公开(公告)号：KR1020120113604A

公开(公告)日：2012-10-15

申请号：KR1020110031389

申请日：2011-04-05

Applicant: 전남대학교산학협력단

Inventor： 김진혁 ,  신승욱 ,  이정용 ,  문종하 ,  권예빈

IPC: C01G9/02 ,  B82B1/00 ,  B82B3/00 ,  B82Y40/00

Abstract: PURPOSE: A manufacturing method of zinc oxide thin film using group III salt and oxidation zinc thin film manufactured by the same are provided to manufacture oxidized zinc thin film having a plurality of nano-rods with high aspect ratio. CONSTITUTION: A manufacturing method of zinc oxide thin film using group III salt comprises the following steps: providing a solution for zinc oxide hydrothermal synthesis including the group III salt; placing a substrate(10) in the solution for zinc oxide hydrothermal synthesis; and growing the oxidation zinc thin film(30) by heating the solution for zinc oxide hydrothermal synthesis. The oxidized zinc thin film includes a plurality of nano-rods grown up in the upper direction of the substrate. The nano-rods have the aspect ratio of 5-20. The group III salt which is included in the solution for zinc oxide hydrothermal synthesis includes one or more of Al, Ga and In.

Abstract translation: 目的：提供使用其制造的III族盐和氧化锌薄膜的氧化锌薄膜的制造方法，以制造具有高纵横比的多个纳米棒的氧化锌薄膜。 构成：使用III族盐的氧化锌薄膜的制造方法包括以下步骤：提供包括III族盐的氧化锌水热合成溶液; 将基底（10）放置在氧化锌水热合成溶液中; 并通过加热氧化锌水热合成溶液来生长氧化锌薄膜（30）。 氧化锌薄膜包括在基板的上方生长的多个纳米棒。 纳米棒的长宽比为5-20。 包含在氧化锌水热合成溶液中的III族盐包括Al，Ga和In中的一种或多种。

公开(公告)号：KR101319167B1

公开(公告)日：2013-10-16

申请号：KR1020110031389

申请日：2011-04-05

Applicant: 전남대학교산학협력단

Inventor： 김진혁 ,  신승욱 ,  이정용 ,  문종하 ,  권예빈

IPC: C01G9/02 ,  B82B1/00 ,  B82B3/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 3족 염을 이용한 산화아연 박막의 제조 방법 및 그 방법으로 제조된 산화아연 박막이 개시된다. 57℃ 내지 63℃의 온도 범위에서 저온 수열 합성법으로 산화아연 박막 제조시 3족 염 및 트라이 소듐 시트레이트(tri-sodium citrate)를 이용하여 산화아연 박막의 두께 및 표면의 미세구조를 제어함으로써 높은 종횡비를 가지는 복수개의 나노로드를 구비한 산화아연 박막을 제조할 수 있다. 또한 이를 통하여 제조된 산화아연 박막은 향상된 광학적, 전기적 특성 및 표면 형상이 우수한 미세구조를 가질 수 있다.