公开(公告)号：KR101979734B1

公开(公告)日：2019-05-17

申请号：KR1020120086393

申请日：2012-08-07

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 옥동주 ,  노혜리 ,  조경래 ,  김수진

IPC: G11C7/10 ,  G11C16/26

公开(公告)号：KR101662821B1

公开(公告)日：2016-10-05

申请号：KR1020100057265

申请日：2010-06-16

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 조경래 ,  은희석 ,  공준진

IPC: G11C16/12 ,  G11C16/34 ,  G11C16/10 ,  G11C16/24

CPC classification number: G11C16/10 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/3454 ,  G11C16/3459

Abstract: 여기에는행들과열들로배열된복수의스트링들을포함하는불 휘발성메모리장치를프로그램하는방법이제공되며, 이방법은프로그램될데이터에의거하여하나의열에속한선택라인들중 일부또는전부를동시에활성화시키고; 상기하나의열에대응하는비트라인을비트라인프로그램전압으로구동하고; 그리고상기열들에대응하는비트라인들이모두구동될때까지, 프로그램될데이터에의거하여하나의열에속한선택라인들중 일부또는전부를동시에활성화시키는것과상기하나의열에대응하는비트라인을비트라인프로그램전압으로구동하는것을반복하는것을포함한다.

公开(公告)号：KR101649357B1

公开(公告)日：2016-08-19

申请号：KR1020100043612

申请日：2010-05-10

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 조경래 ,  김광호 ,  공준진 ,  김재홍 ,  손홍락

IPC: G06F3/06 ,  G06F15/16 ,  G06F9/06 ,  G06F12/02

CPC classification number: H03M7/30

Abstract: 여기에는데이터저장장치의저장매체에데이터를저장하는방법이제공되며, 상기방법은외부로부터제공되는데이터를상기저장매체에저장하고, 상기데이터저장장치의배경동작동안상기저장매체에저장된데이터를압축하는것을포함한다.

公开(公告)号：KR101643273B1

公开(公告)日：2016-08-01

申请号：KR1020100032805

申请日：2010-04-09

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 조경래 ,  윤찬호 ,  공준진 ,  조희창 ,  유범석 ,  손홍락

IPC: G06F9/06 ,  G06F13/14 ,  G06F15/16

CPC classification number: H03M7/30 ,  G11C16/349

Abstract: 여기에는저장매체에데이터를저장하는방법이제공되며, 이방법은상기저장매체에저장될데이터의크기가기준조건을만족하는지의여부를판별하고, 상기저장매체에저장될데이터의크기가기준조건을만족할때 상기저장될데이터를선택적으로압축하는것을포함한다.

公开(公告)号：KR101608903B1

公开(公告)日：2016-04-20

申请号：KR1020090110471

申请日：2009-11-16

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 조경래 ,  조현민

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/335

CPC classification number: H01L27/14632 ,  H01L27/14625 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14649

Abstract: 적외선을감지할수 있는이미지센서가제공된다. 이미지센서는빛을받아광전하들을축적하는광전변환소자및 광전변환소자상부에서, 제 1 파장대역을갖는빛을제 1 파장대역보다짧은제 2 파장대역을갖는빛으로변환시켜상기광전변환소자로제공하는파장변환층을포함한다.

公开(公告)号：KR101436506B1

公开(公告)日：2014-09-02

申请号：KR1020080071647

申请日：2008-07-23

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김용준 ,  조경래 ,  김재홍 ,  공준진 ,  손홍락

IPC: G11C16/34 ,  G11C16/08 ,  G11C16/04

CPC classification number: G11C11/5628 ,  G11C7/1006

Abstract: 메모리 장치 및 메모리 데이터 프로그래밍 방법이 제공된다. 본 발명 일 실시예에 따른 메모리 장치는 제1 데이터 페이지를 인코드하여 제1 코드워드 (codeword)를 생성하고 제2 데이터 페이지를 인코드하여 제2 코드워드를 생성할 수 있다. 메모리 장치는 연속적인 1의 개수의 최대값 또는 연속적인 0의 개수의 최대값을 가지는 제1 코드워드를 생성할 수 있다. 메모리 장치는 제1 코드워드 및 제2 코드워드를 복수의 멀티 비트 셀에 프로그램할 수 있다. 메모리 장치는 메모리 셀들의 문턱 전압의 산포(distribution)를 개선할 수 있다.
CTF, modulation coding, charge trap, flash memory

公开(公告)号：KR101412974B1

公开(公告)日：2014-06-30

申请号：KR1020080049828

申请日：2008-05-28

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김재홍 ,  조경래 ,  채동혁 ,  김용준

IPC: G11C16/34 ,  G11C16/12 ,  G11C16/10 ,  G11C16/30

CPC classification number: G11C16/3454 ,  G11C11/5628 ,  G11C2211/5621

Abstract: 메모리 장치 및 메모리 프로그래밍 방법이 제공된다. 본 발명의 메모리 장치는 복수의 메모리 셀들을 포함하는 메모리 셀 어레이, 상기 복수의 메모리 셀들 각각의 상태 정보를 추출하고, 상기 추출된 상태 정보에 기초하여 상기 복수의 메모리 셀들을 제1 그룹 및 제2 그룹으로 분할하고, 상기 제1 그룹의 메모리 셀들에 제1 검증 전압을 할당하고 상기 제2 그룹의 메모리 셀들에 제2 검증 전압을 할당하는 제어부, 및 상기 제1 그룹의 메모리 셀들 각각의 문턱 전압이 상기 제1 검증 전압 이상일 때까지 상기 제1 그룹의 메모리 셀들 각각의 문턱 전압을 증가시키고, 상기 제2 그룹의 메모리 셀들 각각의 문턱 전압이 상기 제2 검증 전압 이상일 때까지 상기 제2 그룹의 메모리 셀들 각각의 문턱 전압을 증가시키는 프로그래밍부를 포함하며, 이를 통해 메모리 셀의 문턱 전압의 산포의 폭을 줄일 수 있다.
멀티 비트 셀, 멀티 레벨 셀, 검증 전압, verify level, ISPP

Abstract translation: 提供了一种存储器件和存储器编程方法。 本发明的存储器件具有存储单元阵列，包括多个存储单元，提取所述多个存储单元，每一个的状态信息，并且其中，所提取的状态信息时，所述多个存储单元，所述第一组和所述第二基础上 组被划分，并且其中，所述控制部，并且每个所述第一组的用于分配的第一验证电压施加到第一组的存储器单元，并且所述第二验证电压分配给在所述第二组中的存储器单元的存储器单元的阈值电压的 比在该组的每个存储器单元的阈值电压的第二和第一增加第一验证电压，所述第二组中的存储器单元，直到该组的存储器单元的所述第二相应的阈值电压大于所述第二验证电压，直到 和包括可编程，以增加相应的阈值电压，通过它可以减小存储单元的分散的阈值电压的宽度。

公开(公告)号：KR101400691B1

公开(公告)日：2014-05-29

申请号：KR1020080044535

申请日：2008-05-14

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 조경래 ,  채동혁 ,  공준진

IPC: G11C16/34 ,  G11C16/10 ,  G11C16/12 ,  G11C16/04

CPC classification number: G11C16/10 ,  G11C11/5628 ,  G11C16/3418

Abstract: 메모리 장치 및 메모리 프로그래밍 방법이 제공된다. 본 발명의 메모리 장치는 복수의 메모리 셀들을 포함하는 메모리 셀 어레이, 상기 복수의 메모리 셀들에 프로그램될 데이터의 패턴에 기초하여 상기 복수의 메모리 셀들 중 문턱 전압이 변경될 메모리 셀을 식별하는 제어부, 및 상기 식별된 메모리 셀의 문턱 전압이 제1 문턱 전압 구간에 포함될 때까지 상기 식별된 메모리 셀에 프로그램 조건 전압을 인가함으로써 상기 식별된 메모리 셀의 문턱 전압을 조정하는 프로그래밍부를 포함하고, 상기 프로그래밍부는 상기 조정된 문턱 전압을 가지는 메모리 셀에 상기 데이터를 프로그램하며, 이를 통해 문턱 전압의 산포(distribution)의 왜곡(distortion)을 줄일 수 있다.
멀티 비트 셀, 멀티 레벨 셀, FG 커플링, FP 커플링

Abstract translation: 提供了一种存储器件和存储器编程方法。 存储单元阵列的数据的模式的基础上，控制要被编程到所述多个存储器单元识别所述多​​个存储单元的是存储单元包括多个存储单元，所述本发明的存储器装置的阈值电压变化，和 以及编程部分，用于通过将编程条件电压施加到所识别的存储单元直到所识别的存储单元的阈值电压被包括在第一阈值电压部分中来调整所识别的存储单元的阈值电压， 数据被编程到具有调节的阈值电压的存储单元中，由此减少阈值电压分布的失真。

公开(公告)号：KR101204001B1

公开(公告)日：2012-11-23

申请号：KR1020070087372

申请日：2007-08-30

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 서국정 ,  윤인철 ,  조경래 ,  김형철 ,  송명섭

IPC: F24F1/00 ,  F24F6/00 ,  F24F11/02

Abstract: 열교환기에 물을 뿌리는 살수부재를 이용하여 실내를 가습하기 위한 공기조화기에 있어서 열교환기 표면의 스케일을 억제하기 위한 공기조화기의 가습 제어장치 및 방법을 개시한다. 실내 습도와 기준값을 비교하여 가습 모드와 건조 모드 중 어느 하나를 수행하되, 열교환기 표면에서 자연 건조되는 동작을 줄이기 위해 건조 모드에서는 급수 동작을 선택적으로 수행하도록 살수부재에 물을 공급하는 유량밸브의 동작을 제어한다. 이에 따라 열교환기 표면에서 발생할 수 있는 스케일을 억제한다.
열교환기, 가습, 스케일, 건조, 급수

公开(公告)号：KR1020120095609A

公开(公告)日：2012-08-29

申请号：KR1020110015032

申请日：2011-02-21

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김용준 ,  정정수 ,  공준진 ,  조경래

IPC: G11C7/10 ,  G11C16/04 ,  G06F12/02 ,  G06F13/16

CPC classification number: G06F13/16 ,  G11C7/1006 ,  G06F12/0246 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/06 ,  G11C16/10

Abstract: PURPOSE: A semiconductor memory system and a programming method thereof are provided to reduce BPD(Back Pattern Dependency) by randomizing data in a column direction. CONSTITUTION: A semiconductor memory system includes a semiconductor memory device including a storage area and a memory controller which control a program and a read operation in the storage area. A first randomizer changes program data in the storage area into the first random data by using a first sequence of a first cycle(S120). A second randomizer changes the first random data into the second random data by using a second sequence of a second cycle(S140). The first cycle is different from the second cycle. The second random data is provided to a memory cell array(S160).

Abstract translation: 目的：提供半导体存储器系统及其编程方法，以通过在列方向上随机化数据来减少BPD（反向图依赖性）。 构成：半导体存储器系统包括包括存储区域的半导体存储器件和控制存储区域中的程序和读取操作的存储器控​​制器。 第一随机发生器通过使用第一周期的第一序列将存储区域中的程序数据改变为第一随机数据（S120）。 第二随机发生器通过使用第二周期的第二序列将第一随机数据改变为第二随机数据（S140）。 第一个周期与第二个周期不同。 将第二随机数据提供给存储单元阵列（S160）。