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公开(公告)号：KR100826305B1
公开(公告)日：2008-04-30
申请号：KR1020060113648
申请日：2006-11-17
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: A method for manufacturing a needle type single crystalline AlN nano-rod is provided to enhance efficiency and to extend a lifetime of the needle type single crystalline AlN nano-rod. An aluminum metal, a hydrochloric gas, and an ammonia gas react under nitrogen gas atmosphere during 10-30 minutes at temperature of 680-720 °C. Aluminum metal powders are positioned in the inside of the quartz tube. The hydrochloric gas/nitrogen is introduced into the inside of the quartz tube. The ammonia gas/nitrogen is introduced into the inside of the quartz tube. In the introduced gas, a volume ratio of HCl/NH3 is 0.02 to 0.05 and a volume ratio of (HCl/N2)/(NH3/N2) is 0.6 to 0.8. The total flow rate of the introduced gas corresponds to a range of 600 to 1000 sccm. A single crystalline nano-rod(110) is formed by introducing the gas in the flow rate.
Abstract translation: 提供一种制造针型单晶AlN纳米棒的方法，以提高针型单晶AlN纳米棒的效率并延长其寿命。 在氮气气氛下，在680-720℃的温度下，在10-30分钟内，将铝金属，盐酸气体和氨气反应。 铝金属粉末位于石英管的内部。 将盐酸气体/氮气引入石英管的内部。 将氨气/氮气引入石英管的内部。 在导入的气体中，HCl / NH 3的体积比为0.02〜0.05，（HCl / N 2）/（NH 3 / N 2）的体积比为0.6〜0.8。 引入气体的总流量对应于600〜1000sccm的范围。 通过以流量引入气体形成单晶纳米棒（110）。
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公开(公告)号：KR100623271B1
公开(公告)日：2006-09-12
申请号：KR1020050055256
申请日：2005-06-24
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 본 발명은 갈륨망간나이트라이드(GaMnN) 단결정 나노선의 제조방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 기판상에서 갈륨(Ga)금속과 망간(Mn)금속 등의 금속성분과, 질소(N
2 ) 기체, 염화수소(HCl) 기체 및 암모니아(NH
3 ) 기체 등의 기체 성분이 반응하는 할라이드 기상증착법(HVPE)을 수행하되, 상기 기체 성분의 사용량을 특정의 비로 조절하여 망간(Mn)금속의 도핑량을 제어함으로써, 내부결합이 없는 완벽한 단결정의 1차원 구조이고, 케리어인 홀농도와 자화값이 상기 도핑농도 제어에 의해 결정되고, 상온 강자성을 나타내어 특히, 스핀 전달체(Spin transport)로 스핀분극 레이저 발광 다이오드(Spin-Polarized LED), 스핀분극 전계 방출형 트랜지스터 (Spin-Polarized FET) 등과 같은 차세대 스핀트로닉스 분야에 유용하게 사용되는 갈륨망간나이트라이드(GaMnN) 단결정 나노선의 제조방법에 관한 것이다.
갈륨금속, 망간금속, 질소 기체, 염화수소 기체, 암모니아 기체, 갈륨망간나이트라이드 단결정 나노선Abstract translation: 本发明是镓和锰氮化物（GaMnN）涉及一种方法，用于生产单晶纳米线，更具体地，所述镓（Ga）的金属和锰（Mn）的金属，如基片，在氮上的金属成分（N
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