결함의 형성을 제한하는 헤테로구조의 제조방법
    1.
    发明公开
    결함의 형성을 제한하는 헤테로구조의 제조방법 审中-实审
    制定限制形成缺陷的结构的方法

    公开(公告)号:KR1020140104436A

    公开(公告)日:2014-08-28

    申请号:KR1020147016394

    申请日:2012-11-21

    Applicant: 소이텍

    Abstract: 본 발명은 적어도 하나의 박막층 및 반도체로 만들어진 캐리어 기판을 포함하는 헤테로구조의 제조방법에 대한 것으로서, 본 방법은 다음으로 구성된다: 다결정 제2물질로 제조된 표면층(40)을 포함하는 단일-결정 제1 물질로 만들어진 제1 기판(10)을 제2기판(20)에 결합하여 결합 인터페이스(50)가 다결정층(40)과 제2 기판(20) 사이에 형성되는 단계, 기판들(10, 20) 들 중 어느 하나의 자유면, 소위 도너 기판으로부터 그것의 한 두께를 제거하여 오직 박막층 (12, 22)이 보존되도록 하는 단계, 다결정 물질층의 비정질화에 의하여 제1 기판(10)과 결합 인터페이스(50) 사이에 비정질 반도체 물질층(41)을 생성하는 단계, 및 비정질 반도체 물질층(41)을 결정화하는 단계로서, 새로이 결정화된 층은 상기 인접한 제1 기판(10)과 동일한 방향을 가짐.

    지지 기판 상에 단결정 반도체층을 이송하기 위한 방법
    4.
    发明授权
    지지 기판 상에 단결정 반도체층을 이송하기 위한 방법 有权
    将单晶半导体层传输到支撑基板上的方法

    公开(公告)号:KR101353970B1

    公开(公告)日:2014-01-22

    申请号:KR1020120074423

    申请日:2012-07-09

    Applicant: 소이텍

    CPC classification number: H01L21/76254

    Abstract: 도너 기판(31) 내에 종을 주입하는 단계, 지지 기판(1)에 도너 기판(31)을 본딩시키는 단계, 취성 구역(32)에서 도너 기판(31)을 균열시키는 단계 및 이송된 단결정층의 표면을 제거하는 단계를 포함하며, 이송된 단결정층(2)의 부분(34)이 단결정층(3)의 제2 부분(35)의 결정 격자를 와해시키는 것 없이 비결정질이 되는 단계로서 부분(34, 35)들은 각각 주입방향에 대해 단결정층(3)의 표면 부분 및 매립된 부분인 단계 및 단결정층(3)의 비결정질 부분(34)이 재결정화되는 단계로서 제2 부분(35)의 결정 격자는 재결정화를 위한 시드의 역할을 하고 재결정화는 500℃ 미만의 온도에서 수행되는 단계를 더 포함하는 지지 기판(1) 상에 단결정 반도체층(3)을 이송하기 위한 방법을 제공한다.

    지지 기판 상에 단결정 반도체층을 이송하기 위한 방법
    6.
    发明公开
    지지 기판 상에 단결정 반도체층을 이송하기 위한 방법 有权
    将单晶半导体层传输到支撑基板上的方法

    公开(公告)号:KR1020130014354A

    公开(公告)日:2013-02-07

    申请号:KR1020120074423

    申请日:2012-07-09

    Applicant: 소이텍

    CPC classification number: H01L21/76254

    Abstract: PURPOSE: A method for transferring a single crystal semiconductor layer on a support substrate is provided to transfer the single crystal semiconductor layer without crystalline defects due to brittle injection. CONSTITUTION: A brittle section(32) is formed by injecting an atomic seed to a donor substrate(31) and determines a range of a transferred single crystal layer(3). The brittle section is obtained by an oxide layer(33) on one surface of the donor substrate. The oxide layer promotes the following bonding of the donor substrate on the support substrate. A first part(34) and a second part(35) of the single crystal layer are the surface part and the buried part of the single crystal layer.

    Abstract translation: 目的:提供用于在支撑基板上转印单晶半导体层的方法,以转移单晶半导体层,而不会由于脆性注入而导致晶体缺陷。 构成:通过将原子种子注入施主衬底(31)并确定转移的单晶层(3)的范围来形成脆性部分(32)。 脆性部分通过在供体衬底的一个表面上的氧化物层(33)获得。 氧化物层促进供体衬底在支撑衬底上的以下结合。 单晶层的第一部分(34)和第二部分(35)是单晶层的表面部分和掩埋部分。

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