公开(公告)号：KR101982101B1

公开(公告)日：2019-05-24

申请号：KR1020170103373

申请日：2017-08-16

Applicant: 국민대학교산학협력단

Inventor： 안동환 ,  박민호 ,  이환

IPC: G01T3/00

公开(公告)号：KR101799085B1

公开(公告)日：2017-11-20

申请号：KR1020150191190

申请日：2015-12-31

Applicant: 국민대학교산학협력단

Inventor： 안동환 ,  이환

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/306 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/324 ,  H01L21/78

Abstract: 본발명은실리콘웨이퍼의결정면에따른식각속도의차이를이용하여실리콘웨이퍼의플랫존에홈을형성하는단계; 상기실리콘웨이퍼의상면에금속층을형성하는단계; 및상기금속층과상기실리콘웨이퍼를가열하고냉각함으로써상기금속층과상기실리콘웨이퍼의열팽창계수의차이에의해유발되는응력이상기홈에집중되면서크랙이전파되어상기금속층및 상기금속층과맞닿은상기실리콘웨이퍼의일부분을상기실리콘웨이퍼의나머지부분으로부터분리하는단계;를포함하는기판의제조방법을제공한다.

公开(公告)号：KR1020170080034A

公开(公告)日：2017-07-10

申请号：KR1020150191190

申请日：2015-12-31

Applicant: 국민대학교산학협력단

Inventor： 안동환 ,  이환

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/306 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/324 ,  H01L21/78

Abstract: 본발명은실리콘웨이퍼의결정면에따른식각속도의차이를이용하여실리콘웨이퍼의플랫존에홈을형성하는단계; 상기실리콘웨이퍼의상면에금속층을형성하는단계; 및상기금속층과상기실리콘웨이퍼를가열하고냉각함으로써상기금속층과상기실리콘웨이퍼의열팽창계수의차이에의해유발되는응력이상기홈에집중되면서크랙이전파되어상기금속층및 상기금속층과맞닿은상기실리콘웨이퍼의일부분을상기실리콘웨이퍼의나머지부분으로부터분리하는단계;를포함하는기판의제조방법을제공한다.

Abstract translation: 根据本发明，提供了一种制造半导体器件的方法，包括：利用根据硅晶片的晶面的蚀刻速率的差异在硅晶片的平坦区域中形成凹槽; 在硅晶片的上表面上形成金属层; 然后加热并冷却金属层和硅晶片以冷却金属层和硅晶片，同时金属层和硅晶片集中在由金属层和硅晶片之间的热膨胀系数差异引起的应力槽中， 并将硅晶片从硅晶片的剩余部分分离。