公开(公告)号：KR101274068B1

公开(公告)日：2013-06-12

申请号：KR1020100048569

申请日：2010-05-25

Applicant: 엘지디스플레이 주식회사 ,  서울대학교산학협력단

Inventor： 김영미 ,  강호철 ,  김호진 ,  이창희 ,  차국헌 ,  이성훈 ,  곽정훈 ,  배완기 ,  이동구 ,  임재훈

IPC: H01L51/56

CPC classification number: H01L51/502 ,  H01L27/3244 ,  H01L51/5004 ,  H01L51/5036

Abstract: 본 발명은 역구조(inverted type)의 양자점 발광 소자를 적용하여, 용액 공정으로 진행하는 양자점 발광층의 형성 후 정공 수송층을 형성함으로써, 양자점 발광층으로의 유입이 용이한 정공 수송층 형성 재료의 선택이 자유로운 양자점 발광 소자 및 이를 이용한 디스플레이와 이들의 제조 방법에 관한 것으로, 본 발명의 양자점 발광 소자는 기판 상부에 형성된 음극;과, 상기 음극 상에 형성된 양자점 발광층; 및 상기 양자점 발광층 상에 형성된 양극을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 한다.

公开(公告)号：KR102201402B1

公开(公告)日：2021-01-12

申请号：KR1020190036002

申请日：2019-03-28

Applicant: 서울대학교산학협력단

Inventor： 안성훈 ,  민수홍 ,  김형수 ,  김호진 ,  유장현

IPC: G06K19/077 ,  G06K19/07 ,  H05K1/09 ,  H05K1/11

Abstract: 유연성 RFID 태그제조방법및 이에의해제조된유연성 RFID 태그가개시된다. 금속나노입자와탄소나노튜브를혼합한복합나노소재를인쇄용원료로사용한다. 공기역학적으로펌핑타이밍을조절하여그 복합나노소재를여기(excitation)시키는것을통해에어로졸화하여분사노즐을통해작업챔버내의신축성과휘임성이좋은유연성기판표면에분사하여직접인쇄한다. 이를통해, 마이크로스케일의도선패턴이인쇄된유연성 RFID 태그를제작할수 있다. 이직접인쇄는저압분위기와실내온도에서솔벤트나수지등을사용하지않고수행될수 있다. 직접인쇄후, 별도의화학적후처리나열처리를필요로하지않는다. 유연한 RFID 태그를제작하여웨어러블소자등 다양한분야에서의활용성을높이는데 의의가있다.

公开(公告)号：KR1020110129121A

公开(公告)日：2011-12-01

申请号：KR1020100048569

申请日：2010-05-25

Applicant: 엘지디스플레이 주식회사 ,  서울대학교산학협력단

Inventor： 김영미 ,  강호철 ,  김호진 ,  이창희 ,  차국헌 ,  이성훈 ,  곽정훈 ,  배완기 ,  이동구 ,  임재훈

IPC: H01L51/56

CPC classification number: H01L51/502 ,  H01L27/3244 ,  H01L51/5004 ,  H01L51/5036

Abstract: PURPOSE: A quantum dot light emitting diode device and a display using the same are provided to prevent a hole-transport layer from being solved in a solution by forming the hole-transport layer after a liquid solution process for forming the quantum dot light emitting diode. CONSTITUTION: In a quantum dot light emitting diode device and a display using the same, a cathode(310) is formed on a substrate(300). A quantum dot light-emitting layer(330) is formed on the cathode. An anode(350) is formed on the quantum dot light-emitting layer. An electron-transport layer(320) is formed between the cathode and the quantum dot light-emitting layer. A hole-transport layer(340) is formed between the quantum dot light-emitting layer and the anode.

Abstract translation: 目的：提供量子点式发光二极管装置及使用其的显示器，以防止在用于形成量子点发光二极管的液体溶液处理之后通过形成空穴传输层而在溶液中溶解空穴传输层 。 构成：在量子点式发光二极管装置及使用其的显示器中，在基板（300）上形成阴极（310）。 在阴极上形成量子点发光层（330）。 在量子点发光层上形成阳极（350）。 在阴极和量子点发光层之间形成电子传输层（320）。 在量子点发光层和阳极之间形成空穴传输层（340）。