公开(公告)号：KR101664180B1

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：KR1020100025434

申请日：2010-03-22

Applicant: 삼성디스플레이 주식회사 ,  서울대학교산학협력단

Inventor： 강종혁 ,  신중한 ,  박재병 ,  이동훈 ,  남민기 ,  차국헌 ,  이성훈 ,  배완기 ,  임재훈 ,  정주현

IPC: H01L21/20 ,  H01L33/04

CPC classification number: H01L21/02628 ,  C09K11/623 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/02557 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02601

Abstract: 양자점제조방법은 II족전구체용액과 III족전구체용액의제1 혼합물을반응기에넣고 200℃내지 350℃로가열하는단계와, 제1 혼합물을가열된온도로유지하면서제1 혼합물에 V족전구체용액과 VI족전구체용액을가하여제2 혼합물을제조하는단계및 제2 혼합물을가열된온도로유지하여양자점의코어와쉘을형성하는단계를포함한다.

公开(公告)号：KR1020110127897A

公开(公告)日：2011-11-28

申请号：KR1020100047397

申请日：2010-05-20

Applicant: 엘지디스플레이 주식회사 ,  서울대학교산학협력단

Inventor： 곽정훈 ,  강호철 ,  노영훈 ,  이창희 ,  차국헌 ,  이성훈 ,  배완기 ,  임재훈 ,  이동구

IPC: H01L51/52 ,  H01L51/50

CPC classification number: B82Y20/00 ,  H01L21/02601 ,  H01L51/502 ,  H05B33/10 ,  H01L51/0003

Abstract: PURPOSE: A quantum dot light emitting device and a manufacturing method thereof are provided to reduce manufacturing costs by forming a quantum light emitting layer and a charge transport layer by a solution process. CONSTITUTION: An anode(210) is formed in the top of a substrate. A quantum light-emitting layer(230) is formed on the anode and a charge transport particle and a quantum dot are mixed. A cathode is formed on the quantum light-emitting layer. A charge transport particle is an oxide nano particle. The diameter of a quantum dot is 2nm to 20nm. An electron-transport layer(240a) is composed an N-type semiconductor nano particle and is formed on the quantum light-emitting layer.

Abstract translation: 目的：提供量子点发光器件及其制造方法，通过溶液法形成量子发光层和电荷输送层来降低制造成本。 构成：在衬底的顶部形成阳极（210）。 在阳极上形成量子发光层（230），电荷输送粒子和量子点混合。 在量子发光层上形成阴极。 电荷输送粒子是氧化物纳米粒子。 量子点的直径为2nm至20nm。 电子传输层（240a）由N型半导体纳米颗粒组成，并形成在量子发光层上。

公开(公告)号：KR1020100075100A

公开(公告)日：2010-07-02

申请号：KR1020080133716

申请日：2008-12-24

Applicant: 서울대학교산학협력단 ,  삼성전자주식회사

Inventor： 이성훈 ,  홍정표

IPC: H01L29/768 ,  H05B33/10 ,  B82Y30/00

CPC classification number: H01L51/0005 ,  H01L51/0007 ,  H01L51/0012 ,  H01L51/0094 ,  H01L51/0558 ,  Y02E10/549

Abstract: PURPOSE: A method for forming an active channel layer of an organic field effect transistor and the organic field effect transistor using the same are provided to improve an electrical property by including an active channel layer which is arranged from a grain boundary. CONSTITUTION: Disclosed is a method for forming an active channel layer between a source electrode and a drain electrode. A first liquid(105) is dropped on the drain electrode. A second liquid(106) with dissolved organic semiconductor materials is dropped on the first liquid. The evaporation speed of the first liquid is slower than the evaporation speed of the second liquid. The first liquid and the second liquid have different polarities not to be mixed. The density of the first liquid is larger than the density of the second liquid.

Abstract translation: 目的：提供一种用于形成有机场效应晶体管的有源沟道层的方法和使用其的有机场效应晶体管，以通过包括从晶界排列的有源沟道层来改善电性能。 构成：公开了一种在源电极和漏电极之间形成有源沟道层的方法。 第一液体（105）滴在漏电极上。 具有溶解的有机半导体材料的第二液体（106）滴在第​​一液体上。 第一液体的蒸发速度比第二液体的蒸发速度慢。 第一液体和第二液体具有不同的极性不混合。 第一液体的密度大于第二液体的密度。

公开(公告)号：KR101478448B1

公开(公告)日：2015-01-02

申请号：KR1020130076427

申请日：2013-07-01

Applicant: 서울대학교산학협력단

Inventor： 이창희 ,  차국헌 ,  이성훈 ,  이동구 ,  임재훈 ,  송지연

IPC: H01L31/04 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L51/426 ,  B82Y40/00 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521

Abstract: 본 발명은 광흡수층 제작방법 및 이 광흡수층을 포함하는 반도체 소자의 제작방법에 관한 것으로, 일 실시예에 따르면, 기판 위에 반도체 나노입자 용액을 도포하여 나노입자 박막을 형성하는 단계; 나노입자간의 결합을 유도하기 위해, 형성된 상기 나노입자 박막을 적어도 1회 이상 열처리하는 단계; 및 상기 나노입자 박막에 광흡수재 용액을 도포하여 광흡수층을 형성하는 단계;를 포함하는 광흡수층의 제작 방법 및 이 광흡수층을 포함하는 반도체 소자의 제작 방법을 개시한다.

Abstract translation: 本发明涉及一种制造光吸收层的方法和一种制造包括光吸收层的半导体器件的方法。 根据本发明的一个实施方案，制备光吸收层的方法包括以下步骤：通过将半导体纳米颗粒溶液施加到基底上形成纳米颗粒薄膜; 至少一次热处理纳米颗粒薄膜以诱导纳米颗粒之间的耦合; 以及通过将光吸收溶液施加到所述纳米颗粒薄膜上而形成光吸收层。

公开(公告)号：KR101419810B1

公开(公告)日：2014-07-15

申请号：KR1020120037560

申请日：2012-04-10

Applicant: 서울대학교산학협력단

Inventor： 김장주 ,  박영서 ,  이성훈 ,  김권현

IPC: H01L51/50

CPC classification number: H01L51/5016 ,  H01L51/0054 ,  H01L51/0059 ,  H01L51/008 ,  H01L51/0085 ,  H01L51/5004 ,  H01L51/5024 ,  H01L2251/5384 ,  H01L2251/552

Abstract: 바닥전극; 상기 바닥전극과 대향된 상부전극; 및 상기 바닥전극과 상기 상부전극 사이에 개재된 유기층으로서, 엑시플렉스를 형성하는 ⅰ) 정공 수송성 호스트와 ⅱ) 전자 수송성 호스트, 및 상기 정공 수송성 호스트의 삼중항 에너지, 상기 전자 수송성 호스트의 삼중항 에너지 및 상기 엑시플렉스의 삼중항 에너지보다 작은 삼중항 에너지를 갖는 ⅲ) 인광 도펀트를 포함하는 유기층;을 포함하는 유기 발광 소자가 제공된다.

公开(公告)号：KR1020140072441A

公开(公告)日：2014-06-13

申请号：KR1020120139848

申请日：2012-12-04

Applicant: 서울대학교산학협력단

Inventor： 차국헌 ,  이성훈 ,  임재훈 ,  배완기

IPC: B82B1/00 ,  B82B3/00 ,  H01L31/042

CPC classification number: H01L31/036 ,  B82Y30/00 ,  C30B7/14 ,  C30B29/46 ,  C30B29/60

Abstract: Provided are a nanocrystal, a method for preparing the same, and a device containing the same including a step for continuously injecting a precursor solution containing a second additive to a core solution at a fixed speed or at a variable speed so that shape selectivity and uniformity are improved.

Abstract translation: 提供一种纳米晶体及其制备方法，以及含有该纳米晶体的器件，其包括以固定速度或可变速度将包含第二添加剂的前体溶液连续注入芯溶液的步骤，使得形状选择性和均匀性 改进了

公开(公告)号：KR1020120048241A

公开(公告)日：2012-05-15

申请号：KR1020100109778

申请日：2010-11-05

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  서울대학교산학협력단

Inventor： 정현종 ,  이재호 ,  이재홍 ,  신형철 ,  서순애 ,  이성훈 ,  허진성 ,  양희준

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/1606 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/778 ,  H01L29/66431

Abstract: PURPOSE: A semiconductor device and a manufacturing method thereof are provided to improve applicability of a high speed operation element by forming an inter layer dielectric and a gate insulating layer by using different material. CONSTITUTION: A gate electrode(12) is formed on a substrate(10). The gate electrode comprises a projected gate finger. A gate insulating layer(13) is formed on the gate electrode. An inter-layer insulating film(11) is formed on the side of the gate insulating layer and the gate electrode. The inter-layer insulating film comprises a material having dielectric permittivity lower than the gate insulating layer. A graphene layer(14) is formed on the gate insulating layer and the inter-layer insulating film. A source(15a) and a drain(15b) are formed on the graphene layer. Graphene is formed in the lower side of the graphene layer between the source and drain.

Abstract translation: 目的：提供半导体器件及其制造方法，以通过使用不同的材料形成层间电介质和栅绝缘层来提高高速工作元件的适用性。 构成：在基板（10）上形成栅电极（12）。 栅极电极包括投影的栅极指状物。 栅极绝缘层（13）形成在栅电极上。 在栅极绝缘层和栅电极的一侧形成层间绝缘膜（11）。 层间绝缘膜包括具有低于栅极绝缘层的介电常数的材料。 在栅极绝缘层和层间绝缘膜上形成石墨烯层（14）。 源极（15a）和漏极（15b）形成在石墨烯层上。 在源极和漏极之间的石墨烯层的下侧形成石墨烯。

公开(公告)号：KR1020110041934A

公开(公告)日：2011-04-22

申请号：KR1020090098978

申请日：2009-10-16

Applicant: 서울대학교산학협력단

Inventor： 홍종인 ,  이성훈 ,  권종철 ,  이우철 ,  홍정표 ,  김명기

IPC: C09K11/06 ,  H01L51/54

CPC classification number: Y02E10/52

Abstract: PURPOSE: A tris(4-naphthalen-1-yl-phenyl)amine material is provided to enable use as a blue light emitting material in an organic light-emitting device of a low molecular weight level, and to embody an efficient device when used as a hole transport material of an organic light-emitting device of green. CONSTITUTION: A tris(4-naphthalen-1-yl-phenyl)amine material represented by chemical formula 1 is available in an organic light-emitting device, organic solar cell device and organic transistor. The organic light-emitting device uses the tris(4-naphthalen-1-yl-phenyl)amine represented by chemical formula 1 which is a triphenylamine derivative as a light-emitting material or hole transfer material.

Abstract translation: 目的：提供三（4-萘-1-基 - 苯基）胺材料，以在低分子量水平的有机发光装置中用作蓝色发光材料，并且当使用时体现有效的装置 作为绿色有机发光元件的空穴传输材料。 构成：由化学式1表示的三（4-萘-1-基 - 苯基）胺材料可用于有机发光器件，有机太阳能电池器件和有机晶体管。 有机发光装置使用由作为发光材料或空穴转移材料的三苯胺衍生物的化学式1所示的三（4-萘-1-基 - 苯基）胺。

公开(公告)号：KR101791938B1

公开(公告)日：2017-11-02

申请号：KR1020100138041

申请日：2010-12-29

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  서울대학교산학협력단

Inventor： 정현종 ,  이재홍 ,  이재호 ,  신형철 ,  서순애 ,  이성훈 ,  허진성 ,  양희준

IPC: H01L29/78

CPC classification number: H01L29/1606 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/66045 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78684 ,  H01L29/78696

Abstract: 복수의그래핀채널층을구비한그래핀전자소자가개시된다. 개시된그래핀전자소자는기판상의게이트전극과, 상기기판상에서상기게이트전극을덮는제1 게이트절연막과, 상기제1 게이트절연막상에서, 그사이에제2 게이트절연막이개재된복수의그래핀채널층과, 상기복수의그래핀채널층의각 그래핀채널층의양단부와연결된소스전극및 드레인전극을구비한다.

Abstract translation: 公开了具有多个石墨烯沟道层的石墨烯电子器件。 它公开的石墨烯电子器件和覆盖在栅电极上的栅电极的第一栅极绝缘膜，和在基板上的基板，栅极上的第一绝缘膜，以及所述多个第二栅极绝缘膜的隔着鳍沟道层; 并且源电极和漏电极连接到多个石墨烯沟道层中的每个石墨烯沟道层的两端。

公开(公告)号：KR101718961B1

公开(公告)日：2017-03-23

申请号：KR1020100109778

申请日：2010-11-05

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  서울대학교산학협력단

Inventor： 정현종 ,  이재호 ,  이재홍 ,  신형철 ,  서순애 ,  이성훈 ,  허진성 ,  양희준

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/1606 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/778

Abstract: 그래핀을포함하는반도체소자및 그제조방법이개시된다. 개시된반도체소자는게이트전극과그래핀층사이에게이트절연층이형성될수 있으며, 나머지그래핀층하부에는층간절연막이형성될수 있다. 게이트절연막은층간절연막보다높은유전율을지닌물질로형성될수 있다.

Abstract translation: 公开了包括石墨烯的半导体器件及其制造方法。 在所公开的半导体器件中，栅极绝缘层可以形成在栅电极和石墨烯层之间，并且层间绝缘层可以形成在剩余的石墨烯层下面。 栅极绝缘膜可以由具有比层间绝缘膜更高的介电常数的材料形成。