公开(公告)号：KR101023498B1

公开(公告)日：2011-03-21

申请号：KR1020090072411

申请日：2009-08-06

Applicant: 서울대학교산학협력단

Inventor： 김기범 ,  김현미 ,  위정섭

IPC: G11C11/15

CPC classification number: G11C11/161

Abstract: 본 발명은 물질의 결정구조를 이용한 패턴 형성장치를 이용함으로써, 노치(notch)가 규칙적으로 형성된 마그네틱 나노선(magnetic nanowire)을 용이하게 형성할 수 있는 레이스트랙 메모리(racetrack memory)의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 레이스트랙 메모리 제조방법은 격자이미지가 노치가 규칙적으로 형성되어 있는 나노선 패턴인 대상물질을 챔버에 위치시킨 후, 대상물질에 전자빔을 조사한다. 그리고 자성물질과 전자빔 레지스트가 순차적으로 적층되어 있는 기판에 대상물질을 통과한 전자빔을 조사한 후, 현상 및 식각하여 노치가 규칙적으로 형성되어 있는 마그네틱 나노선을 형성한다.

公开(公告)号：KR1020110014845A

公开(公告)日：2011-02-14

申请号：KR1020090072411

申请日：2009-08-06

Applicant: 서울대학교산학협력단

Inventor： 김기범 ,  김현미 ,  위정섭

IPC: G11C11/15

CPC classification number: G11C11/161 ,  H01L43/12 ,  B82Y10/00 ,  H01L27/222

Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a racetrack memory is provided to easily form a magnetic nano line by using a pattern forming device using a crystal structure of materials. CONSTITUTION: An object is a nano line pattern and is arranged on a chamber. An electron beam(500) is radiated to the object. A substrate(510) is exposed to the electron beam which passes through the object. An electron beam resister(530) exposed to the electron beam passing through the object is developed. The electron beam resister nano line pattern is formed. A magnetic nano line is formed by etching a magnetic material(520).

Abstract translation: 目的：提供一种制造赛道记忆的方法，通过使用材料的晶体结构的图案形成装置容易地形成磁性纳米线。 构成：物体是纳米线图案，并且被布置在腔室上。 电子束（500）被辐射到物体。 衬底（510）暴露于穿过物体的电子束。 开发了暴露于通过物体的电子束的电子束电阻（530）。 形成电子束电阻纳米线图案。 通过蚀刻磁性材料（520）形成磁性纳米线。

公开(公告)号：KR1020110001275A

公开(公告)日：2011-01-06

申请号：KR1020090058748

申请日：2009-06-30

Applicant: 서울대학교산학협력단

Inventor： 김기범 ,  임기필 ,  위정섭

IPC: H01L21/027

CPC classification number: G03F7/0755 ,  B29C59/022 ,  G03F7/0002 ,  H01J37/3174

Abstract: PURPOSE: An electron resist, a manufacturing method thereof are provided to simplify a manufacturing process by using an electron beam resist with conductivity and transparency. CONSTITUTION: An electron beam resist includes an HSQ(hydrogen silsesquioxane) and a carbon nanotube. An electron beam resist layer(720) is formed on the patterned target. An electron beam resist pattern(725) is formed on the electron beam resist layer. The target is patterned by using the electron beam resist pattern.

Abstract translation: 目的：提供电子抗蚀剂及其制造方法，以通过使用具有导电性和透明性的电子束抗蚀剂来简化制造工艺。 构成：电子束抗蚀剂包括HSQ（氢倍半硅氧烷）和碳纳米管。 在图案化靶上形成电子束抗蚀剂层（720）。 电子束抗蚀剂图案（725）形成在电子束抗蚀剂层上。 通过使用电子束抗蚀剂图案对靶进行图案化。