公开(公告)号：KR1020080029908A

公开(公告)日：2008-04-03

申请号：KR1020070098245

申请日：2007-09-28

Applicant: 티디케이가부시기가이샤

Inventor： 핫토리야스유키 ,  엔도도시카즈 ,  가츠마타마사시 ,  모리타다카아키 ,  가와바타겐이치

IPC: H01L23/12 ,  H05K3/46

CPC classification number: H01L23/3735 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/82 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/16 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01038 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/351 ,  H05K1/0206 ,  H05K1/0224 ,  H05K1/0298 ,  H05K1/185 ,  H05K3/0058 ,  H05K2201/09681 ,  H05K2201/09781 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/0401

Abstract: A semiconductor embedded substrate and a method for manufacturing the same are provided to improve heat-radiating characteristics by reducing thermal stress of a first heat-radiating part. A semiconductor embedded substrate includes an insulating layer and a semiconductor device arranged in the inside of the insulating layer. The semiconductor embedded substrate includes a first heat-radiating member. The first heat-radiating member is positioned at least one side of the semiconductor device in order to face the semiconductor device. An opening part(P) having at least one opening(H) is formed at a facing surface of the first heat-radiating member. The first heat-radiating member has heat transfer coefficient or thermal conductivity greater than the heat transfer coefficient or the thermal conductivity of the insulating layer.

Abstract translation: 提供一种半导体嵌入式基板及其制造方法，通过降低第一散热部件的热应力来提高散热特性。 半导体嵌入式基板包括布置在绝缘层内部的绝缘层和半导体器件。 半导体嵌入式基板包括第一散热构件。 第一散热构件位于半导体器件的至少一侧，以面向半导体器件。 具有至少一个开口（H）的开口部（P）形成在第一散热构件的相对表面上。 第一散热构件具有大于绝缘层的传热系数或热传导率的传热系数或导热系数。

公开(公告)号：KR101463988B1

公开(公告)日：2014-11-20

申请号：KR1020070098245

申请日：2007-09-28

Applicant: 티디케이가부시기가이샤

Inventor： 핫토리야스유키 ,  엔도도시카즈 ,  가츠마타마사시 ,  모리타다카아키 ,  가와바타겐이치

IPC: H01L23/12 ,  H05K3/46

CPC classification number: H01L23/3735 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/82 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/16 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01038 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/351 ,  H05K1/0206 ,  H05K1/0224 ,  H05K1/0298 ,  H05K1/185 ,  H05K3/0058 ,  H05K2201/09681 ,  H05K2201/09781 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/0401

Abstract: (과제) 제조시에 있어서나 사용시에 있어서도 열응력을 완화시킴으로써, 충분한 방열 특성 및 신뢰성을 갖는 반도체 내장 기판을 제공한다.
(해결수단) 본 발명에 따른 반도체 내장 기판 (100) 은, 수지층 (1, 2, 3) 이 적층된 3 층 구조를 갖는 다층 기판으로, 수지층 (2) 의 내부에, 범프 (32) 가 내부 배선 (13) 및 접속 플러그 (12) 를 통해서 단자 전극 (11) 에 접속된 반도체 장치 (30) 가 매립되어 있다. 이 반도체 장치 (30)의 이면 (30b) 에 바로 위에는, 개구 (H) 가 형성된 개구부 (P) 를 갖는 방열부 (20) 가 대향 배치되어 있어, 반도체 장치 (30) 에서 발생한 열이 그 방열부 (20) 로 전도되어 거기서부터 방열된다.
반도체 내장 기판, 반도체 장치, 방열부

公开(公告)号：KR100421554B1

公开(公告)日：2004-05-24

申请号：KR1019970036899

申请日：1997-08-01

Applicant: 티디케이가부시기가이샤

Inventor： 나카이신야 ,  카츠마타마사시 ,  핫토리야스유키 ,  나가이켄타 ,  후크미츠요시아키 ,  이시즈카타케히코

IPC: H03B1/00

CPC classification number: H03B5/1847 ,  H03B5/1203 ,  H03B5/1231 ,  H03B5/124 ,  H03B5/1243 ,  H03B5/1256 ,  H03B5/1293 ,  H03B2200/0024 ,  H03B2200/004 ,  H03B2201/011 ,  H03B2201/012 ,  H03B2201/0208 ,  H03B2201/03

Abstract: A voltage controlled oscillator comprises a resonator for generating an oscillation signal, a frequency of which is in response to a control voltage; a transistor for amplifying the oscillation signal; oscillation frequency adjusting element for adjusting the frequency of the oscillation signal; and voltage control sensitivity adjusting element for adjusting a voltage control sensitivity of the oscillation signal.

Abstract translation: 压控振荡器包括用于产生振荡信号的谐振器，其振荡频率响应于控制电压; 用于放大振荡信号的晶体管; 振荡频率调节元件，用于调节振荡信号的频率; 以及用于调整振荡信号的电压控制灵敏度的电压控制灵敏度调整元件。 ＆lt;图像＆GT;

公开(公告)号：KR1019980018300A

公开(公告)日：1998-06-05

申请号：KR1019970036899

申请日：1997-08-01

Applicant: 티디케이가부시기가이샤

Inventor： 나카이신야 ,  카츠마타마사시 ,  핫토리야스유키 ,  나가이켄타 ,  후크미츠요시아키 ,  이시즈카타케히코

IPC: H03B1/00

Abstract: 본 발명에 따른 전압제어발진기는 제어전압에 반응하는 주파수가 포함된 발진신호를 발생시키는 공명기와, 발진신호를 증폭시키는 증폭수단과,
발진신호의 주파수를 조정하는 발진주파수조정수단과, 발진신호의 전압제어감도를 조정하는 전압제어감도조정수단을 구비한다. 또한 본 발명은 3단계로된 전압제어발진기의 조정방법을 제공한다.