公开(公告)号：KR101971158B1

公开(公告)日：2019-08-27

申请号：KR1020170114482

申请日：2017-09-07

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 정경윤 ,  김동현 ,  디키수산토 ,  박재호 ,  정지원 ,  정훈기 ,  장원영 ,  최원창 ,  조병원

IPC: G01N23/20 ,  H01M2/10

公开(公告)号：KR1019990025164A

公开(公告)日：1999-04-06

申请号：KR1019970046678

申请日：1997-09-11

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 주병권 ,  최우범 ,  정지원 ,  오명환

IPC: H01L21/00

Abstract: 본 발명은 반도체 기판의 정전 열 접합방법에 관한 것으로, 종래 반도체 기판의 정전 열 접합방법은 높은 온도와 높은 전압이 요구되어 제조비용이 증가할 뿐만 아니라 접합 강도가 낮고, 기판에 코닝 #7740유리를 스퍼터를 사용하여 증착함으로써, 기판에 손상을 줄 뿐만 아니라 공정시간도 지연되는 문제점이 있었다. 이와 같은 문제점을 감안한 본 발명은 반도체 기판을 세척하는 제 1세척단계와; 세척된 반도체 기판에 실리콘 산화물과 금속 산화물을 혼합한 혼합물을 증착하는 증착단계와; 상기 혼합물이 증착된 반도체 기판을 세척하는 제 2세척단계와; 상기 혼합물이 증착된 반도체 기판과 일반 반도체 기판에 열과 전압을 인가하여 접합시키는 접합단계로 이루어져 전자선 증착법으로 금속 산화물과 실리콘 산화물의 혼합물을 반도체 기판 위에 증착하여 두 반도체 기판의 접합시 중간층으로 이용함으로써, 공정시간을 단축하고, 낮은 온도 및 전압에서 공정하여 제조비용을 절감하며, 소자의 응용시 적당한 강한 접합강도를 얻을 수 있는 효과가 있다.

公开(公告)号：KR100286252B1

公开(公告)日：2001-04-16

申请号：KR1019970046678

申请日：1997-09-11

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 주병권 ,  최우범 ,  정지원 ,  오명환

IPC: H01L21/00

Abstract: PURPOSE: A electrostatic thermal junction formation method of a semiconductor substrate is provided to short a junction process time and reduce a cost of a products by deposing a mixed compound of a metal oxide and a silicon oxide on the substrate to use as an intermediate layer for connecting both of semiconductor substrates. CONSTITUTION: A semiconductor substrate is cleaned by a cleaning process. A mixed compound of a metal oxide and a silicon oxide is deposited on the cleaned substrate. A substrate having the mixed compound is cleaned. The substrate having the mixed compound is applied by a temperature of 10-500 °C and a general semiconductor substrate is applied by a voltage of 10-400 V and both substrate is connected. Acetone, methanol, or deionized water are used for the cleaning process. The deposition process of the mixed compounds of the metal oxide and a silicon oxide is performed by using an electron beam deposition method.