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公开(公告)号：KR101931411B1
公开(公告)日：2018-12-20
申请号：KR1020160042906
申请日：2016-04-07
Applicant: 서강대학교산학협력단
IPC: H01M8/1088 , H01M8/1039 , H01M8/1032 , H01M8/1069 , H01M8/1018
Abstract: 본 발명은 이온전도성 고분자전해질막 캐스팅 과정 중 극성 양자성 용매의 상분리 향상 효과에 따른 이온채널의 크기 및 이온전도도를 조절하는 이온전도성 고분자전해질막 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
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2.发明公开프로톤 주게와 프로톤 받게를 갖는 다면체 올리고머형 실세스퀴옥산을 포함하는 탄화수소계 나노 복합막 및 이의 제조방법 审中-实审包含具有质子受体和质子受体的多面体低聚倍半硅氧烷的烃基纳米复合膜及其制造方法
公开(公告)号：KR1020170107633A
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：KR1020160031069
申请日：2016-03-15
Applicant: 서강대학교산학협력단
Abstract: 본발명은프로톤주게(proton donor)를갖는폴리헤드럴올리고메릭실세스퀴옥산(POSS)과프로톤받게(proton acceptor)를갖는폴리헤드럴올리고메릭실세스퀴옥산(POSS)이술폰기를갖는방향족탄화수소고분자막에도입된양성자전도성나노복합막및 이의제조방법에관한것이다. 본발명의나노복합막에는양성자주게를갖는 POSS와양성자받게를갖는 POSS가함께첨가되어있어발생된양성자(양이온)가이온채널내에서수소결합을통해쉽게호핑(hopping)되어이온전도도가증가된다. 또한, 본발명에사용된 POSS는그 크기가매우작아고분자막내 이온채널에서양성자의이동을거의방해하지않으므로우수한양성자전도도를구현할수 있다. 또한, 본발명에의한양성자전도성나노복합막은고분자막의술폰화도를높였음에도불구하고우수한기계적강도를보여준다.
Abstract translation: 具有供体质子（质子供体）甲氧基药剂倍半硅氧烷（POSS）和质子的本发明寡桶多面体接收具有（质子受体）甲氧基倍半硅氧烷药剂芳香烃（POSS）由具有多面体砜寡核苷酸桶 导入到聚合物膜中的质子传导性纳米复合膜及其制造方法。 容易跳频的纳米复合材料薄膜（跳频）通过氢键已经产生其添加与POSS与配件POSS与质子供体（阳离子）质子质子是本发明的离子通道增大了离子电导率。 另外，本发明中使用的POSS neungeu的尺寸小很少阻碍质子的移动在聚合物膜的离子通道可以实现优异的质子传导性。 而且，根据本发明的质子传导纳米复合材料膜尽管增加了聚合物膜的磺化度，但表现出优异的机械强度。
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3.发明公开프로톤 주게와 프로톤 받게를 갖는 다면체 올리고머형 실세스퀴옥산을 포함하는 탄화수소계 나노 복합막 및 이의 제조방법 有权包含聚合低聚硅烷氧基硅烷的磺化烃纳米复合膜与原子共轭体和原子接收体及其制备方法
公开(公告)号：KR1020160110578A
公开(公告)日：2016-09-22
申请号：KR1020150032309
申请日：2015-03-09
Applicant: 서강대학교산학협력단
IPC: H01M8/10
CPC classification number: H01M8/1048 , H01M8/1037 , H01M2008/1095 , H01M2300/0082
Abstract: 본발명은프로톤주게(proton donor)를갖는폴리헤드럴올리고메릭실세스퀴옥산(POSS)과프로톤받게(proton acceptor)를갖는폴리헤드럴올리고메릭실세스퀴옥산(POSS)이술폰기를갖는방향족탄화수소고분자막에도입된양성자전도성나노복합막및 이의제조방법에관한것이다. 본발명의나노복합막에는양성자주게를갖는 POSS와양성자받게를갖는 POSS가함께첨가되어있어발생된양성자(양이온)가이온채널내에서수소결합을통해쉽게호핑(hopping)되어이온전도도가증가된다. 또한, 본발명에사용된 POSS는그 크기가매우작아고분자막내 이온채널에서양성자의이동을거의방해하지않으므로우수한양성자전도도를구현할수 있다. 또한, 본발명에의한양성자전도성나노복합막은고분자막의술폰화도를높였음에도불구하고우수한기계적강도를보여준다.
Abstract translation: 本发明涉及质子传导纳米复合膜，其中具有质子供体的多面体低聚倍半硅氧烷（POSS）和具有质子受体的POSS引入到磺化芳族烃聚合物膜中，并且还涉及一种制备 相同。 将具有质子供体的POSS和具有质子受体的POSS添加到本发明的纳米复合膜中，因此通过离子通道内的氢键容易地跳跃产生的质子（正离子），从而增加离子传导性。 此外，本发明中使用的POSS的尺寸相当小，因此POSS很少阻碍聚合物膜内的离子通道中的质子的移动，从而实现期望的质子传导性。 此外，尽管聚合物膜的磺化度增加，但是本发明的质子传导性纳米复合膜显示出期望的机械强度。
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公开(公告)号：KR1020160006819A
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：KR1020140085839
申请日：2014-07-09
Applicant: 서강대학교산학협력단
CPC classification number: H01M8/1051 , B01J39/19 , C08J5/2256 , C08J5/2275 , C08J2371/10 , C08J2381/06 , H01B1/12 , H01M8/1025 , H01M8/1048 , H01M8/1069 , H01M2008/1095 , H01M2300/0068 , H01M2300/0082 , H01M2300/0091 , Y02P70/56 , H01M8/00 , C07F7/21 , H01B5/14
Abstract: 본발명은우수한양성자전도성및 기계적강도를나타내는실세스퀴옥산이도입된술폰화된폴리에테르에테르케톤(sulfonated polyetheretherketone (sPEEK)), 술폰화된폴리에테르케톤(sulfonated polyetherketone (sPEK)), 술폰화된폴리에테르술폰(sulfonated polyethersulfone (sPES)) 또는술폰화된폴리아릴렌에테르술폰(sulfonated polyarylethersulfone (sPAES))를포함하는술폰화된탄화수소계나노복합막및 이의제조방법에관한것이다. 본발명의나노복합막은필러로사용되는 POSS에양성자소스인다수의술폰산기가있어우수한전도성을가진다. 또한, 본발명에사용된 POSS는그 크기가매우작아고분자막내 이온채널에서양성자의이동을거의방해하지않으므로우수한양성자전도도를구현할수 있다. 또한, 본발명에의한양성자전도성나노복합막은폴리에테르에테르케톤(sulfonated polyetheretherketone (sPEEK)), sPEK, sPES 및 sPAES를포함하는탄화수소계고분자내 술폰화된 POSS를도입함으로서인장강도, 항복강도및 신율이동시에증가하고, 그값들이최대치를나타내는함량이존재한다.
Abstract translation: 本发明涉及具有磺化聚醚醚酮（sPEEK），磺化聚醚酮（sPEK），磺化聚醚砜（sPES）或磺化聚芳醚砜（sPAES）的磺化烃纳米复合膜，其中引入具有改善的质子传导性和机械强度的倍半硅氧烷， 制备磺化烃纳米复合膜。 根据本发明的纳米复合膜在多面体低聚倍半硅氧烷（POSS）中具有多个作为质子源的磺酸基，其用作纳米复合膜的填料，从而提高导电性。 此外，由于根据本发明的POSS太小，并且很少防止质子在聚合物膜内的离子通道中移动，因此可以改善质子传导性。 此外，由于本发明的质子传导性纳米复合膜将磺化POSS引入到包含sPEED，sPEK，sPES和sPAES的烃聚合物中，可以同时提高拉伸强度，屈服强度和延展性， 纳米复合膜中的含量比例使上述性能最大化。
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5.发明公开인산기-함유 실세스퀴옥산을 이용한 폴리벤즈이미다졸 나노복합막, 이의 제조 방법, 및 이를 포함하는 연료전지 无效使用含有磷酸基的硅烷基聚氧乙烯的聚苯乙烯纳米复合膜，其制备方法和包括其的燃料电池
公开(公告)号：KR1020140142031A
公开(公告)日：2014-12-11
申请号：KR1020130063564
申请日：2013-06-03
Applicant: 서강대학교산학협력단
Abstract: 본원은, 인산기-함유 실세스퀴옥산을 이용한 폴리벤지이미다졸 나노복합막, 상기 폴리벤지이미다졸 나노복합막의 제조 방법, 및 상기 폴리벤지이미다졸 나노복합막을 포함하는 연료전지에 관한 것이다.
Abstract translation: 本发明涉及使用含有磷酸基的倍半硅氧烷的聚苯并咪唑纳米复合膜; 其制造方法; 和包括该燃料电池的燃料电池。 聚苯并咪唑纳米复合膜包括：苯并咪唑基聚合物; 和由化学式1表示的多面体低聚倍半硅氧烷。根据本发明，可以制造可在非加湿条件下在120-200℃的高温下使用的高分子量燃料电池用电解质膜。
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Patent Agency Ranking6.发明授权프로톤 주게와 프로톤 받게를 갖는 다면체 올리고머형 실세스퀴옥산을 포함하는 불소계 나노 복합막 및 이의 제조방법 有权用于制备氟化纳米复合材料膜多面体低聚型室倍半过程及其与质子供体和质子配件含有二恶烷
公开(公告)号：KR101773246B1
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：KR1020150032323
申请日：2015-03-09
Applicant: 서강대학교산학협력단
IPC: H01M8/10
CPC classification number: Y02E60/523
Abstract: 본발명은프로톤주게(proton donor)를갖는폴리헤드럴올리고메릭실세스퀴옥산(POSS)과프로톤받게(proton acceptor)를갖는폴리헤드럴올리고메릭실세스퀴옥산(POSS)이불소계양성자전도성고분자막에도입된양성자전도성나노복합막및 이의제조방법에관한것이다. 본발명의나노복합막에는양성자주게를갖는 POSS와양성자받게를갖는 POSS가함께첨가되어있어발생된양성자(양이온)가이온채널내에서쉽게호핑(hopping)되어이온전도도가증가된다. 또한, 본발명에사용된 POSS는그 크기가매우작아고분자막내 이온채널에서양성자의이동을거의방해하지않으므로우수한양성자전도도를구현할수 있다.
Abstract translation: 具有供体质子（质子供体）甲氧基药剂倍半硅氧烷（POSS）和质子的本发明寡桶多面体接收甲氧药剂倍半硅氧烷（POSS）被套小计质子传导聚合物膜具有多面体寡核苷酸桶（质子受体） 质子传导纳米复合膜及其制造方法技术领域本发明涉及质子传导纳米复合膜及其制造方法。 根据本发明的纳米复合材料薄膜，有与所述配件具有质子和具有该产生的质子（阳离子）的质子供体POSS POSS容易地跳跃（跳跃）在离子通道增加离子电导率一起加入。 另外，本发明中使用的POSS neungeu的尺寸小很少阻碍质子的移动在聚合物膜的离子通道可以实现优异的质子传导性。
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7.发明公开프로톤 주게와 프로톤 받게를 갖는 다면체 올리고머형 실세스퀴옥산을 포함하는 불소계 나노 복합막 및 이의 제조방법 有权用原子共振和原子受体包含聚合的低聚硅烷基磺酸的氟化的纳米复合膜及其制备方法
公开(公告)号：KR1020160110579A
公开(公告)日：2016-09-22
申请号：KR1020150032323
申请日：2015-03-09
Applicant: 서강대학교산학협력단
IPC: H01M8/10
CPC classification number: Y02E60/523 , H01M8/1048 , H01M8/1039 , H01M2008/1095 , H01M2300/0082
Abstract: 본발명은프로톤주게(proton donor)를갖는폴리헤드럴올리고메릭실세스퀴옥산(POSS)과프로톤받게(proton acceptor)를갖는폴리헤드럴올리고메릭실세스퀴옥산(POSS)이불소계양성자전도성고분자막에도입된양성자전도성나노복합막및 이의제조방법에관한것이다. 본발명의나노복합막에는양성자주게를갖는 POSS와양성자받게를갖는 POSS가함께첨가되어있어발생된양성자(양이온)가이온채널내에서쉽게호핑(hopping)되어이온전도도가증가된다. 또한, 본발명에사용된 POSS는그 크기가매우작아고분자막내 이온채널에서양성자의이동을거의방해하지않으므로우수한양성자전도도를구현할수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及质子传导性纳米复合膜，其中具有质子供体的多面体低聚倍半硅氧烷（POSS）和具有质子受体的POSS引入到氟化质子传导性聚合物膜中，并且还涉及一种制备 一样。 将具有质子供体的POSS和具有质子受体的POSS添加到本发明的纳米复合膜中，因此生成的质子（正离子）容易在离子通道内跳跃，从而增加离子传导性。 此外，本发明中使用的POSS的尺寸相当小，因此POSS很少阻碍聚合物膜内的离子通道中的质子的移动，从而实现期望的质子传导性。
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公开(公告)号：KR101352564B1
公开(公告)日：2014-01-17
申请号：KR1020120040975
申请日：2012-04-19
Applicant: 서강대학교산학협력단
Abstract: 본 발명은 술폰산기를 가지는 실세스퀴옥산을 이용한 양성자 전도성 고분자 나노 복합막에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 화학적으로 결합된 술폰산기를 가지는 케이지 구조의 실세스퀴옥산과 불소계 양선자 전도성 폴리머가 혼합되어 있어서 양성자 전도도가 우수하고 기계적 물성이 현저하게 개선된 양성자 전도성 고분자 나노복합막에 관한 것이다.
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9.发明公开이온전도성 고분자전해질막 캐스팅 과정 중 극성 용매의 상분리 향상 효과에 따른 이온채널의 크기가 조절된 이온전도성 고분자전해질막 및 이의 제조방법 审中-实审该方法的离子导电性高分子电解质膜 - 铸造工艺是相分离的效果的离子通道的受控离子导电聚合物电解质的尺寸，以改善薄膜和极性溶剂的制备
公开(公告)号：KR1020170115354A
公开(公告)日：2017-10-17
申请号：KR1020160042906
申请日：2016-04-07
Applicant: 서강대학교산학협력단
IPC: H01M8/1088 , H01M8/1039 , H01M8/1032 , H01M8/1069 , H01M8/1018
CPC classification number: H01M8/1018 , H01M8/1032 , H01M8/1039 , H01M8/1069 , H01M8/1088
Abstract: 본발명은이온전도성고분자전해질막캐스팅과정중 극성양자성용매의상분리향상효과에따른이온채널의크기및 이온전도도를조절하는이온전도성고분자전해질막및 이의제조방법에관한것이다.
Abstract translation: 本发明涉及一种离子导电性高分子电解质膜铸造过程中，极性质子溶剂服装分离的离子导电性高分子电解质膜和用于调节离子通道，并根据该效果的增加离子传导性的大小的方法。
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公开(公告)号：KR1020170107634A
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：KR1020160031072
申请日：2016-03-15
Applicant: 서강대학교산학협력단
IPC: C08J5/22 , H01M8/1037 , C08K5/5435
Abstract: 본발명은프로톤주게(proton donor)를갖는폴리헤드럴올리고메릭실세스퀴옥산(POSS)과프로톤받게(proton acceptor)를갖는폴리헤드럴올리고메릭실세스퀴옥산(POSS)이불소계양성자전도성고분자막에도입된양성자전도성나노복합막및 이의제조방법에관한것이다. 본발명의나노복합막에는양성자주게를갖는 POSS와양성자받게를갖는 POSS가함께첨가되어있어발생된양성자(양이온)가이온채널내에서쉽게호핑(hopping)되어이온전도도가증가된다. 또한, 본발명에사용된 POSS는그 크기가매우작아고분자막내 이온채널에서양성자의이동을거의방해하지않으므로우수한양성자전도도를구현할수 있다.
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