-
公开(公告)号：KR101176814B1
公开(公告)日：2012-08-24
申请号：KR1020060094814
申请日：2006-09-28
Applicant: 티디케이가부시기가이샤
IPC: H01L23/12
CPC classification number: H01L23/5389 , H01L21/568 , H01L21/6835 , H01L23/5383 , H01L23/5384 , H01L23/544 , H01L24/24 , H01L24/25 , H01L24/82 , H01L2221/68368 , H01L2223/54473 , H01L2224/0401 , H01L2224/04105 , H01L2224/1134 , H01L2224/131 , H01L2224/13111 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13171 , H01L2224/24225 , H01L2224/24227 , H01L2224/32225 , H01L2224/73267 , H01L2224/82039 , H01L2224/82047 , H01L2224/83132 , H01L2224/83136 , H01L2224/92244 , H01L2924/00013 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01015 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2924/19041 , H05K1/185 , H05K3/4652 , H05K2201/09518 , H05K2201/09563 , H05K2201/096 , H05K2201/09781 , H05K2201/09918 , H05K2201/10674 , H05K2203/016 , H05K2203/1469 , H05K2203/166 , H01L2924/00014 , H01L2224/13099 , H01L2924/00
Abstract: (과제) 전극 피치가 매우 좁은 반도체 IC 를 매립하는데 적합한 반도체 IC 내장 기판을 제공한다.
(해결 수단) 주면 (120a) 에 스터드 범프 (121) 가 설치된 반도체 IC (120) 와, 반도체 IC (120) 의 주면 (120a) 을 덮는 제 1 수지층 (111) 과, 반도체 IC (120) 의 이면 (120b) 을 덮는 제 2 수지층 (112) 을 구비한다. 반도체 IC (120) 의 스터드 범프 (121) 는, 제 1 수지층 (111) 의 표면으로부터 돌출되어 있다. 스터드 범프 (121) 를 제 1 수지층 (111) 의 표면으로부터 돌출시키는 방법으로는, 웨트 블라스트법 등을 이용하여 제 1 수지층 (111) 의 두께를 전체적으로 감소시키면 된다. 이로써, 반도체 IC (120) 의 전극 피치가 좁은 경우여도, 정확하게 스터드 범프 (121) 의 두출을 실시할 수 있다.
반도체 IC 내장기판, 반도체 IC 내장기판의 제조 방법, 전극 피치-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020070036007A
公开(公告)日：2007-04-02
申请号：KR1020060094814
申请日：2006-09-28
Applicant: 티디케이가부시기가이샤
IPC: H01L23/12
CPC classification number: H01L23/5389 , H01L21/568 , H01L21/6835 , H01L23/5383 , H01L23/5384 , H01L23/544 , H01L24/24 , H01L24/25 , H01L24/82 , H01L2221/68368 , H01L2223/54473 , H01L2224/0401 , H01L2224/04105 , H01L2224/1134 , H01L2224/131 , H01L2224/13111 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13171 , H01L2224/24225 , H01L2224/24227 , H01L2224/32225 , H01L2224/73267 , H01L2224/82039 , H01L2224/82047 , H01L2224/83132 , H01L2224/83136 , H01L2224/92244 , H01L2924/00013 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01015 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2924/19041 , H05K1/185 , H05K3/4652 , H05K2201/09518 , H05K2201/09563 , H05K2201/096 , H05K2201/09781 , H05K2201/09918 , H05K2201/10674 , H05K2203/016 , H05K2203/1469 , H05K2203/166 , H01L2924/00014 , H01L2224/13099 , H01L2924/00
Abstract: (과제) 전극 피치가 매우 좁은 반도체 IC 를 매립하는 것에 바람직한 반도체 IC 내장 기판을 제공한다.
(해결 수단) 주면 (120a) 에 스터드 범프 (121) 가 설치된 반도체 IC (120) 와 , 반도체 IC (120) 의 주면 (120a) 을 덮는 제 1 수지층 (111) 과, 반도체 IC (120) 의 이면 (120b) 을 덮는 제 2 수지층 (112) 을 구비한다. 반도체 IC (120) 의 스터드 범프 (121) 는, 제 1 수지층 (111) 의 표면으로부터 돌출되어 있다. 스터드 범프 (121) 를 제 1 수지층 (111) 의 표면으로부터 돌출시키는 방법으로는, 웨트 블라스트법 등을 이용하여 제 1 수지층 (111) 의 두께를 전체적으로 감소시키면 된다. 이로써, 반도체 IC (120) 의 전극 피치가 좁은 경우이어도, 정확하게 스터드 범프 (121) 의 두출을 실시할 수 있다.
반도체 IC 내장기판, 반도체 IC 내장기판의 제조 방법, 전극 피치-
公开(公告)号：KR1020080029908A
公开(公告)日：2008-04-03
申请号：KR1020070098245
申请日：2007-09-28
Applicant: 티디케이가부시기가이샤
CPC classification number: H01L23/3735 , H01L23/5389 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L24/82 , H01L2224/04105 , H01L2224/16 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/0102 , H01L2924/01024 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01038 , H01L2924/0104 , H01L2924/01047 , H01L2924/01057 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/04953 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2924/19041 , H01L2924/3025 , H01L2924/351 , H05K1/0206 , H05K1/0224 , H05K1/0298 , H05K1/185 , H05K3/0058 , H05K2201/09681 , H05K2201/09781 , H01L2924/00 , H01L2224/0401
Abstract: A semiconductor embedded substrate and a method for manufacturing the same are provided to improve heat-radiating characteristics by reducing thermal stress of a first heat-radiating part. A semiconductor embedded substrate includes an insulating layer and a semiconductor device arranged in the inside of the insulating layer. The semiconductor embedded substrate includes a first heat-radiating member. The first heat-radiating member is positioned at least one side of the semiconductor device in order to face the semiconductor device. An opening part(P) having at least one opening(H) is formed at a facing surface of the first heat-radiating member. The first heat-radiating member has heat transfer coefficient or thermal conductivity greater than the heat transfer coefficient or the thermal conductivity of the insulating layer.
Abstract translation: 提供一种半导体嵌入式基板及其制造方法，通过降低第一散热部件的热应力来提高散热特性。 半导体嵌入式基板包括布置在绝缘层内部的绝缘层和半导体器件。 半导体嵌入式基板包括第一散热构件。 第一散热构件位于半导体器件的至少一侧，以面向半导体器件。 具有至少一个开口（H）的开口部（P）形成在第一散热构件的相对表面上。 第一散热构件具有大于绝缘层的传热系数或热传导率的传热系数或导热系数。
-
公开(公告)号：KR101463988B1
公开(公告)日：2014-11-20
申请号：KR1020070098245
申请日：2007-09-28
Applicant: 티디케이가부시기가이샤
CPC classification number: H01L23/3735 , H01L23/5389 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L24/82 , H01L2224/04105 , H01L2224/16 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/0102 , H01L2924/01024 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01038 , H01L2924/0104 , H01L2924/01047 , H01L2924/01057 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/04953 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2924/19041 , H01L2924/3025 , H01L2924/351 , H05K1/0206 , H05K1/0224 , H05K1/0298 , H05K1/185 , H05K3/0058 , H05K2201/09681 , H05K2201/09781 , H01L2924/00 , H01L2224/0401
Abstract: (과제) 제조시에 있어서나 사용시에 있어서도 열응력을 완화시킴으로써, 충분한 방열 특성 및 신뢰성을 갖는 반도체 내장 기판을 제공한다.
(해결수단) 본 발명에 따른 반도체 내장 기판 (100) 은, 수지층 (1, 2, 3) 이 적층된 3 층 구조를 갖는 다층 기판으로, 수지층 (2) 의 내부에, 범프 (32) 가 내부 배선 (13) 및 접속 플러그 (12) 를 통해서 단자 전극 (11) 에 접속된 반도체 장치 (30) 가 매립되어 있다. 이 반도체 장치 (30)의 이면 (30b) 에 바로 위에는, 개구 (H) 가 형성된 개구부 (P) 를 갖는 방열부 (20) 가 대향 배치되어 있어, 반도체 장치 (30) 에서 발생한 열이 그 방열부 (20) 로 전도되어 거기서부터 방열된다.
반도체 내장 기판, 반도체 장치, 방열부-
公开(公告)号：KR1020080059098A
公开(公告)日：2008-06-26
申请号：KR1020070135706
申请日：2007-12-21
Applicant: 티디케이가부시기가이샤
Inventor： 모리타다카아키
CPC classification number: H01L24/83 , H01L21/6835 , H01L23/49822 , H01L23/5389 , H01L23/544 , H01L24/24 , H01L24/25 , H01L24/75 , H01L24/82 , H01L2221/68345 , H01L2224/24011 , H01L2224/24225 , H01L2224/24226 , H01L2224/2518 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/73267 , H01L2224/75313 , H01L2224/82039 , H01L2224/83005 , H01L2224/83209 , H01L2224/83855 , H01L2224/92244 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/0102 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01037 , H01L2924/01038 , H01L2924/0104 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01057 , H01L2924/01073 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01088 , H01L2924/0132 , H01L2924/014 , H01L2924/04953 , H01L2924/0665 , H01L2924/07802 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2924/19041 , H01L2924/30105 , H01L2924/351 , H05K1/185 , H05K3/0044 , H05K3/4644 , H05K2201/10674 , H05K2203/025 , H05K2203/074 , H05K2203/1469 , Y10T29/49128 , Y10T29/4913 , Y10T29/49133 , Y10T29/49146 , H01L2924/00 , H01L2924/01028 , H01L2924/3512
Abstract: A collective mounting method of electronic components and a manufacturing method of an electronic component-embedded substrate are provided to uniformly fix the electronic components to an insulating layer in a short time by isotropically pressing the electronic components on uncured resin through a pressure medium. A manufacturing method of an electronic component-embedded substrate includes a semiconductor collective fixing step of mounting a plurality of electronic components(220) on an uncured resin layer(212) for forming an insulating layer, simultaneously pressing the plurality of electronic components inside a vessel(31) of a pressing and heating device(3) through a pressure medium, and forming the insulating layer by heating and curing the resin; an insulating layer forming step of forming an additional insulating layer on the plurality of fixed electronic components; and a wiring layer forming step of forming a wiring layer on the additional insulating layer to be electrically connected to the plurality of electronic components.
Abstract translation: 提供电子部件的集体安装方法和电子部件嵌入式基板的制造方法，通过在未固化的树脂上通过压力介质进行各向同性地按压电子部件，将电子部件均匀地短时间地固定在绝缘层上。 电子部件嵌入式基板的制造方法包括半导体集合固定步骤，将多个电子部件（220）安装在用于形成绝缘层的未固化树脂层（212）上，同时将多个电子部件压入容器 （3）的压力加热装置（31），通过加热固化树脂形成绝缘层; 在所述多个固定电子部件上形成附加绝缘层的绝缘层形成工序; 以及在附加绝缘层上形成与多个电子部件电连接的布线层的布线层形成工序。
-
公开(公告)号：KR1020080059081A
公开(公告)日：2008-06-26
申请号：KR1020070135238
申请日：2007-12-21
Applicant: 티디케이가부시기가이샤
Inventor： 모리타다카아키
CPC classification number: H01L24/82 , H01L23/5389 , H01L24/24 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L2224/04105 , H01L2224/24051 , H01L2224/24226 , H01L2224/2505 , H01L2224/2518 , H01L2224/32225 , H01L2224/48227 , H01L2224/73267 , H01L2224/75313 , H01L2224/82039 , H01L2224/82047 , H01L2224/83132 , H01L2224/83192 , H01L2224/83203 , H01L2224/83209 , H01L2224/83856 , H01L2224/92 , H01L2224/92244 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/0102 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01037 , H01L2924/01038 , H01L2924/0104 , H01L2924/01047 , H01L2924/01057 , H01L2924/01073 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01088 , H01L2924/014 , H01L2924/04953 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2924/19041 , H01L2924/30105 , H01L2924/351 , H05K1/185 , H05K3/303 , H05K3/305 , H05K3/4652 , H05K2201/10674 , H05K2203/0191 , H05K2203/074 , H05K2203/0776 , H05K2203/082 , H05K2203/1484 , Y02P70/613 , H01L2224/83 , H01L2224/82 , H01L2924/00
Abstract: A mounting method of electronic components, an electronic component-embedded substrate and a manufacturing method thereof are provided to prevent deterioration of adhesion between the electronic component and an insulating layer by suppressing a rise of resin due to sinking of a circumferential edge of the electronic component. A manufacturing method of an electronic component-embedded substrate includes a semiconductor fixing step of mounting an electronic component(220) on an uncured resin layer(212) for forming an insulating layer, isotropically pressing the electronic component through a pressure medium, and forming the insulating layer by heating the resin; an insulating layer forming step of forming an additional insulating layer on the fixed electronic component; and a wiring layer forming step of forming a wiring layer on the additional insulating layer to be electrically connected to the electronic component.
Abstract translation: 提供电子部件的安装方法，电子部件嵌入式基板及其制造方法，以通过抑制由于电子部件的周缘的下沉而导致的树脂的上升，防止电子部件与绝缘层之间的粘附性的劣化 。 电子部件嵌入式基板的制造方法包括将电子部件（220）安装在用于形成绝缘层的未固化树脂层（212）上的半导体固定步骤，通过压力介质各向同性地按压电子部件，并形成 绝缘层通过加热树脂; 在所述固定电子部件上形成附加绝缘层的绝缘层形成工序; 以及在附加绝缘层上形成电连接到电子部件的布线层的布线层形成步骤。
-
-
-
-
-
Search Results
6
records
(took 0.023 seconds)
