公开(公告)号：KR1020110001275A

公开(公告)日：2011-01-06

申请号：KR1020090058748

申请日：2009-06-30

Applicant: 서울대학교산학협력단

Inventor： 김기범 ,  임기필 ,  위정섭

IPC: H01L21/027

CPC classification number: G03F7/0755 ,  B29C59/022 ,  G03F7/0002 ,  H01J37/3174

Abstract: PURPOSE: An electron resist, a manufacturing method thereof are provided to simplify a manufacturing process by using an electron beam resist with conductivity and transparency. CONSTITUTION: An electron beam resist includes an HSQ(hydrogen silsesquioxane) and a carbon nanotube. An electron beam resist layer(720) is formed on the patterned target. An electron beam resist pattern(725) is formed on the electron beam resist layer. The target is patterned by using the electron beam resist pattern.

Abstract translation: 目的：提供电子抗蚀剂及其制造方法，以通过使用具有导电性和透明性的电子束抗蚀剂来简化制造工艺。 构成：电子束抗蚀剂包括HSQ（氢倍半硅氧烷）和碳纳米管。 在图案化靶上形成电子束抗蚀剂层（720）。 电子束抗蚀剂图案（725）形成在电子束抗蚀剂层上。 通过使用电子束抗蚀剂图案对靶进行图案化。