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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101891011B1
公开(公告)日：2018-08-22
申请号：KR1020167016899
申请日：2015-02-20
Applicant: 레이던 컴퍼니
Inventor： 구치,로랜드 , 케네디,아담,엠. , 블랙,스테픈,에이치. , 코시안,토마스,앨런 , 디에프,부
CPC classification number: C23C14/28 , B32B3/10 , B32B15/04 , B32B2255/205 , B32B2457/00 , C23C14/06 , G01J5/045 , H01L23/26 , H01L2924/0002 , Y10T428/24802 , H01L2924/00
Abstract: 게터구조및 방법에있어서, 상기시드물질의레이어는상기구조의표면상에복수의핵형성사이트들을형성하기위한조건하에서구조의표면의미리결정된영역상에디파짓된다. 핵형성사이트들은분자하나의두께보다작은미리결정된영영의표면을넘는평균높이를가진다. 그다음으로게터물질은, 핵형성사이트들로부터바깥쪽으로프로젝팅되는복수의게터물질멤버들을형성하기위해표면위에디파짓된다.
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公开(公告)号：KR101931010B1
公开(公告)日：2018-12-19
申请号：KR1020167032332
申请日：2014-08-11
Applicant: 레이던 컴퍼니
Inventor： 케네디,아담,엠. , 디프,뷰,큐. , 블랙,스티븐,에이치. , 옹,체,이. , 코시안,토마스,알란 , 트레이시,그레고리,디.
Abstract: 웨이퍼 구조체 및 상에 배치된 장치 및 장치 웨이퍼에 접합된 리드 구조체를 갖는 밀봉된 패키지이다. 상기 장치 웨이퍼는, 기판; 상기 장치 주위에 기판의 표면 부분 상에 배치된 금속 고리 및 상기 금속 고리에 배치된 접합 물질을 포함한다. 상기 금속 고리의 제1층은 기판의 표면 부분의 연성보다 높은 연성을 갖고, 상기 접합 물질의 폭보다 큰 폭을 갖는, 응력 완화 완충층을 포함한다. 금속 고리는 상기 접합 물질의 내부 에지 및 외부 에지 중 적어도 하나를 넘어서 측면으로 연장된다. 상기 응력 완화 완충층의 열팽창 계수는 상기 기판의 표면 부분의 팽창 계수보다 크고 접합 물질의 팽창 계수보다 작다.
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公开(公告)号：KR1020160146879A
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：KR1020167032332
申请日：2014-08-11
Applicant: 레이던 컴퍼니
Inventor： 케네디,아담,엠. , 디프,뷰,큐. , 블랙,스티븐,에이치. , 옹,체,이. , 코시안,토마스,알란 , 트레이시,그레고리,디.
CPC classification number: H01L23/10 , B81B7/0051 , B81B2201/0207 , B81C2203/0109 , B81C2203/035 , H01L23/562 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 웨이퍼구조체및 상에배치된장치및 장치웨이퍼에접합된리드구조체를갖는밀봉된패키지이다. 상기장치웨이퍼는, 기판; 상기장치주위에기판의표면부분상에배치된금속고리및 상기금속고리에배치된접합물질을포함한다. 상기금속고리의제1층은기판의표면부분의연성보다높은연성을갖고, 상기접합물질의폭보다큰 폭을갖는, 응력완화완충층을포함한다. 금속고리는상기접합물질의내부에지및 외부에지중 적어도하나를넘어서측면으로연장된다. 상기응력완화완충층의열팽창계수는상기기판의표면부분의팽창계수보다크고접합물질의팽창계수보다작다.
Abstract translation: 密封包装，其具有设置在晶片结构上的装置102和结合到装置晶片的盖结构108。 器件晶片包括：衬底104; 设置在设备周围的基板的表面部分上的金属环107DW和设置在金属环上的接合材料118。 金属环的第一层包括具有比衬底的表面部分更高的延展性的应力消除缓冲层109DW以及大于接合材料的宽度的宽度。 金属环横向延伸超出接合材料的内边缘和外边缘中的至少一个。 应力消除缓冲层的热膨胀系数大于衬底表面部分的膨胀系数，小于接合材料的膨胀系数。
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公开(公告)号：KR1020160090367A
公开(公告)日：2016-07-29
申请号：KR1020167016899
申请日：2015-02-20
Applicant: 레이던 컴퍼니
Inventor： 구치,로랜드 , 케네디,아담,엠. , 블랙,스테픈,에이치. , 코시안,토마스,앨런 , 디에프,부
CPC classification number: C23C14/28 , B32B3/10 , B32B15/04 , B32B2255/205 , B32B2457/00 , C23C14/06 , G01J5/045 , H01L23/26 , H01L2924/0002 , Y10T428/24802 , H01L2924/00 , G02B19/00
Abstract: 게터구조및 방법에있어서, 상기시드물질의레이어는상기구조의표면상에복수의핵형성사이트들을형성하기위한조건하에서구조의표면의미리결정된영역상에디파짓된다. 핵형성사이트들은분자하나의두께보다작은미리결정된영영의표면을넘는평균높이를가진다. 그다음으로게터물질은, 핵형성사이트들로부터바깥쪽으로프로젝팅되는복수의게터물질멤버들을형성하기위해표면위에디파짓된다.
Abstract translation: 一种吸气剂结构和方法，其中在结构的表面上形成多个成核位置的条件下，将种子材料层沉积在结构的表面的预定区域上。 成核位置具有小于一分子厚的预定区域的表面积的平均高度。 随后，吸气剂材料沉积在表面上以形成从成核位置向外突出的多个吸气材料构件。
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