公开(公告)号：KR101353970B1

公开(公告)日：2014-01-22

申请号：KR1020120074423

申请日：2012-07-09

Applicant: 소이텍

Inventor： 고댕구엘타즈 ,  마즈레카를로스

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/324 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/76254

Abstract: 도너 기판(31) 내에 종을 주입하는 단계, 지지 기판(1)에 도너 기판(31)을 본딩시키는 단계, 취성 구역(32)에서 도너 기판(31)을 균열시키는 단계 및 이송된 단결정층의 표면을 제거하는 단계를 포함하며, 이송된 단결정층(2)의 부분(34)이 단결정층(3)의 제2 부분(35)의 결정 격자를 와해시키는 것 없이 비결정질이 되는 단계로서 부분(34, 35)들은 각각 주입방향에 대해 단결정층(3)의 표면 부분 및 매립된 부분인 단계 및 단결정층(3)의 비결정질 부분(34)이 재결정화되는 단계로서 제2 부분(35)의 결정 격자는 재결정화를 위한 시드의 역할을 하고 재결정화는 500℃ 미만의 온도에서 수행되는 단계를 더 포함하는 지지 기판(1) 상에 단결정 반도체층(3)을 이송하기 위한 방법을 제공한다.

公开(公告)号：KR1020130014354A

公开(公告)日：2013-02-07

申请号：KR1020120074423

申请日：2012-07-09

Applicant: 소이텍

Inventor： 고댕구엘타즈 ,  마즈레카를로스

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/324 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/76254

Abstract: PURPOSE: A method for transferring a single crystal semiconductor layer on a support substrate is provided to transfer the single crystal semiconductor layer without crystalline defects due to brittle injection. CONSTITUTION: A brittle section(32) is formed by injecting an atomic seed to a donor substrate(31) and determines a range of a transferred single crystal layer(3). The brittle section is obtained by an oxide layer(33) on one surface of the donor substrate. The oxide layer promotes the following bonding of the donor substrate on the support substrate. A first part(34) and a second part(35) of the single crystal layer are the surface part and the buried part of the single crystal layer.

Abstract translation: 目的：提供用于在支撑基板上转印单晶半导体层的方法，以转移单晶半导体层，而不会由于脆性注入而导致晶体缺陷。 构成：通过将原子种子注入施主衬底（31）并确定转移的单晶层（3）的范围来形成脆性部分（32）。 脆性部分通过在供体衬底的一个表面上的氧化物层（33）获得。 氧化物层促进供体衬底在支撑衬底上的以下结合。 单晶层的第一部分（34）和第二部分（35）是单晶层的表面部分和掩埋部分。