , G06K19/07743 , G06K19/07745 , H01L23/053 , H01L23/3107 , H01L23/3114 , H01L23/3142 , H01L23/49811 , H01L23/49838 , H01L23/49855 , H01L24/05 , H01L24/14 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/49 , H01L24/78 , H01L24/83 , H01L24/85 , H01L24/97 , H01L2224/02166 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05124 , H01L2224/05155 , H01L2224/05554 , H01L2224/05624 , H01L2224/05644 , H01L2224/1401 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48228 , H01L2224/48465 , H01L2224/4847 , H01L2224/48471 , H01L2224/48479 , H01L2224/48499 , H01L2224/48624 , H01L2224/48644 , H01L2224/48824 , H01L2224/48844 , H01L2224/49171 , H01L2224/73265 , H01L2224/78301 , H01L2224/83101 , H01L2224/83862 , H01L2224/85045 , H01L2224/85048 , H01L2224/85051 , H01L2224/85181 , H01L2224/85186 , H01L2224/85205 , H01L2224/85444 , H01L2224/92247 , H01L2224/97 , H01L2924/00014 , H01L2924/10161 , H01L2924/10253 , H01L2924/181 , H01L2924/18301 , H01L2924/0665 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/01079 , H01L2224/4554
Abstract: 一种半导体装置(PKG)，能够提高半导体装置的可靠性。包括具有贯通孔(SH)的绝缘性的基材(BS)、形成在基材(BS)的下表面(BSb)上的端子(TE)、以及以面朝上方式搭载在基材的上表面(BSa)上的半导体芯片(CP)。此外，具有将从基材(BS)的贯通孔(SH)露出的端子(TE)的露出面(EX)与半导体芯片(CP)的焊垫(PD)电连接的导线(BW)等导电性部件、以及将该导电性部件、基材(BS)的贯通孔(SH)的内部以及半导体芯片(CP)密封的密封体(MR)。从基材(BS)的贯通孔(SH)露出的端子(TE)的露出面(EX)在除了接合导线(BW)等导电性部件的接合部以外的区域设置有固定单元。
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