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公开(公告)号：KR101183738B1
公开(公告)日：2012-09-17
申请号：KR1020107027916
申请日：2008-05-14
Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단
CPC classification number: H03L7/0995 , H03K3/0322 , H03K3/35613 , H03K2005/0013 , H03L1/00 , H03L7/0998 , H03L7/18 , H03L2207/50
Abstract: 본 발명은 유사 차동 증폭 회로(pseudo-differential pair)를 구성하고 PMOS와 NMOS에 래치(latch)를 구성함으로써, 공급 전원의 변동을 상승 및 하강 에지 양쪽에서 대칭적으로 보상함으로써 전파 지연 지터를 최소화한다. 본 발명은 거친 튜닝(coarse tuning)을 위한 지연 선(delay line)에서 양 쪽으로 두 개의 노드를 취하고 정밀 튜닝을 위한 블록을 구성하고, 공급 전원의 변동에 대응해서 지연 셀의 궤환 래치의 강도를 보상하는 방법을 제공한다. 본 발명은 공급 전원 V
DD 가 증가하면 PMOS의 구동력을 증대시키는데, 그만큼 출력 전압이 증가 되어, 증가한 출력 전압이 NMOS 래치를 강하게 닫히도록 해서 이전 상태를 반전하는데 그만큼 시간 지연이 생기게 되므로 전체적 전파 지연을 일정하게 할 수 있다. 그 결과, 전원 전압이 약간 변동을 하더라도 지터 잡음없이 일정 주파수의 클럭을 발진할 수 있다.-
公开(公告)号：KR100957527B1
公开(公告)日：2010-05-11
申请号：KR1020070117422
申请日：2007-11-16
Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단
IPC: C09J133/08 , C09J133/10 , C09J133/00
Abstract: 본 발명은 UV 중합형 아크릴계 점착제에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 유리전이온도가 다른 아크릴계 점착제와 점착부여수지인 로진메타아크릴레이트를 혼합하고 UV 조사를 통하여 경화시킨 UV 중합형 아크릴계 점착제에 관한 것이다. UV 중합형 아크릴계 점착제는, (a) 로진과 글리시딜 메타아크릴레이트를 촉매 존재 하에서 중합하여 로진메타아크릴레이트를 제조하는 단계; (b) 2-에틸헥실아크릴레이트, 아크릴산, 및 비닐아세테이트를 중합하여 아크릴계 점착제를 제조하는 단계; (c) 상기 로진메타아크릴레이트, 상기 아크릴계 점착제 및 광개시제를 혼합하는 단계; 및 (d) 상기 혼합물에 UV를 조사하여 중합시키는 단계를 포함하는 제조방법으로 제조된다.
UV 중합, 아크릴계 점착제, 로진, 로진메타아크릴레이트-
公开(公告)号：KR1020090050794A
公开(公告)日：2009-05-20
申请号：KR1020070117422
申请日：2007-11-16
Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단
IPC: C09J133/08 , C09J133/10 , C09J133/00
CPC classification number: C09J133/10 , C09J11/06 , C09J133/08
Abstract: 본 발명은 UV 중합형 아크릴계 점착제에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 유리전이온도가 다른 아크릴계 점착제와 점착부여수지인 로진메타아크릴레이트를 혼합하고 UV 조사를 통하여 경화시킨 UV 중합형 아크릴계 점착제에 관한 것이다. UV 중합형 아크릴계 점착제는, (a) 로진과 글리시딜 메타아크릴레이트를 촉매 존재 하에서 중합하여 로진메타아크릴레이트를 제조하는 단계; (b) 2-에틸헥실아크릴레이트, 아크릴산, 및 비닐아세테이트를 중합하여 아크릴계 점착제를 제조하는 단계; (c) 상기 로진메타아크릴레이트, 상기 아크릴계 점착제 및 광개시제를 혼합하는 단계; 및 (d) 상기 혼합물에 UV를 조사하여 중합시키는 단계를 포함하는 제조방법으로 제조된다.
UV 중합, 아크릴계 점착제, 로진, 로진메타아크릴레이트-
公开(公告)号：KR1020090022215A
公开(公告)日：2009-03-04
申请号：KR1020070087364
申请日：2007-08-30
Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단
IPC: C09J163/00 , C09J133/08 , C09J133/10
CPC classification number: C09J163/00 , C09J9/00 , C09J133/00
Abstract: A method for manufacturing self-curing epoxy functionalized acrylic pressure-sensitive adhesives is provided to obtain epoxy functionalized acrylic pressure-sensitive adhesives with excellent adhesive strength through only heat treatment without using a crosslinking agent. A method for manufacturing self-curing epoxy functionalized acrylic pressure-sensitive adhesives comprises (a) a step for manufacturing a copolymer precursor by adding azobisbutyronitrile to the mixture containing 2-ethylhexylacrylate, butylacrylate, glycidyl methacrylate and acrylic acid; (b) a step for manufacturing a copolymer by reacting the copolymer precursor at 50~70 °C for 30 minutes to 2hours; and (c) a step for drying the copolymer and self-curing it at 70~170 °C for 20-40 minutes.
Abstract translation: 提供自固化环氧官能化丙烯酸类压敏粘合剂的制造方法，通过仅使用热处理而不使用交联剂，获得具有优异粘合强度的环氧官能化丙烯酸类压敏粘合剂。 制备自固化环氧官能化丙烯酸类压敏粘合剂的方法包括（a）通过向含有丙烯酸2-乙基己酯，丙烯酸丁酯，甲基丙烯酸缩水甘油酯和丙烯酸的混合物中加入偶氮二丁腈来制备共聚物前体的步骤; （b）通过使共聚物前体在50〜70℃下反应30分钟至2小时来制备共聚物的步骤; 和（c）使共聚物干燥并在70〜170℃自固化20-40分钟的步骤。
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公开(公告)号：KR100704644B1
公开(公告)日：2007-04-06
申请号：KR1020050075150
申请日：2005-08-17
Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단
IPC: C09J7/00
Abstract: 본 발명은 피착재 부착 표면재 접착용 핫멜트 점착제에 관한 것으로, HDF를 포함한 피착재에 무늬목을 포함한 표면재를 접착함에 있어서, 핫멜트 점착제를 적용하고자 하는 것이다.
핫멜트 점착제, 접착용Abstract translation: 根据本发明的作为用于粘接的热熔粘接剂，粘接上述表面部件，包括粘合构件包括HDF上的贴面，旨在适用的热熔性粘合剂的安装表面材料涉及一种粘合部件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020110014643A
公开(公告)日：2011-02-11
申请号：KR1020107027916
申请日：2008-05-14
Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단
CPC classification number: H03L7/0995 , H03K3/0322 , H03K3/35613 , H03K2005/0013 , H03L1/00 , H03L7/0998 , H03L7/18 , H03L2207/50
Abstract: PURPOSE: A method for eliminating jitter and a digital control oscillating circuit using the same are provided to oscillate a clock in a pre-set frequency without jitter noises by constantly maintaining wave delaying time. CONSTITUTION: The output of N-type metal oxide semiconductor(MOS) drivers(160, 170) of a differential amplifier is in connection with the gate terminal of an NMOS transistor. The output of PMOS load transistors(180, 190) is in connection with the gate of a PMOS transistor. A pseudo-differential amplifying circuit is composed of the NMOS transistor and the PMOS transistor. The output of the pseudo-differential amplifying circuit is in connection with the output of an inverter terminal composed of transistors(120, 130).
Abstract translation: 目的：提供消除抖动的方法和使用该方法的数字控制振荡电路，以通过不断维持波延迟时间来振荡具有预设频率的时钟，而不产生抖动噪声。 构成：差分放大器的N型金属氧化物半导体（MOS）驱动器（160,170）的输出与NMOS晶体管的栅极端子连接。 PMOS负载晶体管（180,190）的输出与PMOS晶体管的栅极连接。 伪差分放大电路由NMOS晶体管和PMOS晶体管构成。 伪差分放大电路的输出与由晶体管（120,130）构成的反相器端子的输出相连。
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公开(公告)号：KR1020070020835A
公开(公告)日：2007-02-22
申请号：KR1020050075150
申请日：2005-08-17
Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단
IPC: C09J7/00
CPC classification number: C09J125/10 , C09J109/06 , C09J2400/26
Abstract: 본 발명은 피착제 부착 표면재 접착용 핫멜트 점착제에 관한 것으로, HDF를 포함한 피착제에 무늬목을 포함한 표면재를 접착함에 있어서, 핫멜트 점착제를 적용하고자 하는 것이다.
핫멜트 점착제, 접착용-
公开(公告)号：KR100943861B1
公开(公告)日：2010-02-24
申请号：KR1020080055220
申请日：2008-06-12
Applicant: 에스케이하이닉스 주식회사 , 재단법인서울대학교산학협력재단
IPC: G11C11/4093 , G11C11/4096
CPC classification number: G06F13/4086
Abstract: 1. 청구범위에 기재된 발명이 속하는 기술 분야
본 발명은 양방향 멀티 드롭 구조의 버스 시스템, 그를 이용한 메모리 시스템 및 메모리 모듈에 관한 것임.
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
본 발명은 상호 신호 간섭을 유발하는 반사파가 존재하지 않는 양방향 멀티 드롭 구조의 버스 시스템, 그를 이용한 메모리 시스템 및 메모리 모듈을 제공함.
3. 발명의 해결방법의 요지
본 발명은 [K+1]개의 스터브; 상기 스터브 각각의 일단에 메모리 모듈이 장착되는 커넥터; 상기 커넥터에 연결되는 직렬 부하; 및 상기 스터브의 버스 선로의 특성 임피던스에 연결되는 직렬 부하를 포함함.
4. 발명의 중요한 용도
본 발명은 메모리 시스템에 이용됨.
버스, 메모리 시스템, 임피던스 매칭, 반사파-
公开(公告)号：KR1020090129118A
公开(公告)日：2009-12-16
申请号：KR1020080055220
申请日：2008-06-12
Applicant: 에스케이하이닉스 주식회사 , 재단법인서울대학교산학협력재단
IPC: G11C11/4093 , G11C11/4096
CPC classification number: G06F13/4086 , G11C11/4093 , G11C7/1048 , G11C11/4096 , H03K19/017545
Abstract: PURPOSE: An impedance-matched bidirectional multi-drop bus system, and a memory system and a memory module using the same are provided to suppress the generation of a reflected wave which causes ISI(Inter Symbol Interference), thereby secure bandwidth required in a next memory system. CONSTITUTION: A bidirectional multi-drop bus system(801) of a memory system(800) comprises a connector(831[0]~831[k]) which is formed one end of each of [K+1] stubs(811[0]~811[k]). Each of [K+1] memory modules(803[0]~803[K]) is installed to each connector. Each of memory chips(813[0]~813[K]) is installed in each of the [K+1]memory modules. A memory controller(805) is connected to one end of the bus system. ODT(On Die Termination) is performed for the memory chips and the memory controller with ODT load Rodt.
Abstract translation: 目的：提供阻抗匹配的双向多点总线系统以及使用其的存储器系统和存储器模块以抑制产生引起ISI（符号间干扰）的反射波，从而确保下一个所需的带宽 内存系统 构成：存储器系统（800）的双向多点总线系统（801）包括形成[K + 1]个存根（811 [8] [8]]的一端的连接器（831 [0]〜831 [k] 0]〜811 [K]）。 [K + 1]个存储器模块（803 [0]〜803 [K]）安装到每个连接器。 每个存储器芯片（813 [0]〜813 [K]）被安装在每个[K + 1]个存储器模块中。 存储器控制器（805）连接到总线系统的一端。 使用ODT负载Rodt对存储器芯片和存储器控制器执行ODT（On Die Termination）。
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公开(公告)号：KR100932201B1
公开(公告)日：2009-12-16
申请号：KR1020070087364
申请日：2007-08-30
Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단
IPC: C09J163/00 , C09J133/08 , C09J133/10
Abstract: 본 발명은 에폭시 아크릴계 점착제에 관한 것으로서, 보다 자세하게는 가교제를 포함하지 않는 에폭시 아크릴계 점착제의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명의 에폭시 아크릴계 점착제는 (a) 2-에틸헥실아크릴레이트, 부틸아크릴레이트, 글리시딜 메타크릴레이트 및 아크릴산의 혼합물에 아조비스이소부티로니트릴을 첨가하여 공중합 전구체를 제조하는 단계, (b) 상기 공중합 전구체를 50~70℃의 온도에서 30분~2시간 동안 교반하면서 반응시켜서 공중합체를 제조하는 단계, (c) 상기 공중합체를 건조시킨 후 70℃~170℃에서 20~40분 동안 자가가교시키는 단계를 포함한다.
아크릴계 점착제, 자가 가교, 아크릴산, 에틸헥실아크릴레이트, 글리시딜 메타크릴레이트.Abstract translation: 本发明提供了一种自固化环氧官能化丙烯酸类压敏胶粘剂的制备方法，通过仅使用热处理而不使用交联剂而获得具有优异粘合强度的环氧官能化丙烯酸类压敏胶粘剂。 一种制备自固化环氧官能化丙烯酸类压敏粘合剂的方法，包括：（a）通过向含有丙烯酸2-乙基己酯，丙烯酸丁酯，甲基丙烯酸缩水甘油酯和丙烯酸的混合物中加入偶氮二异丁腈制备共聚物前体的步骤; （b）通过使共聚物前体在50〜70℃下反应30分钟至2小时来制造共聚物的步骤; 和（c）将共聚物干燥并在70〜170℃下自固化20-40分钟的步骤。
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