公开(公告)号：CN1097836C

公开(公告)日：2003-01-01

申请号：CN96191941.8

申请日：1996-02-15

Applicant: 莱特拉伯公司

Inventor： V·S·凯弗坦诺夫 ,  A·L·苏沃罗夫 ,  E·P·谢斯欣

IPC: H01J1/30

CPC classification number: H01J1/304 ,  H01J2201/304 ,  H01J2329/00

Abstract: 一种场发射阴极及其生成方法和场发射器件，该场发射阴极至少包括一具有第一种物质的本体，其中所述至少一本体有至少一个具有至少一个凹凸不平之处的发射表面，所述生成方法包括下述步骤：通过对所述至少一本体施加可变电场改变所述发射表面，从而从所述发射表面引起电子场发射，和以限制所述发射表面的所述至少一个凹凸不平之处劣化的方式增加所述可变电场。

公开(公告)号：CN1174629A

公开(公告)日：1998-02-25

申请号：CN96191941.8

申请日：1996-02-15

Applicant: 莱特拉伯公司

Inventor： V·S·凯弗坦诺夫 ,  A·L·苏沃罗夫 ,  E·P·谢斯欣

IPC: H01J1/30

CPC classification number: H01J1/304 ,  H01J2201/304 ,  H01J2329/00

Abstract: 一种改进的场发射阴极及其制造方法,在本发明的方法中,该场发射阴极是由至少一个包含第一种物质的本体构成的。该方法包括步骤:在该本体的发射表面生成凹凸不平之处,将具有低功函数的第二种物质的离子加到该本体的发射表面,和通过将可变电场施加到该本体上并逐步增强场强来改变引起场发射的发射表面。