公开(公告)号：KR101514600B1

公开(公告)日：2015-04-23

申请号：KR1020140036699

申请日：2014-03-28

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 김형섭 ,  변영철

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/316

CPC classification number: H01L21/02175 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/02472 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/0262

Abstract: 반도체소자제조방법이개시된다. 반도체소자제조방법은 p-형반도체기판의표면에제1 원자층증착공정을이용하여산화아연박막을형성하는단계; 및상기산화아연박막상부에제2 원자층증착공정을이용하여고유전율(high-K) 절연막을형성하는단계를포함한다.

Abstract translation: 公开了半导体器件的制造方法。 制造半导体器件的方法包括以下步骤：在p型半导体衬底的表面上通过使用第一原子层沉积工艺形成氧化锌薄膜; 并且通过使用第二原子层沉积工艺在氧化锌薄膜的上部形成高介电率（高K）绝缘膜。