公开(公告)号：KR101641367B1

公开(公告)日：2016-07-21

申请号：KR1020100047397

申请日：2010-05-20

Applicant: 엘지디스플레이 주식회사 ,  서울대학교산학협력단

Inventor： 곽정훈 ,  강호철 ,  노영훈 ,  이창희 ,  차국헌 ,  이성훈 ,  배완기 ,  임재훈 ,  이동구

IPC: H01L51/52 ,  H01L51/50

CPC classification number: B82Y20/00 ,  H01L21/02601 ,  H01L51/502 ,  H05B33/10

Abstract: 본발명은전하수송입자와양자점으로구성된양자발광층및 전하수송층을용액공정(Solution process)으로형성한양자점발광소자및 이의제조방법에관한것으로, 본발명에따른양자점발광소자는기판과; 상기기판상에형성된양극과; 상기양극상에형성되며전하수송입자와양자점이혼합된양자발광층; 및상기양자발광층상에형성된음극을포함하여이루어진다.

公开(公告)号：KR101274068B1

公开(公告)日：2013-06-12

申请号：KR1020100048569

申请日：2010-05-25

Applicant: 엘지디스플레이 주식회사 ,  서울대학교산학협력단

Inventor： 김영미 ,  강호철 ,  김호진 ,  이창희 ,  차국헌 ,  이성훈 ,  곽정훈 ,  배완기 ,  이동구 ,  임재훈

IPC: H01L51/56

CPC classification number: H01L51/502 ,  H01L27/3244 ,  H01L51/5004 ,  H01L51/5036

Abstract: 본 발명은 역구조(inverted type)의 양자점 발광 소자를 적용하여, 용액 공정으로 진행하는 양자점 발광층의 형성 후 정공 수송층을 형성함으로써, 양자점 발광층으로의 유입이 용이한 정공 수송층 형성 재료의 선택이 자유로운 양자점 발광 소자 및 이를 이용한 디스플레이와 이들의 제조 방법에 관한 것으로, 본 발명의 양자점 발광 소자는 기판 상부에 형성된 음극;과, 상기 음극 상에 형성된 양자점 발광층; 및 상기 양자점 발광층 상에 형성된 양극을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 한다.

公开(公告)号：KR101744904B1

公开(公告)日：2017-06-21

申请号：KR1020100025437

申请日：2010-03-22

Applicant: 삼성디스플레이 주식회사 ,  서울대학교산학협력단

Inventor： 강종혁 ,  신중한 ,  박재병 ,  이동훈 ,  차국헌 ,  이성훈 ,  배완기 ,  임재훈

IPC: H01L51/54 ,  H01L51/50 ,  C09K11/06

CPC classification number: C09K11/025 ,  C08F8/06 ,  C09K11/08 ,  C08F116/34

Abstract: 양자점-블록공중합체하이브리드는양자점과상기양자점을둘러싼블록공중합체를포함한다. 상기블록공중합체는상기양자점과화학결합을이루는황을포함하는기능기를가진다. 발광소자는양자점-블록공중합체를포함한발광소자를포함한다. 양자점-블록공중합체하이브리드는양자점을형성하고, 황을포함하는기능기를가지는블록공중합체를형성한후, 양자점과블록공중합체를혼합하고, 혼합물에에너지를가하여양자점에상기기능기를화학결합시켜제조한다. 양자점-블록공중합체하이브리드는하이브리드와매트릭스고분자를톨루엔과같은용매에용해시키고용액을교반함으로써양자점을매트릭스고분자내에분산시킨다. 양자점은스핀코팅, 드랍캐스팅또는닥터블레이드법으로기판상에형성된다.

Abstract translation: 量子点 - 嵌段共聚物杂化物包括量子点和围绕量子点的嵌段共聚物。 嵌段共聚物具有含有与量子点化学结合的硫的官能团。 该发光器件包括包含量子点 - 嵌段共聚物的发光器件。 QD-制备的嵌段共聚物混合，以形成量子点，具有包括硫，通过混合与嵌段共聚物的量子点的官能团的嵌段共聚物的形成后，并在该混合物中去直到能量被化学键合至基团，其中在量子点的特征 的。 量子点 - 嵌段共聚物混合通过溶解混合和在溶剂中的基体聚合物，例如甲苯和搅拌该溶液聚合物分散在量子点的矩阵。 通过旋涂，滴注或刮刀法在基板上形成量子点。

公开(公告)号：KR101462005B1

公开(公告)日：2014-11-19

申请号：KR1020120139848

申请日：2012-12-04

Applicant: 서울대학교산학협력단

Inventor： 차국헌 ,  이성훈 ,  임재훈 ,  배완기

IPC: B82B1/00 ,  B82B3/00 ,  H01L31/042

CPC classification number: H01L31/036 ,  B82Y30/00 ,  C30B7/14 ,  C30B29/46 ,  C30B29/60

Abstract: 코어 용액에 제2첨가제가 함유된 전구체 용액을 고정 속도 또는 가변 속도로 연속적으로 주입하는 단계를 포함하여 형상 선택성(shape selectivity) 및 균일성이 향상된 나노 결정, 그 제조방법 및 이를 포함하는 소자가 제공된다.

公开(公告)号：KR1020110129121A

公开(公告)日：2011-12-01

申请号：KR1020100048569

申请日：2010-05-25

Applicant: 엘지디스플레이 주식회사 ,  서울대학교산학협력단

Inventor： 김영미 ,  강호철 ,  김호진 ,  이창희 ,  차국헌 ,  이성훈 ,  곽정훈 ,  배완기 ,  이동구 ,  임재훈

IPC: H01L51/56

CPC classification number: H01L51/502 ,  H01L27/3244 ,  H01L51/5004 ,  H01L51/5036

Abstract: PURPOSE: A quantum dot light emitting diode device and a display using the same are provided to prevent a hole-transport layer from being solved in a solution by forming the hole-transport layer after a liquid solution process for forming the quantum dot light emitting diode. CONSTITUTION: In a quantum dot light emitting diode device and a display using the same, a cathode(310) is formed on a substrate(300). A quantum dot light-emitting layer(330) is formed on the cathode. An anode(350) is formed on the quantum dot light-emitting layer. An electron-transport layer(320) is formed between the cathode and the quantum dot light-emitting layer. A hole-transport layer(340) is formed between the quantum dot light-emitting layer and the anode.

Abstract translation: 目的：提供量子点式发光二极管装置及使用其的显示器，以防止在用于形成量子点发光二极管的液体溶液处理之后通过形成空穴传输层而在溶液中溶解空穴传输层 。 构成：在量子点式发光二极管装置及使用其的显示器中，在基板（300）上形成阴极（310）。 在阴极上形成量子点发光层（330）。 在量子点发光层上形成阳极（350）。 在阴极和量子点发光层之间形成电子传输层（320）。 在量子点发光层和阳极之间形成空穴传输层（340）。

公开(公告)号：KR1020110106175A

公开(公告)日：2011-09-28

申请号：KR1020100025434

申请日：2010-03-22

Applicant: 삼성디스플레이 주식회사 ,  서울대학교산학협력단

Inventor： 강종혁 ,  신중한 ,  박재병 ,  이동훈 ,  남민기 ,  차국헌 ,  이성훈 ,  배완기 ,  임재훈 ,  정주현

IPC: H01L21/20 ,  H01L33/04

CPC classification number: H01L21/02628 ,  C09K11/623 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/02557 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02601

Abstract: 양자점 제조 방법은 II족 전구체 용액과 III족 전구체 용액의 제1 혼합물을 반응기에 넣고 200℃ 내지 350℃로 가열하는 단계와, 제1 혼합물을 가열된 온도로 유지하면서 제1 혼합물에 V족 전구체 용액과 VI족 전구체 용액을 가하여 제2 혼합물을 제조하는 단계 및 제2 혼합물을 가열된 온도로 유지하여 양자점의 코어와 쉘을 형성하는 단계를 포함한다.

公开(公告)号：KR101664180B1

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：KR1020100025434

申请日：2010-03-22

Applicant: 삼성디스플레이 주식회사 ,  서울대학교산학협력단

Inventor： 강종혁 ,  신중한 ,  박재병 ,  이동훈 ,  남민기 ,  차국헌 ,  이성훈 ,  배완기 ,  임재훈 ,  정주현

IPC: H01L21/20 ,  H01L33/04

CPC classification number: H01L21/02628 ,  C09K11/623 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/02557 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02601

Abstract: 양자점제조방법은 II족전구체용액과 III족전구체용액의제1 혼합물을반응기에넣고 200℃내지 350℃로가열하는단계와, 제1 혼합물을가열된온도로유지하면서제1 혼합물에 V족전구체용액과 VI족전구체용액을가하여제2 혼합물을제조하는단계및 제2 혼합물을가열된온도로유지하여양자점의코어와쉘을형성하는단계를포함한다.

公开(公告)号：KR1020110127897A

公开(公告)日：2011-11-28

申请号：KR1020100047397

申请日：2010-05-20

Applicant: 엘지디스플레이 주식회사 ,  서울대학교산학협력단

Inventor： 곽정훈 ,  강호철 ,  노영훈 ,  이창희 ,  차국헌 ,  이성훈 ,  배완기 ,  임재훈 ,  이동구

IPC: H01L51/52 ,  H01L51/50

CPC classification number: B82Y20/00 ,  H01L21/02601 ,  H01L51/502 ,  H05B33/10 ,  H01L51/0003

Abstract: PURPOSE: A quantum dot light emitting device and a manufacturing method thereof are provided to reduce manufacturing costs by forming a quantum light emitting layer and a charge transport layer by a solution process. CONSTITUTION: An anode(210) is formed in the top of a substrate. A quantum light-emitting layer(230) is formed on the anode and a charge transport particle and a quantum dot are mixed. A cathode is formed on the quantum light-emitting layer. A charge transport particle is an oxide nano particle. The diameter of a quantum dot is 2nm to 20nm. An electron-transport layer(240a) is composed an N-type semiconductor nano particle and is formed on the quantum light-emitting layer.

Abstract translation: 目的：提供量子点发光器件及其制造方法，通过溶液法形成量子发光层和电荷输送层来降低制造成本。 构成：在衬底的顶部形成阳极（210）。 在阳极上形成量子发光层（230），电荷输送粒子和量子点混合。 在量子发光层上形成阴极。 电荷输送粒子是氧化物纳米粒子。 量子点的直径为2nm至20nm。 电子传输层（240a）由N型半导体纳米颗粒组成，并形成在量子发光层上。

公开(公告)号：KR1020110106176A

公开(公告)日：2011-09-28

申请号：KR1020100025437

申请日：2010-03-22

Applicant: 삼성디스플레이 주식회사 ,  서울대학교산학협력단

Inventor： 강종혁 ,  신중한 ,  박재병 ,  이동훈 ,  차국헌 ,  이성훈 ,  배완기 ,  임재훈

IPC: H01L51/54 ,  H01L51/50 ,  C09K11/06

CPC classification number: C09K11/025 ,  C08F8/06 ,  C09K11/08 ,  C08F116/34 ,  H01L51/0043 ,  H01L51/0077 ,  H01L51/502

Abstract: Disclosed are a quantum dot-block copolymer hybrid, methods of fabricating and dispersing the same, a light emitting device including the same, and a fabrication method thereof. The quantum dot-block copolymer hybrid includes; a quantum dot, and a block copolymer surrounding the quantum dot, wherein the block copolymer has a functional group comprising sulfur (S) and forms a chemical bond with the quantum dot.

公开(公告)号：KR1020140072441A

公开(公告)日：2014-06-13

申请号：KR1020120139848

申请日：2012-12-04

Applicant: 서울대학교산학협력단

Inventor： 차국헌 ,  이성훈 ,  임재훈 ,  배완기

IPC: B82B1/00 ,  B82B3/00 ,  H01L31/042

CPC classification number: H01L31/036 ,  B82Y30/00 ,  C30B7/14 ,  C30B29/46 ,  C30B29/60

Abstract: Provided are a nanocrystal, a method for preparing the same, and a device containing the same including a step for continuously injecting a precursor solution containing a second additive to a core solution at a fixed speed or at a variable speed so that shape selectivity and uniformity are improved.

Abstract translation: 提供一种纳米晶体及其制备方法，以及含有该纳米晶体的器件，其包括以固定速度或可变速度将包含第二添加剂的前体溶液连续注入芯溶液的步骤，使得形状选择性和均匀性 改进了