VLS 방법에서 나노씨앗 입자의 분무를 이용한 금속산화물 나노선 합성방법
    1.
    发明授权
    VLS 방법에서 나노씨앗 입자의 분무를 이용한 금속산화물 나노선 합성방법 有权
    在VLS方法上使用纳米尺寸种子颗粒喷雾的金属氧化物纳米线的合成方法

    公开(公告)号:KR101145098B1

    公开(公告)日:2012-07-06

    申请号:KR1020070091491

    申请日:2007-09-10

    Abstract: 본 발명은 금속산화물 나노선 합성방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 용액 상태에서 균일한 크기 분포를 갖는 순수한 금속 나노입자의 제조단계; 상기 금속 나노입자를 기판 위에 고르게 분포시키는 단계; 및 상기 기판 및 선구체 물질을 VLS(vapor-liquid-solid) 방법을 사용하여 금속산화물 나노선을 성장시키는 단계를 포함하는 금속산화물 나노선 합성방법에 관한 것이다. 본 발명의 금속산화물 나노선 합성방법은 VLS 법에서 분무법을 이용하여 기판 위에 균일한 조성 및 밀도를 갖는 나노씨앗 입자 분포를 간단하고 쉽게 얻을 수 있으며 희석 용매의 종류 및 희석도에 따라 금속 산화물 나노선의 밀도 및 분포를 조절 가능하다.
    나노선, 금속산화물, 분무법, VLS, 나노입자 분포

    VLS 방법에서 나노씨앗 입자의 분무를 이용한 금속산화물 나노선 합성방법
    2.
    发明公开
    VLS 방법에서 나노씨앗 입자의 분무를 이용한 금속산화물 나노선 합성방법 有权
    使用纳米尺寸的颗粒喷雾对金属氧化物纳米线的合成方法

    公开(公告)号:KR1020090026483A

    公开(公告)日:2009-03-13

    申请号:KR1020070091491

    申请日:2007-09-10

    Abstract: A synthesis method of metallic oxide nano-wires using spray of nano-sized seed particles is provided to control density and distribution of the gold nanoparticle according to kind and dilution of a dilution solvent. A synthesis method of metallic oxide nano-wires using spray of nano-sized seed particles comprises steps of: manufacturing pure metal nanoparticle having uniform-size distribution at solution state; distributing evenly metal nanoparticle on a substrate; and growing the substrate and the precursor material into the metallic oxide nano-wires using a vapor-liquid-solid method. The metal nanoparticle is selected from particle consisting of gold, silver, platinum and copper. The substrate is selected from substrate consisting of Si, SiO2, Al2O3 and STO.

    Abstract translation: 提供使用纳米尺寸种子颗粒喷雾的金属氧化物纳米线的合成方法,以根据稀释溶剂的种类和稀释度来控制金纳米颗粒的密度和分布。 使用纳米尺寸种子颗粒喷雾的金属氧化物纳米线的合成方法包括以下步骤:制备在溶液状态下具有均匀分布的纯金属纳米颗粒; 将金属纳米颗粒均匀分布在基材上; 并使用汽 - 液 - 固方法将衬底和前体材料生长成金属氧化物纳米线。 金属纳米颗粒选自由金,银,铂和铜组成的颗粒。 衬底选自由Si,SiO 2,Al 2 O 3和STO组成的衬底。

    반도체 나노 구조체의 제조방법
    3.
    发明授权
    반도체 나노 구조체의 제조방법 有权
    半导体纳米结构的制备方法

    公开(公告)号:KR100821357B1

    公开(公告)日:2008-04-11

    申请号:KR1020060098129

    申请日:2006-10-09

    Abstract: A method for fabricating a semiconductor nano structure is provided to easily adjust the focus of laser and maintain uniformity of a sample by performing a laser ablation process on a compound semiconductor powder dispersed to an aqueous medium. Metal oxide powder is dispersed to an aqueous solution containing surfactant(10). A laser beam is injected to the aqueous solution to perform an ablation process on the metal oxide powder(20). A dispersion solution of a compound semiconductor nano particles is gathered from the ablated aqueous solution(30). The gathered dispersion solution is dried to collect the compound semiconductor nano particles(40). While the laser beam is injected to the aqueous solution, ultrasonic vibration can be applied to the aqueous solution.

    Abstract translation: 提供一种制造半导体纳米结构的方法,通过对分散在水性介质中的化合物半导体粉末进行激光烧蚀处理,容易地调整激光的焦点并保持样品的均匀性。 将金属氧化物粉末分散在含有表面活性剂(10)的水溶液中。 将激光束注入到水溶液中以对金属氧化物粉末(20)进行消融处理。 从烧蚀的水溶液(30)收集化合物半导体纳米颗粒的分散溶液。 将聚集的分散液干燥以收集化合物半导体纳米颗粒(40)。 当激光束被注入到水溶液中时,可以对水溶液施加超声波振动。

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