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公开(公告)号：KR1020170080034A
公开(公告)日：2017-07-10
申请号：KR1020150191190
申请日：2015-12-31
Applicant: 국민대학교산학협력단
IPC: H01L21/02 , H01L21/306 , H01L21/3205 , H01L21/324 , H01L21/78
Abstract: 본발명은실리콘웨이퍼의결정면에따른식각속도의차이를이용하여실리콘웨이퍼의플랫존에홈을형성하는단계; 상기실리콘웨이퍼의상면에금속층을형성하는단계; 및상기금속층과상기실리콘웨이퍼를가열하고냉각함으로써상기금속층과상기실리콘웨이퍼의열팽창계수의차이에의해유발되는응력이상기홈에집중되면서크랙이전파되어상기금속층및 상기금속층과맞닿은상기실리콘웨이퍼의일부분을상기실리콘웨이퍼의나머지부분으로부터분리하는단계;를포함하는기판의제조방법을제공한다.
Abstract translation: 根据本发明，提供了一种制造半导体器件的方法，包括：利用根据硅晶片的晶面的蚀刻速率的差异在硅晶片的平坦区域中形成凹槽; 在硅晶片的上表面上形成金属层; 然后加热并冷却金属层和硅晶片以冷却金属层和硅晶片，同时金属层和硅晶片集中在由金属层和硅晶片之间的热膨胀系数差异引起的应力槽中， 并将硅晶片从硅晶片的剩余部分分离。
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公开(公告)号：KR101702504B1
公开(公告)日：2017-02-06
申请号：KR1020150081095
申请日：2015-06-09
Applicant: 국민대학교산학협력단
Inventor： 안동환
IPC: H01L27/146
CPC classification number: G01T1/2018 , H01L27/14625 , H01L27/14629 , H01L27/14663 , H01L27/14685
Abstract: 본발명은제 1 면및 제 2 면을갖는기판의적어도일부에복수개의포토다이오드유닛(photodiode unit)을형성하는단계; 상기복수개의포토다이오드유닛과대응되도록상기제 1 면상에몰드(mold)를형성하는단계; 상기몰드의적어도일부를소정의깊이만큼식각함으로써요철(凹凸)을가지는마이크로구조체(micro structure)를형성하는단계; 및엑스선(X-ray)을상기포토다이오드유닛에서감지할수 있는파장대역으로변환시킬수 있는신틸레이터(scintillator)를상기마이크로구조체의요부(凹部) 내에형성하는단계;를포함하거나, 제 1 면및 제 2 면을갖는기판의적어도일부에복수개의포토다이오드유닛(photodiode unit)을형성하는단계; 상기복수개의포토다이오드유닛과대응되도록상기제 2 면의적어도일부를소정의깊이만큼식각함으로써요철(凹凸)을가지는마이크로구조체(micro structure)를형성하는단계; 및엑스선(X-ray)을상기포토다이오드유닛에서감지할수 있는파장대역으로변환시킬수 있는신틸레이터(scintillator)를상기마이크로구조체의요부(凹部) 내에형성하는단계;를포함하는, 일체형디지털엑스선이미지센서의제조방법및 이를이용한일체형디지털엑스선이미지센서를제공한다.
Abstract translation: 提供一种制造集成数字X射线图像传感器的方法，该方法包括在具有第一表面和第二表面的基底的至少部分中形成多个光电二极管单元，在第一表面上形成对应于 光电二极管单元，通过将模具的至少一部分蚀刻预定深度形成具有凸部和凹部的微结构，以及形成能够将X射线转换成由光电二极管单元可检测的波长带的闪烁体， 或者包括在具有第一表面和第二表面的基底的至少部分中形成多个光电二极管单元，通过用第一表面和第二表面的至少一部分蚀刻形成具有凸部和凹部的微观结构 预定深度以对应于光电二极管单元，并且形成能够将X射线转换成由光电二极管单元可检测的波长带的闪烁体， 微结构的凹部和使用该微结构的集成数字X射线图像传感器。
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公开(公告)号：KR102062858B1
公开(公告)日：2020-01-06
申请号：KR1020180052710
申请日：2018-05-08
Applicant: 국민대학교산학협력단
Inventor： 안동환
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101982101B1
公开(公告)日：2019-05-24
申请号：KR1020170103373
申请日：2017-08-16
Applicant: 국민대학교산학협력단
IPC: G01T3/00
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公开(公告)号：KR101930369B1
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：KR1020160099460
申请日：2016-08-04
Applicant: 국민대학교산학협력단
Abstract: 본 발명은 벌크 실리콘 기판; 상기 기판 상의 활성층에 형성된 제 1 소자층; 상기 제 1 소자층 상에 배치되되 광신호가 전송되는 제 2 소자층; 및 상기 제 1 소자층과 상기 제 2 소자층 간의 유효 굴절률 차이를 해소하고 모드 프로파일을 매칭시키기 위하여 상기 제 1 소자층과 상기 제 2 소자층 사이에 개재된 모드 컨버터;를 포함하는 광 인터커넥트 장치를 제공하되, 상기 제 1 소자층, 상기 모드 컨버터 및 상기 제 2 소자층은 상기 기판 상의 서로 다른 이격된 평면에 각각 순차적으로 배치되되, 상기 모드 컨버터의 일단은 상기 제 2 소자층의 일부와 오버랩(overlap)되도록 배치되며, 상기 모드 컨버터의 타단은 상기 제 1 소자층의 일부와 오버랩되도록 배치된다.
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公开(公告)号：KR20180015886A
公开(公告)日：2018-02-14
申请号：KR20160099460
申请日：2016-08-04
Applicant: 국민대학교산학협력단
CPC classification number: G02B6/14 , G02B6/1228 , G02B2006/12061 , G02B2006/12152 , G02F1/025 , G02F2001/0151
Abstract: 본발명은벌크실리콘기판; 상기기판상의활성층에형성된제 1 소자층; 상기제 1 소자층상에배치되되광신호가전송되는제 2 소자층; 및상기제 1 소자층과상기제 2 소자층간의유효굴절률차이를해소하고모드프로파일을매칭시키기위하여상기제 1 소자층과상기제 2 소자층사이에개재된모드컨버터;를포함하는광 인터커넥트장치를제공하되, 상기제 1 소자층, 상기모드컨버터및 상기제 2 소자층은상기기판상의서로다른이격된평면에각각순차적으로배치되되, 상기모드컨버터의일단은상기제 2 소자층의일부와오버랩(overlap)되도록배치되며, 상기모드컨버터의타단은상기제 1 소자층의일부와오버랩되도록배치된다.
Abstract translation: 一种光互连装置，包括：形成在基板上的第一元件层; 设置在第一元件层上并接收光信号的第二元件层; 以及模式转换器，插入在所述第一元件层和所述第二元件层之间，并且消除所述第一元件层的有效折射率和所述第二元件层的有效折射率之间的差并且匹配模式分布，其中所述第一元件 层，模式转换器和第二元件层顺序地设置在基板上彼此间隔开的各个平面上，并且模式转换器的一端与第二元件层的一部分重叠，并且模式转换器的另一端 与第一元件层的一部分重叠。
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公开(公告)号：KR101799085B1
公开(公告)日：2017-11-20
申请号：KR1020150191190
申请日：2015-12-31
Applicant: 국민대학교산학협력단
IPC: H01L21/02 , H01L21/306 , H01L21/3205 , H01L21/324 , H01L21/78
Abstract: 본발명은실리콘웨이퍼의결정면에따른식각속도의차이를이용하여실리콘웨이퍼의플랫존에홈을형성하는단계; 상기실리콘웨이퍼의상면에금속층을형성하는단계; 및상기금속층과상기실리콘웨이퍼를가열하고냉각함으로써상기금속층과상기실리콘웨이퍼의열팽창계수의차이에의해유발되는응력이상기홈에집중되면서크랙이전파되어상기금속층및 상기금속층과맞닿은상기실리콘웨이퍼의일부분을상기실리콘웨이퍼의나머지부분으로부터분리하는단계;를포함하는기판의제조방법을제공한다.
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公开(公告)号：KR1020160144667A
公开(公告)日：2016-12-19
申请号：KR1020150081095
申请日：2015-06-09
Applicant: 국민대학교산학협력단
Inventor： 안동환
IPC: H01L27/146
CPC classification number: G01T1/2018 , H01L27/14625 , H01L27/14629 , H01L27/14663 , H01L27/14685
Abstract: 본발명은제 1 면및 제 2 면을갖는기판의적어도일부에복수개의포토다이오드유닛(photodiode unit)을형성하는단계; 상기복수개의포토다이오드유닛과대응되도록상기제 1 면상에몰드(mold)를형성하는단계; 상기몰드의적어도일부를소정의깊이만큼식각함으로써요철(凹凸)을가지는마이크로구조체(micro structure)를형성하는단계; 및엑스선(X-ray)을상기포토다이오드유닛에서감지할수 있는파장대역으로변환시킬수 있는신틸레이터(scintillator)를상기마이크로구조체의요부(凹部) 내에형성하는단계;를포함하거나, 제 1 면및 제 2 면을갖는기판의적어도일부에복수개의포토다이오드유닛(photodiode unit)을형성하는단계; 상기복수개의포토다이오드유닛과대응되도록상기제 2 면의적어도일부를소정의깊이만큼식각함으로써요철(凹凸)을가지는마이크로구조체(micro structure)를형성하는단계; 및엑스선(X-ray)을상기포토다이오드유닛에서감지할수 있는파장대역으로변환시킬수 있는신틸레이터(scintillator)를상기마이크로구조체의요부(凹部) 내에형성하는단계;를포함하는, 일체형디지털엑스선이미지센서의제조방법및 이를이용한일체형디지털엑스선이미지센서를제공한다.
Abstract translation: 提供一种制造集成数字X射线图像传感器的方法，该方法包括在具有第一表面和第二表面的基底的至少部分中形成多个光电二极管单元，在第一表面上形成对应于 光电二极管单元，通过将模具的至少一部分蚀刻预定深度形成具有凸部和凹部的微结构，以及形成能够将X射线转换成由光电二极管单元可检测的波长带的闪烁体， 或者包括在具有第一表面和第二表面的基底的至少部分中形成多个光电二极管单元，通过用第一表面和第二表面的至少一部分蚀刻形成具有凸部和凹部的微观结构 预定深度以对应于光电二极管单元，并且形成能够将X射线转换成由光电二极管单元可检测的波长带的闪烁体， 微结构的凹部和使用该微结构的集成数字X射线图像传感器。
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