公开(公告)号：KR101030071B1

公开(公告)日：2011-04-20

申请号：KR1020090042762

申请日：2009-05-15

Applicant: 조선대학교산학협력단

Inventor： 박시현 ,  김경태

IPC: H01L33/20 ,  H01L33/30

Abstract: 본 발명은 반도체 발광소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 기판 상에 형성되며, 서로 다른 밴드갭 차이를 갖는 물질로 이루어진 복수개의 제1 및 제2 반도체층이 교대로 적층된 n형 반도체층과, 상기 n형 반도체층 상에 형성되는 활성층과, 상기 활성층 상에 형성되는 p형 반도체층을 포함하되, 광전자화학(Photoelectrochemical; PEC) 습식 식각 공정을 이용하여 상기 제1 또는 제2 반도체층이 선택적으로 식각되도록 함으로써, 상기 n형 반도체층의 노출된 측면이 요철형상으로 이루어진다. 이에 따라, 반도체 내부의 활성영역에서 발생한 빛을 더욱 효율적으로 반도체 외부로 추출함으로서 반도체 발광소자의 광추출 효율(light extraction efficiency)을 효과적으로 증가시킬 수 있다.
반도체 발광소자, 광추출 효율, n형 반도체층, 밴드갭, 광전자화학 습식 식각

公开(公告)号：KR1020100123504A

公开(公告)日：2010-11-24

申请号：KR1020090042762

申请日：2009-05-15

Applicant: 조선대학교산학협력단

Inventor： 박시현 ,  김경태

IPC: H01L33/20 ,  H01L33/30

Abstract: PURPOSE: A semiconductor light emitting device and a method for fabricating the same are provided to efficiently increase the efficiency of extracting light by extracting the light generated from the active region inside the semiconductor. CONSTITUTION: An n-type semiconductor layer(110) is formed on a substrate(100). The n-type semiconductor layer has a plurality of first and second semiconductor layers comprised of materials having different band gaps. An active layer(120) is formed on the n-type semiconductor layer.

Abstract translation: 目的：提供半导体发光器件及其制造方法，以通过提取从半导体内部的有源区域产生的光来有效地提高提取光的效率。 构成：在衬底（100）上形成n型半导体层（110）。 n型半导体层具有由具有不同带隙的材料构成的多个第一和第二半导体层。 在n型半导体层上形成有源层（120）。