公开(公告)号：KR20210033767A

公开(公告)日：2021-03-29

申请号：KR1020190115468A

申请日：2019-09-19

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 장우진 ,  임용 ,  오승현 ,  이재훈

IPC: H03M1/18 ,  H03M1/00 ,  H03M1/38

CPC classification number: H03M1/466 ,  H03M1/181 ,  H03K5/249 ,  H03M1/002 ,  H03M1/38 ,  H03M1/00 ,  H03M1/06 ,  H03M1/1009 ,  H03M1/12

Abstract: 아날로그 디지털 변환기 및 아날로그 디지털 변환기의 아날로그 디지털 변환 방법이 제공된다. 아날로그 디지털 변환기는, 입력 신호와 기준 신호를 비교하여 비교 신호를 출력하는 비교기, 비교 신호를 바탕으로 기준 신호를 조절하는 제어 신호를 출력하는 제어 로직, 및 제어 신호를 바탕으로 기준 신호를 조절하는 기준 신호 조절 회로를 포함하되, 비교기는, 제1 크기를 갖는 제1 트랜지스터를 이용하여 입력 신호와 기준 신호의 차이를 제1 증폭하는 제1 프리 앰프와, 제1 크기와 다른 제2 크기를 갖는 제2 트랜지스터를 이용하여 입력 신호와 기준 신호의 차이를 제2 증폭하는 제2 프리 앰프와, 제1 프리 앰프의 출력과 제2 프리 앰프의 출력 중 적어도 하나를 이용하여 비교 신호를 생성하는 래치를 포함하되, 제1 프리 앰프와 제2 프리 앰프는 래치를 공유한다.

公开(公告)号：KR20210033770A

公开(公告)日：2021-03-29

申请号：KR1020190115474A

申请日：2019-09-19

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정미래 ,  이현석 ,  박중호 ,  이재훈 ,  황태호 ,  이윤수 ,  강지영

IPC: G06N5/02 ,  G06Q50/10

CPC classification number: G06N5/025 ,  G06F16/9535 ,  G06F16/9024 ,  G06N5/022 ,  G06Q50/10

Abstract: 본 개시는 지식 그래프에 기초하여 콘텐트를 제공하는 방법 및 장치에 관한 것으로, 지식 그래프를 생성하는 디바이스의 동작 방법은, 상기 디바이스의 동작과 관련된 로그 이력 정보를 획득하는 동작; 서버에 의해 생성된 서버 지식 그래프를 상기 서버로부터 수신하는 동작; 상기 서버 지식 그래프 및 상기 로그 이력 정보를 이용하여, 디바이스 지식 그래프를 생성하는 동작; 상기 디바이스 지식 그래프 내의 엔티티들 및 상기 엔티티들 간의 관계에 기초하여, 상기 디바이스의 사용자의 행동 패턴과 관련된 패턴 지식 그래프를 생성하는 동작; 및 상기 생성된 패턴 지식 그래프를 상기 디바이스 지식 그래프에 추가함으로써, 상기 디바이스 지식 그래프를 업데이트하는 동작; 을 포함할 수 있다.

公开(公告)号：KR20210024863A

公开(公告)日：2021-03-08

申请号：KR1020190104575A

申请日：2019-08-26

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이재훈 ,  임용 ,  김완 ,  성바로샘 ,  오승현

IPC: H03M1/10 ,  H03M1/12 ,  H03M1/18

CPC classification number: H03K5/2481 ,  H03K5/22 ,  H03K5/2472 ,  H03K5/249 ,  H03M1/129 ,  H03M1/18 ,  H03M1/1023 ,  H03M1/361

Abstract: 제어 신호에 따라 오프셋을 교정하는 비교기는, 본 개시의 예시적 실시예에 따라, 제1 입력 신호 및 제2 입력 신호를 수신하고 제1 입력 신호 및 제2 입력 신호 각각 대응하는 제1 내부 신호 및 제2 내부 신호를 생성하는 입력 스테이지, 양의 공급 전압이 인가되도록 구성된 양전압 노드로부터 음의 전압이 인가되도록 구성된 음전압 노드로 흐르는 공급 전류를 소비하도록 구성되고, 제1 내부 신호 및 제2 내부 신호 사이 차를 증폭함으로써 출력 신호를 생성하는 차동 증폭 회로, 및 제어 신호에 기초하여, 공급 전류 중 적어도 일부를 조절하는 전류 밸브를 포함할 수 있다.

公开(公告)号：WO2020149546A1

公开(公告)日：2020-07-23

申请号：PCT/KR2019/018421

申请日：2019-12-24

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박중호 ,  이윤수 ,  이재훈 ,  정미래 ,  강지영 ,  곽세진

IPC: G06F3/01 ,  G06F3/00 ,  G06F16/904 ,  G06N3/08

Abstract: 전자 장치가 개시된다. 본 전자 장치는 적어도 하나의 명령을 포함하는 메모리 및 메모리와 연결되어 전자 장치를 제어하는 프로세서를 포함하고, 프로세서는 적어도 하나의 명령을 실행함으로써, 전자 장치에 대한 사용자의 인터렉션에 기초하여 이미지를 획득하고, 이미지에서 획득된 객체 및 인터렉션 시의 컨텍스트 정보에 기초하여 사용자의 의도 정보를 획득하고, 사용자의 의도 정보에 기초하여 메모리에 저장된 지식 베이스로부터 획득된 객체와 관련된 정보를 획득하며, 지식 베이스는 사용자의 액티비티가 수행된 복수의 전자 장치에 대한 디바이스 정보, 액티비티에 기초하여 획득된 복수의 객체에 대한 객체 정보 및 서로 관련된 정보에 대응되는 의도 정보를 포함하며, 프로세서는 지식 베이스로부터, 획득된 객체에 대응되는 의도 정보에 기초하여 획득된 객체와 관련된 정보를 획득한다.

公开(公告)号：WO2022025567A1

公开(公告)日：2022-02-03

申请号：PCT/KR2021/009649

申请日：2021-07-26

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 배범희 ,  성영훈 ,  이재훈 ,  천정남

IPC: H05K1/02 ,  H05K3/28 ,  H04M1/02 ,  H01Q1/38

Abstract: FPCB 조립체가 개시된다. FPCB 조립체는, 신호를 전송하기 위한 도전층, 도전층 상부에 배치되는 유전층, 유전층 상부에 배치되는 접지층 및 접지층 상부 또는 하부에 배치되며, 접지층의 복수의 영역을 전기적으로 연결하는 보조 금속층을 포함하며, 도전층, 유전층, 접지층 및 보조 금속층은 유연성을 가질 수 있다.

公开(公告)号：WO2020180001A1

公开(公告)日：2020-09-10

申请号：PCT/KR2020/000261

申请日：2020-01-07

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이재훈 ,  이윤수 ,  황태호 ,  이현석 ,  정미래

IPC: G06F16/23 ,  G06F16/242 ,  G06F16/33 ,  G06F16/36 ,  G06F3/16 ,  G06F40/205

Abstract: 전자 장치가 개시된다. 본 개시의 전자 장치는, 마이크, 적어도 하나의 명령을 포함하는 메모리 및 마이크 및 메모리와 연결되어 전자 장치를 제어하는 프로세서를 포함하고, 프로세서는, 적어도 하나의 명령을 실행함으로써, 마이크를 통해 사용자 음성이 입력되면, 입력된 사용자 음성으로부터 키워드를 추출하고, 사용자 음성이 입력된 시점의 컨텍스트 정보를 획득하고, 추출된 키워드 및 컨텍스트 정보에 기초하여 사용자 음성과 관련된 객체(object) 및 객체에 대한 지식 정보를 획득하고, 객체에 대한 지식 정보를 바탕으로 에 저장된 지식 데이터베이스를 업데이트한다. 특히, 전자 장치가 사용자 문의에 대한 응답을 제공하는 방법의 적어도 일부는 기계학습, 신경망 또는 딥러닝 알고리즘 중 적어도 하나에 따라 학습된 인공지능 모델을 이용할 수 있다.

公开(公告)号：WO2020159111A1

公开(公告)日：2020-08-06

申请号：PCT/KR2020/000622

申请日：2020-01-13

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이재훈 ,  이윤수 ,  황태호 ,  강지영 ,  곽세진 ,  이현석 ,  정미래

IPC: H04L29/08 ,  G06F16/36

Abstract: 전자 장치가 개시된다. 본 전자 장치는, 회로(circuitry)를 포함하는 통신부, 온톨로지(Ontology)가 저장된 스토리지, 통신부를 통해 데이터 소스로부터 데이터가 수신되면, 온톨로지에 기초하여 서버가 제공하는 기능을 위해 요구되는 형태로 수신된 데이터를 전처리하고, 전처리된 데이터를 통신부를 통해 서버로 전송하는 프로세서를 포함한다.

公开(公告)号：KR1020050110961A

公开(公告)日：2005-11-24

申请号：KR1020040035944

申请日：2004-05-20

Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단 ,  삼성전자주식회사

Inventor： 유봉현 ,  이재훈 ,  한민구

IPC: G09G3/30

CPC classification number: G09G3/3233 ,  G09G3/3291 ,  G09G2300/043 ,  G09G2300/0819 ,  G09G2300/0842 ,  G09G2300/0861 ,  G09G2320/043

Abstract: 본 발명은 표시 장치 및 그 구동 방법에 관한 것으로, 이 표시 장치는 복수의 화소를 포함하며, 각 화소는, 발광 소자, 축전기, 발광 소자에 구동 전류를 공급하는 구동 트랜지스터, 주사 신호에 따라 구동 트랜지스터를 다이오드 연결시키며 데이터 전압을 구동 트랜지스터에 공급하는 제1 스위칭부, 그리고 발광 신호에 따라 구동 전압을 구동 트랜지스터에 공급하고 발광 소자와 축전기를 구동 트랜지스터에 연결하는 제2 스위칭부를 포함한다. 이때 축전기는 제1 스위칭부를 통하여 구동 트랜지스터에 연결되어 데이터 전압과 구동 트랜지스터의 문턱 전압에 의존하는 제어 전압을 저장하고 제2 스위칭부를 통하여 구동 트랜지스터에 연결되어 제어 전압을 구동 트랜지스터에 다시 공급한다. 본 발명에 의하면 구동 트랜지스터와 유기 발광 소자의 문턱 전압이 열화되더라도 이를 보상하여 화질 열화를 방지할 수 있다.

公开(公告)号：KR101142994B1

公开(公告)日：2012-05-08

申请号：KR1020040035944

申请日：2004-05-20

Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단 ,  삼성전자주식회사

Inventor： 유봉현 ,  이재훈 ,  한민구

IPC: G09G3/30

CPC classification number: G09G3/3233 ,  G09G3/3291 ,  G09G2300/043 ,  G09G2300/0819 ,  G09G2300/0842 ,  G09G2300/0861 ,  G09G2320/043

Abstract: 본 발명은 표시 장치 및 그 구동 방법에 관한 것으로, 이 표시 장치는 복수의 화소를 포함하며, 각 화소는, 발광 소자, 축전기, 발광 소자에 구동 전류를 공급하는 구동 트랜지스터, 주사 신호에 따라 구동 트랜지스터를 다이오드 연결시키며 데이터 전압을 구동 트랜지스터에 공급하는 제1 스위칭부, 그리고 발광 신호에 따라 구동 전압을 구동 트랜지스터에 공급하고 발광 소자와 축전기를 구동 트랜지스터에 연결하는 제2 스위칭부를 포함한다. 이때 축전기는 제1 스위칭부를 통하여 구동 트랜지스터에 연결되어 데이터 전압과 구동 트랜지스터의 문턱 전압에 의존하는 제어 전압을 저장하고 제2 스위칭부를 통하여 구동 트랜지스터에 연결되어 제어 전압을 구동 트랜지스터에 다시 공급한다. 본 발명에 의하면 구동 트랜지스터와 유기 발광 소자의 문턱 전압이 열화되더라도 이를 보상하여 화질 열화를 방지할 수 있다.
표시 장치, 유기 발광 소자, 박막 트랜지스터, 축전기, 문턱 전압, 열화

Abstract translation: 每个像素包括：发光元件; 电容器; 驱动晶体管，其具有控制端子，输入端子和输出端子，并且将驱动电流提供给发光元件以发光; 第一开关单元，所述第一开关单元响应于扫描信号二极管连接所述驱动晶体管并向所述驱动晶体管提供数据电压; 以及第二开关单元，所述第二开关单元响应于发射信号向所述驱动晶体管提供驱动电压并且将所述发光元件和所述电容器连接到所述驱动晶体管，其中，所述电容器通过所述第一开关单元连接到所述驱动晶体管， 控制电压是数据电压和驱动晶体管的阈值电压的函数，并且通过第二开关单元连接到驱动晶体管，以将控制电压提供给驱动晶体管。

公开(公告)号：KR100821357B1

公开(公告)日：2008-04-11

申请号：KR1020060098129

申请日：2006-10-09

Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단 ,  삼성전자주식회사

Inventor： 강위경 ,  이재훈 ,  정영근 ,  박성태

IPC: H01L21/20 ,  B82Y40/00

CPC classification number: H01L21/02172 ,  B82Y40/00 ,  H01L21/02601 ,  H01L21/268 ,  H01L21/449

Abstract: A method for fabricating a semiconductor nano structure is provided to easily adjust the focus of laser and maintain uniformity of a sample by performing a laser ablation process on a compound semiconductor powder dispersed to an aqueous medium. Metal oxide powder is dispersed to an aqueous solution containing surfactant(10). A laser beam is injected to the aqueous solution to perform an ablation process on the metal oxide powder(20). A dispersion solution of a compound semiconductor nano particles is gathered from the ablated aqueous solution(30). The gathered dispersion solution is dried to collect the compound semiconductor nano particles(40). While the laser beam is injected to the aqueous solution, ultrasonic vibration can be applied to the aqueous solution.

Abstract translation: 提供一种制造半导体纳米结构的方法，通过对分散在水性介质中的化合物半导体粉末进行激光烧蚀处理，容易地调整激光的焦点并保持样品的均匀性。 将金属氧化物粉末分散在含有表面活性剂（10）的水溶液中。 将激光束注入到水溶液中以对金属氧化物粉末（20）进行消融处理。 从烧蚀的水溶液（30）收集化合物半导体纳米颗粒的分散溶液。 将聚集的分散液干燥以收集化合物半导体纳米颗粒（40）。 当激光束被注入到水溶液中时，可以对水溶液施加超声波振动。