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公开(公告)号：KR1020160087430A
公开(公告)日：2016-07-22
申请号：KR1020150006033
申请日：2015-01-13
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G06F11/1068 , G06F3/0604 , G06F3/0619 , G06F3/064 , G06F3/0679 , G06F11/1048 , G11C11/5642 , G11C29/42 , G11C29/52 , G11C16/04 , G11C16/08 , G11C16/14 , G11C16/34 , G11C29/18 , G11C2029/1202
Abstract: 본발명의실시예에따른불휘발성메모리시스템은불휘발성메모리장치및 불휘발성메모리장치를관리하는메모리컨트롤러를포함한다. 불휘발성메모리시스템의동작방법은외부장치로부터읽기커맨드및 읽기어드레스를수신하는단계; 읽기커맨드에응답하여읽기어드레스에대응되는, 읽기선택된메모리블록의읽기선택된워드라인의읽기데이터를읽는단계; 읽기선택된워드라인으로부터읽은데이터의에러비트를검출및 정정하는단계; 읽기선택된메모리블록에포함된복수워드라인들각각의소거방치시간및 검출된에러비트를기반으로복수의워드라인들의에러비트개수를추정하는단계; 및추정된에러비트개수들을기반으로복수의워드라인들중 일부워드라인들을부분리드리클레임하는단계를포함한다.
Abstract translation: 本发明的目的是提供一种通过使用擦除离开时间执行读取回收操作而提高可靠性和改善性能的非易失性存储器系统及其操作方法。 根据本发明，非易失性存储器系统包括：非易失性存储器件; 以及管理非易失性存储器件的存储器控制器。 非易失性存储器系统的操作方法包括以下步骤：从外部设备接收读取命令和读取地址; 响应于读取命令，读取对应于读取地址的读取选择的存储器块中读取选择的字线的读取数据; 检测和校正从读取的世界线读取的读取数据的错误位; 基于擦除离开时间估计多个字线的错误位数，以及所读出的选择存储块中包含的每个字线的检测到的错误位; 以及基于估计的错误比特数，在字线中的某些字线上执行部分读取回收操作。
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公开(公告)号：KR102250423B1
公开(公告)日：2021-05-12
申请号：KR1020150006033
申请日：2015-01-13
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 본발명의실시예에따른불휘발성메모리시스템은불휘발성메모리장치및 불휘발성메모리장치를관리하는메모리컨트롤러를포함한다. 불휘발성메모리시스템의동작방법은외부장치로부터읽기커맨드및 읽기어드레스를수신하는단계; 읽기커맨드에응답하여읽기어드레스에대응되는, 읽기선택된메모리블록의읽기선택된워드라인의읽기데이터를읽는단계; 읽기선택된워드라인으로부터읽은데이터의에러비트를검출및 정정하는단계; 읽기선택된메모리블록에포함된복수워드라인들각각의소거방치시간및 검출된에러비트를기반으로복수의워드라인들의에러비트개수를추정하는단계; 및추정된에러비트개수들을기반으로복수의워드라인들중 일부워드라인들을부분리드리클레임하는단계를포함한다.
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公开(公告)号：KR1020140020041A
公开(公告)日：2014-02-18
申请号：KR1020120086393
申请日：2012-08-07
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G11C16/26 , G06F11/1048 , G11C11/5642 , G11C13/004 , G11C16/0483 , G11C29/021 , G11C29/028
Abstract: A method for controlling a read voltage of a memory device, a data reading method using the same, and a memory system are disclosed. The method for controlling the read voltage of the memory device comprises the steps of: detecting a read voltage level of the memory device where a minimum error bit is generated in a data read operational process for a storage area of a first category in which a first error correction rate is applied; and determining the read voltage for the storage area of a second category in which a second error correction rate is applied based on the detected read voltage level. The first error correction rate is set with the higher correction rate than the second error correction rate. [Reference numerals] (AA) Start; (BB) End; (S110) Detecting a read voltage level of the memory device where a minimum error bit is generated in a data read operational process for a storage area of a first category in which a first error correction rate is applied; (S120) Determining the read voltage for the storage area of a second category in which a second error correction rate is applied based on the detected read voltage level
Abstract translation: 公开了一种用于控制存储器件的读取电压的方法，使用其的数据读取方法和存储器系统。 用于控制存储器件的读取电压的方法包括以下步骤：检测在第一类别的存储区域的数据读取操作过程中产生最小错误位的存储器件的读取电压电平，其中第一类型的存储区域 应用误差校正率; 以及基于检测到的读取电压电平来确定其中施加了第二纠错率的第二类别的存储区域的读取电压。 以比第二误差校正率更高的校正速率来设定第一纠错率。 （附图标记）（AA）开始; （BB）结束; （S110）检测在应用了第一纠错率的第一类别的存储区域的数据读取操作处理中产生最小错误位的存储器件的读取电压电平; （S120）基于检测到的读取电压电平来确定施加了第二纠错率的第二类别的存储区域的读取电压
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