-
公开(公告)号:KR100496648B1
公开(公告)日:2005-06-22
申请号:KR1020030029458
申请日:2003-05-09
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01M4/134
Abstract: 본 발명은 나노선을 사용한 리튬전지용 음극에 관한 것으로, 상기의 음극을 이용하여 전지용량, 고율 충방전 특성 및 사이클 특성이 향상된 리튬전지를 제공한다. 음극 활물질이 나노선으로 이루어지고, 상기 나노선은 Sb, Bi, Sn, Cd, In, Pb, Si, SnO, SnO
2 , ZnO, CdO, PbO, C 중에서 선택되는 어느 하나의 물질이 사용된다.-
公开(公告)号:KR100623271B1
公开(公告)日:2006-09-12
申请号:KR1020050055256
申请日:2005-06-24
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 본 발명은 갈륨망간나이트라이드(GaMnN) 단결정 나노선의 제조방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 기판상에서 갈륨(Ga)금속과 망간(Mn)금속 등의 금속성분과, 질소(N
2 ) 기체, 염화수소(HCl) 기체 및 암모니아(NH
3 ) 기체 등의 기체 성분이 반응하는 할라이드 기상증착법(HVPE)을 수행하되, 상기 기체 성분의 사용량을 특정의 비로 조절하여 망간(Mn)금속의 도핑량을 제어함으로써, 내부결합이 없는 완벽한 단결정의 1차원 구조이고, 케리어인 홀농도와 자화값이 상기 도핑농도 제어에 의해 결정되고, 상온 강자성을 나타내어 특히, 스핀 전달체(Spin transport)로 스핀분극 레이저 발광 다이오드(Spin-Polarized LED), 스핀분극 전계 방출형 트랜지스터 (Spin-Polarized FET) 등과 같은 차세대 스핀트로닉스 분야에 유용하게 사용되는 갈륨망간나이트라이드(GaMnN) 단결정 나노선의 제조방법에 관한 것이다.
갈륨금속, 망간금속, 질소 기체, 염화수소 기체, 암모니아 기체, 갈륨망간나이트라이드 단결정 나노선Abstract translation: 本发明是镓和锰氮化物(GaMnN)涉及一种方法,用于生产单晶纳米线,更具体地,所述镓(Ga)的金属和锰(Mn)的金属,如基片,在氮上的金属成分(N
-
公开(公告)号:KR1020040096382A
公开(公告)日:2004-11-16
申请号:KR1020030029458
申请日:2003-05-09
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01M4/134
Abstract: PURPOSE: A nanowire electrode for a lithium secondary battery and its preparation method are provided, to obtain a negative electrode using nanowires as a negative electrode active material for improving battery capacity, high rate charge/discharge characteristics and cycle characteristics. CONSTITUTION: The nanowire is any one material selected from the group consisting of Sb, Bi, Sn, Cd, In, Pb, Si, SnO, SnO2, ZnO, CdO, PbO and C. A nanowire negative electrode comprises a current collector(11b), a negative electrode active material made of the nanowires(15) and an electrolyte(14). Preferably the current collector is any one selected from the group consisting of Sc, Ti, Zr, Ru, Lu, Hf, Ta, W, Pt, Mo stainless steel, TiN, SiC, TiB2 and their alloys.
Abstract translation: 目的:提供一种用于锂二次电池的纳米线电极及其制备方法,以获得使用纳米线作为负极活性材料的负极,用于改善电池容量,高速率充电/放电特性和循环特性。 构成:纳米线是选自Sb,Bi,Sn,Cd,In,Pb,Si,SnO,SnO 2,ZnO,CdO,PbO和C中的任何一种材料。纳米线负极包括集电体 ),由纳米线(15)和电解质(14)制成的负极活性物质。 优选集电体为选自Sc,Ti,Zr,Ru,Lu,Hf,Ta,W,Pt,Mo不锈钢,TiN,SiC,TiB2及其合金中的任何一种。
-
-